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对掺氟化镨玻璃光纤放大器的小信号增益,用广义的高斯近似公式可获得精确的分析表达。文中研究了限制光纤芯层中央部分的镨掺杂对光纤放大器特性的影响,结果发现限制镨掺杂分布能改进光纤放大器的工作效率,且截止波长比芯层全部均匀掺镨的光纤更长。 相似文献
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颜一凡 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):289-291
证明了分配系数d是气相浓度Xp(g)的解析函数,其系数由a-Si:H生长期间界面上固/气相平衡反应常数决定。d这种性质致磷掺杂固相效率可藉助Xp(g)进行解析计算。 相似文献
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用有效质量理论研究了δ掺杂势中电子和空穴的行为。发现能量接近于δ势垒峰的空穴穿越势垒时能产生一系列谐振态。这些状态中的空穴波函数汇聚在势垒峰周围而同量子限制在势阱中的电子波函数交叠,产生光跃迁。用MBE生长的δ掺杂样品进行光调制光谱测量,发现明显的带间跃迁峰。测得的光谱峰同理论计算的能级相吻合,证实了δ势垒中空穴的新行为。 相似文献
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湿化学法制备纳米ATO导电粉 总被引:19,自引:0,他引:19
采用非均相成核法 ,在Sn(OH) 4 晶种上均匀生长Sb掺杂Sn(OH) 4 ,制备纳米ATO粉末。以电阻测定系统研究了合成条件如掺杂浓度、反应温度、pH值、SnCl4浓度等对最终粉末电阻性能的影响。以TG DSC热分析、XRD、TEM等手段研究了晶粒生长过程 ,XRD显示为四方金红石型结构 ,平均粒径为15nm。当Sb/Sn(mol比 ) =0 .0 5 ,pH =2 ,T =60℃ ,SnCl4=1.2~ 1.8mol·L-1时 ,粉体电阻小于 0 .5Ω。 相似文献
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