Bi0.75Sr0.25MnO3的多铁性

采用溶胶-凝胶的方法制备了Bi0.75Sr0.25MnO3化合物,并对其结构、磁性质、铁电性进行了研究。X射线衍射结果显示样品为单相钙钛矿结构,电阻率和差热实验证实了样品在590K的温度附近发生了电荷有序相变。磁性质测量表明样品在低温下（5K）为铁磁性。电滞回线测量显示样品在室温下最大的剩余极化强度Pr为4．47×10^-3／μC／cm^2分析表明：样品中的多铁性来源于Bi^3＋的缸。孤对电子和电荷有序相变导致的晶格畸变效应。     

兆瓦级三电平永磁直驱风力发电系统仿真研究

基于永磁同步发电机(PMSG)数学模型,采用双三电平PWM结构的全功率变换器;机侧采用转子磁链定向的矢量控制技术并结合PMSG较为常用的零d轴电流控制方案,提高了系统效率;基于电网电压定向,网侧变换器应用电压电流双闭环控制策略;在Matlab/Simulink仿真环境下建立了直驱式永磁同步风力发电系统的仿真模型,包括:SVPWM矢量控制模块,零d轴电流控制模块,abc到dq坐标变换模块,电压补偿模块。对风速阶跃变化时系统运行情况进行了仿真,结果验证了该模型的合理性及控制策略的正确性和可行性。     

虚拟图文包装系统在“直播钱江潮”节目中的应用

本文通过对传统虚拟演播室技术的分析和对目前最新的虚拟图文包装系统的技术应用的研究,并结合Mariana.VG虚拟图文包装系统在浙江卫视的2011年"直播钱江潮"节目中的设计和应用,有针对性地解析了一种全新的应用,在实景演播室拍摄中植入虚拟三维物体和图文,以"虚""实"相结合的、新颖的节目拍摄和制作方式,以及需要注意的一些问题。     

Zn-Al涂层腐蚀电化学行为研究

通过电化学交流阻抗谱(EIS)研究了Zn-Al涂层在铜加速醋酸盐雾试验中的腐蚀行为,建立了等效电路模型并分析了相关电化学参数随时间的变化规律。采用扫描电镜及能谱仪分析了涂层腐蚀后的形貌及成分组成,阐释了电化学参数的演变规律。结果表明,盐雾试验中Zn-Al涂层的腐蚀由电化学反应控制逐渐转变为扩散控制,最后进入基体腐蚀阶段。     

珠海航模器材产业标准化现状及对策研究

文章深入调查珠海市航模器材产业基本情况,分析了航模器材产业的标准化现状,进行了相应的对策研究。     

不同Ⅴ/Ⅲ族元素比对m面GaN薄膜性能的影响?

采用分子束外延( MBE)方法在蓝宝石衬底上外延生长m面GaN薄膜。利用原子力显微镜( AFM)、扫描电子显微镜( SEM)分析薄膜表面形貌,发现Ⅴ/Ⅲ族元素比从1∶80降低到1∶90时,外延膜表面均方根粗糙度从13.08 nm降低到9.07 nm。利用光谱型椭偏仪研究m面GaN薄膜,得到了m面GaN薄膜的厚度、折射率和消光系数。拟合结果显示,GaN样品厚度和理论值一致,且Ⅴ/Ⅲ族元素比为1∶90时,所得外延膜折射率较低,透射率大。两种测试方法表明,Ⅴ/Ⅲ族元素比较小的样品晶体质量高。     

单辊急冷甩带法制备Ag-22.4Cu-20Sn钎料合金组织性能研究

为解决Ag-Cu-Sn系钎料合金显微组织粗大的问题,并改善其力学性能和钎焊性能,采用单辊急冷甩带法制备厚0.2 mm,宽12 mm的Ag-22.4Cu-20Sn钎料薄带,通过使用差示扫描量热仪、X射线衍射仪、SEM及能谱仪对该钎料薄带的熔化特征、相组成以及显微组织进行了分析。采用Ag-22.4Cu-20Sn钎料薄带进行铜板和镍板的铺展性试验和搭接钎焊试验。结果表明:单辊急冷甩带法制备的Ag-22.4Cu-20Sn钎料薄带由亚稳相α-Ag、Ag_4Sn、Cu_(41)Sn_(11)金属间化合物组成,钎料合金显微组织为细小的等轴晶组织。Ag-22.4Cu-20Sn钎料薄带在铜板、镍板上润湿良好。钎接接头均形成了冶金结合,接头拉抗剪强度较高,均满足工程实际要求。     

我国绿色消费战略研究

绿色消费是我国生态文明建设与持续发展的重要组成部分。要推进绿色消费,首先应厘清我国进一步的发展路径。我国下一阶段的发展重点应由量转质,所对应的绿色消费,本质上应是一种精致、适度、重视精神提升的消费模式。本文结合我国现状,明确绿色消费理念,基于这一理念提出相关政策建议。     

多维度优化提升LTE用户感知

针对目前4G网络中深度覆盖不足、系统干扰频发、容量受限等问题,从多个维度入手,通过基础优化、技术创新、场景化设置等技术手段,在算法、参数、流程等方面进行了大胆创新,提升了TD-LTE的网络质量,改善了用户感知。     

不同V/III族元素比对m面GaN薄膜性能的影响

摘要：采用分子束外延（MBE）方法在蓝宝石衬底上外延生长m面GaN薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜表面形貌,对比分析结果,发现V/III族元素比从1:80降低到1:90时,外延膜表面均方根粗糙度从13.08nm降低到9.07nm。利用光谱型椭偏仪研究m面GaN薄膜,通过物理模型建立和光谱拟合得到了m面GaN薄膜的厚度、折射率和消光系数。拟合结果显示,GaN样品厚度和理论值一致,且V/III族元素比为1:90时,所得外延膜折射率较低,透射率大。两种测试方法的结果表明,V/III族元素比较小的样品晶体质量高。