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采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献
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东濮凹陷地质三分性与沙三期沉积古地理 总被引:1,自引:0,他引:1
东濮凹陷构造与沉积明显分为2个阶段:沙三段沉积时期和沙二段-东营组沉积时期。沙三段时期,东濮地区发育濮阳湖和东明湖。濮阳湖受兰聊、五星集-六塔断层活动控制,形成深水湖相-浅水盐湖相的暗色泥岩与盐岩、砂岩韵律,是现今油气最丰富的领域,盆内二级断层——杜寨断层、石家集-马寨断层、濮西断层的相继发育控制沉积中心的分布;东明湖是受兰聊断层活动控制的箕状凹陷,因补偿速度快,仅形成浅一半深水的砂泥岩韵律,生油岩发育质量差,现今的西洼南部地区是上述两湖泊的边缘,基本无生油岩发育。沙二段-东营组时期,长垣、黄河、文东、文西等断层强烈活动,形成两洼-隆一斜坡的构造格局,彻底改变了沙三期的沉积古地理,形成多个洼陷和多个沉积中心。 相似文献
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砂岩酸化中水化硅沉淀的影响因素分析 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了砂岩酸化中产生水化硅沉淀的反应机理。使高岭土与1.0%HF和多种配比的HCl HF在不同温度(20-90℃)反应不同时间(10-300分钟),用等离子吸收光谱法(ICP)测定酸液中可溶性硅的浓度(mg/L),取某时段测定值的减小量为该时段水化硅沉淀生成量,讨论了多种因素的影响,得到了如下结果和结论。反应温度越高,则高岭土与HF之间的反应越快,形成水化硅沉淀的时间越短,最终生成的沉淀量越大;在HF中加入HCl(使用土酸体系)、减小土酸中HF质量分数、加大土酸中HCl、HF质量分数比,均可使生成沉淀时间延后,使最终生成沉淀量减少。60℃时300分钟沉淀量,在1.0%HF、5.0%HCl 1.0%HF、9.0%HCl 1.0%HF中分别为482、321、201mg/L。提出了在酸化设计与施工中可以采取的6条简便易行的减少水化硅沉淀量的措施。图4表1参6。 相似文献