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GaInAsSb是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积技术在n型GaSb衬底上成功地生长了GaInAsSb外延层,用PL谱,红外吸收谱,X射线衍射和扫描电子超声显微镜等实验手段对GaInAsSb外延层进行了表征。 相似文献
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研究了较大功率激光辐照对PV型Hgl-xCdxTe探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了pn结退化造成其性能下降的结论.根据pn结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后激光辐照下饱和开路电压几乎相等的现象.研究了其pn结退化造成的探测器响应率、探测率等性能参数的变化,以及由于Hg原子的逃逸和扩散给器件性能带来的影响. 相似文献
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傅恩生 《激光与光电子学进展》2005,42(10):62-63
红外探测广泛应用于工业、监视、医疗和防御等领域?红外辐射直接反映物体的温度,但是物体的形状、尺寸和表面特性郜埘信号有影响,所以红外辐射和温度之间的一阶关系是不严格的。 相似文献
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LIU Shu-ping JIA Yue-hu 《半导体光子学与技术》2006,12(1):21-24
According to Maxwell's theory, the optical transmission characteristics in GeSi/Si superlattice nanocrystalline layer have been analyzed and calculated. The calculated result shows that when the total thickness L is 340 nm, the single mode lightwave can be transmitted only at periodic number M≥15.5. In addition, at the direction of transmission, when the transmission distance is larger than 500 μm, the lightwave intensity is decreased greatly. Based on the above parameters, the design and manufacture of GeSi/Si superlattice nanocrystalline photodetector are carried out. 相似文献
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《核电子学与探测技术》2007,27(5):F0003-F0004
北京核仪器厂是中国核工业集团公司直属的集科研生产于一体的大型企业。自1957年成立至今一直是我国最大的核辐射探测器与核仪器科研生产基地。 相似文献
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利用SIMS和变温霍尔测量手段对P型Hg0.77Gd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究。结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的,掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的,掺杂后,P型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小,从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定。 相似文献