Preparation and Properties of Sintering Additives Coated Si3N4 from Heterogeneous Nucleation Processing

The sintering additives such as Al2O3 and /or Y2O3 were coated on the surfaces of Si3N4 particles via heterogeneous nucleation processing using a buffered pH solution as the precipitation reagent .They nucleated and grew only on the surfaces of Si3N4 and did not form sol particles in solution by TEM observation .The isoelectric point(IEP) of coated Si3N4 was different from that of as-received Si3N4.The IEP of Al(OH)3-coated Si3N4 occurred at pH8.4, which is close to that of alumina .When Al(OH)3-coated Si3N4 particles were coated with Y(OH)3,the IEP of coated Si3N4 powder shifted from pH8.4 to pH9.2 ,similar to that of yttria.In addition ,the rheological data showed that Al2O3 and /or Y2O3 coated Si3N4 suspension is nearly Newtonian and that added Si3N4 suspension shows a shear rate thinning behavior.     

Mg-Si基热电化合物的研究现状

重点综述了Mg-Si基热电化合物的基本特性，该体系热电材料的制备方法与掺杂改性的研究进展，并提出了要重点解决的问题。     

电沉积Ni-W合金镀层的X射线光电子能谱分析

采用X射线光电子能谱（XPS）对电沉积Ni-W合金镀层表面膜进行了分析。研究结果表明，Ni-W合金镀层表面存在一层薄的氧化膜，而钨的氧化作用远大于镍，Ni-W合金镀层中W含量的提高对耐蚀性起决定作用。     

工业还原NS—掺杂蓝钨过程中掺杂剂相的形成和结合

本文叙述了用于生产具有不下垂性能的细钨丝的ＮＳ－掺杂蓝钨工业还原过程中掺杂剂相的形成和结合。在还原过程中结合适量的掺杂剂是钾残留在烧结锭中的基本保证，钾能在丝材制造中形成钾泡串，使在随后的的灯丝工作时形成大晶联锁微结构，而这是不下垂特性的关键所在。本文的第一部分讨论了金属钨粉的工业生产方法。虽然掺杂Ｋ、Ａｌ、Ｓｉ的钨粉的生产方法与末掺杂的钨粉的生产方法基本相同，但仍有一些特别的区别要介绍。本文分析     

ZnO陶瓷材料的负阻特性

介绍了ＺｎＯ陶瓷的负阻特性，主要研究了ＭｎＯ２掺杂和Ｎｉ２Ｏ３掺杂对ＺｎＯ陶瓷负阻特性的影响。     

Mg基贮氢合金性能的改进

Ag掺杂的机械合金化Mg2Ni粉末吸氢性能的改进 贮氢合金可划分为AB型、AB2、A2B和AB5型四大类，在为数众多的合金之中以A2B型Mg2Ni金属间化物具有最高的吸氢能力（吸氢容量高达3．6％（质量）），作为贮氢材料是很有发展前途的。但是它的低吸氢／脱氢速度而限制了它的实际应用。机械合金化能够成功地制备金属氢化物，对原料进行机械研磨不仅能使其粒度减小并且能引入缺陷浓度和增加新鲜表面，从而改进吸氢性能。在机械合金化过程中添加Al、Ti、Zr等元素产生晶格应变也可改进合金的贮氢性能。     

p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究

利用SIMS和变温霍尔测量手段对P型Hg0.77Gd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究。结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的，掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的，掺杂后，P型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小，从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定。     

0.1微米以下晶体管对传统概念的挑战

晶体管在集成电路中占据着中心的位置,在“开”、“闭”两种状态下都要消耗能量:开路时,电流从源极流向漏极;闭路时,栅极和沟道之间存在的电荷泄漏同样也会形成电流。对较大尺寸(1微米)的晶体管来说,这种静态电流只占到整体能耗的0.01％,而在0.1微米以下的晶体管中,这种电流造成的能耗已占全部能耗的10％。对便携设备来讲,不但要有更小的设计尺度,消费者还要求电池能用更长的时间。     

ZnO压敏陶瓷最佳掺杂含量的理论计算

从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到ZnO陶瓷材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系，给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系，进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。系统地分析了ZnO压敏陶瓷的掺杂改性的实验结果，应用此表达式定量计算了ZnO压敏陶瓷的最佳掺杂含量，定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算。