泡生法生长KYb(WO4)2晶体及其结构与光谱性能

对顶部籽晶提拉法(TSSG)进行了改进,采用泡生法生长KYb(WO4)2晶体(简称KYbW),以0.05℃/h的速率降温生长,转速5~10 r/min,生长周期10~15 d,降温速率15~20℃/h。研究了KYbW晶体的结构,给出了两种晶胞的选取方法。通过晶体的X射线衍射(XRD)谱,计算出晶体的两种晶格常数分别为a=1.061 nm,b=1.029 nm,c=0.749 nm,β=130.65°;a′=0.807 nm,b′=1.029 nm,c′=0.749 nm,β′=94.34°。测得晶体的吸收光谱,结果表明其吸收带在920~1000 nm,计算出主吸收峰981 nm处的吸收截面为11.12×10-20cm2。测得晶体的荧光光谱,结果表明KYbW晶体在1007 nm和1037 nm附近都有较强的发射峰,主峰1037 nm处的发射线宽(FWHM)达13 nm,因此KYbW晶体可作为可调谐激光增益介质,计算出1037 nm处的受激发射截面积eσm=3.4×10-20cm2。     

Crystal Growth and Spectral Properties of Yb~(3+)∶KY(WO_4)_2

Diode pumpedsolid statelasers(DPSSL)based onYb3+dopedlasermediaaresuperiortotheDPSSL,basedonNd3+dopedinsomeapplications.Microchip lasercanbedevelopedbyYb3+dopedlasermaterial,whichisveryimportantforintegration,smallsize,andcompactnessofLDpumpedsolid statelaser[1～3].InYb3+∶KY(WO4)2(Yb∶KYW),Yb3+replacesY3+,whichdecreasesradiusdislocation,andhenceYb3+canbedopedwithhighconcentration[4].Compared withYb∶YAGandYb∶YCOB,Yb∶KYWhashighab sorptioncoefficient,lowquantumdefect,highabsor…     

紫铜/Al_2O_3陶瓷/不锈钢复合结构钎焊接头残余应力研究

采用有限元数值模拟的方法研究AgCuTi钎焊紫铜/Al_2O_3陶瓷/不锈钢复合结构的形变和残余应力分布情况,并对模拟结果进行实验验证。结果表明:残余应力主要分布在接头区,并且该区形变较小。陶瓷端的残余应力对接头性能影响较大,由于线膨胀系数差异过大,不锈钢陶瓷侧易产生裂纹缺陷,接头倾向于在该区域断裂,紫铜侧陶瓷端TiO反应层的形成导致该区域裂纹的出现,降低了接头的性能。研究各应力分量对最终残余应力的贡献,结果显示环向应力和轴向应力在陶瓷端所产生的拉应力是造成接头强度降低的主要因素。接头拉剪实验表明,接头主要在靠近不锈钢侧的陶瓷端断裂,验证了模拟结果的准确性。     

KLN晶体的生长及其结构性能的研究

以顶部籽晶（ＴＳＳＧ）法生长出透明的滑有开裂的ＫＬＮ晶体,采用场冷法对晶体进行极化,测试ＫＬＮ晶体Ｘ－射线衍射图,并计算晶格常数,测试ＫＬＮ晶体的红外透射光谱,研究影响ＫＬＮ晶体产生开裂和失透的原因和克服措施,经过倍频得到波长为４４１ｎｍ的蓝光。     

Nd:NaBi(WO4)2晶体生长

采用Czochralski法生长出尺寸为φ8mm×20 mm的掺钕的钨酸铋钠[分子式:Nd:NaBi(WO4)2,简称:Nd:NBW]激光晶体,研究了生长工艺参数对Nd∶NBW晶体结构完整性的影响,确定了最佳的生长工艺参数:轴向温度梯度为0.7～1 ℃/mm,生长速率0.2～0.5 mm/h,晶体转速1～4 r/min.并利用了X射线衍射确定了Nd∶NBW晶体属于四方晶系,I41/a空间群,其晶格常数为a=0.527 5 nm, c=1.149 3 nm.通过TG-DTA分析了Nd∶NBW晶体的相关物理、化学性质,确定了其熔点为936.2 ℃,并与纯的钨酸铋钠晶体(分子式:NaBi(WO4)2,简称:NBW)进行了对比性研究.     

Bi_(1,7-X)Pb_(0.3)Sb_xSr_2Ca_2Cu_3O_(10)的制备及超导电性研究

本文采用差热分析研究了Bi_(1,7-x)Pb_(0.3)Sb_xSr_2Ca_2Cu_3O_(10)(x=0.05;0.10;0.15;0.20)系统的烧结工艺,研究了元素Sb的置换对该体系超导电性的影响,少量Sb的置换有利于110K相的快速生成,减少反应时间,同时,由于Sb~(3+)的离子半径小于Bi~(3+),置换量过大则会导致大量的杂相生成而降低体系的T_c.     

钽酸锂晶体波导基片光损伤的研究

用硅钼棒作加热体，用熔体提拉法生长了ＬｉＴａＯ３晶体，晶体的双折射梯度可达１０＾－５ｃｍ＾－１数量级。用质子交换法制作了ＬｉＴａＯ３光波导基片，其抗光损伤能力高于ＬｉＮｂＯ３，是优良的杨光学和非线性光学材料。     

大截面溴化钾晶体生长工艺研究

对溴化钾原料进行纯化、成型与热处理,制备出?200 mm×20 mm的多晶料。采用电阻加热Czochralski法,在合理的温场下生长出了?140 mm×100 mm的溴化钾单晶。为了有效解决了放肩过程中晶体表面裂纹等问题,采用了一控(水温)、双变(拉速、转速)微提拉放肩新工艺生长晶体。X射线衍射分析表明,生长的晶体为立方晶系的KBr,空间群Fm3m,晶格常数为a=0.6599 nm。分析了晶体中相互作用力及能量关系,认为溴化钾晶体质点间的相互作用不仅存在离子键的相互作用,同时还存在三体力及Van der Waals力的作用。根据半经验公式计算出熔融状态下的溴化钾的配位数为4。另外,晶体的透光性能测试表明,厚度5 mm的样品的透射率为90%。     

影响湿法FGD吸收剂溶解特性因素分析

国内湿法FGD的吸收剂通常为钙基化合物,如CaCO3、CaO和Ca(OH)2,而石灰石是最常用的脱硫吸收剂。石灰石本身性质及添加剂都会对吸收剂溶解特性有一定的影响。