斜射流对壁面传热特性影响的仿真分析

冲击射流是一种传热效率极高的方式,采用数值分析方法模拟了单束射流不同倾角条件下的冲击冷却过程,定量讨论了射流流场对壁面传热特性的影响,发现射流流速与滞止区和壁面射流区的传热性能具有强相关性.为此设计了组合式射流冲击冷却模型,仿真验证发现,在多喷嘴协同作用下,组合式射流继承了单束直射流和斜射流的优点,在保证滞止区传热效率...     

高超声速轴对称机身-机翼布局翼身干扰分析

为研究高超声速轴对称机身-机翼布局的翼身干扰特性，选择窄条翼和中单翼两种典型组合体布局作为研究对象，从流场和气动力两个方面对其进行系统研究。结果表明：相比于无机翼干扰的轴对称机身，位于机翼斜激波区的机身腹部压力更高，且机翼阻断了高压气流的“上洗”运动，减小了机身背风面压强，机身获得了更多升力；相对于无机身干扰的机翼，中单翼由于与头锥激波发生干扰获得更多升力，而窄条翼处于膨胀区内，其升力小于无翼身干扰时窄条翼升力；机身-机翼布局的升力大于单独机翼与单独机身的升力总和。     

WYY1压力水位计在乌江渡水情自动测报系统中的应用

1 概述 乌江渡水电站装机容量为3×210MW,水情自动测报系统由南京水利水文自动化研究所研制建设,并于1993年12月移交乌江渡发电厂进行运行管理,系统规模为1:4:17。在该系统中,6个水位站使用南京水利水文自动化研究所的WFY型浮筒式水位计。在6个水位站中,尾水位站测井建在坝体导墙上,引水口正处于发电机出水口,又无任何消浪设施,波峰谷差达40cm,致使浮简式水位计的传动钢带经常卡带,编码器卡轮,维修更换频繁。为了校核泄洪流量,于1996年在距大坝1km处新建一测井,由于设计、施工原因,消能处理不太理想。     

云环境下代理加密模糊检索研究

针对云环境下现有的加密模糊检索算法存在着存储容量需求过大的问题,提出了基于局部敏感哈希技术的代理加密模糊检索算法。该算法首先将文件     

含分布式发电的微电网中储能装置容量优化配置

由于分布式发电的随机性、间歇性,含分布式发电的微电网很难满足电网接入的要求。若在微电网中配置合适容量的储能装置,并对其采取适当控制方法,不但可以平滑分布式发电的输出功率,而且可以达到对微电网负荷削峰填谷的作用。提出了应用上下限约束法以及加权移动平均控制法,以满足微电网的接入要求为前提,以最小储能配置容量为目标,对混合储能装置进行容量优化配置的方法。仿真结果表明,所提方法不仅能够使分布式发电出力满足微电网要求,并可以实现对储能容量的优化配置。     

极点配置问题算法的改进

本文在证明了定理2的基础上,改进了多输入系统的极点配置问题的算法,使计算量大为 减少.由于观测器的设计也化为一个极点配置问题,本文提出的算法也简化了观测器的设计.     

企业信息系统的分析与体制建设

<正> 一、前言企业管理是一门科学,是一种特殊劳动。它所研究的对象是如何认识和掌握企业生产经营活动的客观规律,以及科学地组织并指导企业的生产经营。随着科学技术的发展,以微电子技术为核心的新技术革命为企业的生产经营活动增加了活力,使企业的信息更加灵通,生产更上一层楼。同时,在企业管理中也增加了一项新内容——企业现代化管理信息系统,即电子计算机管理信息系统CMIS     

基于多重异质图的恶意软件相似性度量方法

现有恶意软件相似性度量易受混淆技术影响,同时缺少恶意软件间复杂关系的表征能力,提出一种基于多重异质图的恶意软件相似性度量方法RG-MHPE （API relation graph enhanced multiple heterogeneous ProxEmbed）解决上述问题.方法首先利用恶意软件动静态特征构建多重异质图,然后提出基于关系路径的增强型邻近嵌入方法,解决邻近嵌入无法应用于多重异质图相似性度量的问题.此外,从MSDN网站的API文档中提取知识,构建API关系图,学习Windows API间的相似关系,有效减缓相似性度量模型老化速度.最后,通过对比实验验证所提方法RG-MHPE在相似性度量性能和模型抗老化能力等方面表现最好.     

基于国产单晶衬底的150 mm 4H-SiC同质外延技术进展

高阻断电压、大功率密度、高转化效率是电力电子器件技术持续追求的目标,基于4H-SiC优异的材料特性,在电力电子器件应用方面具有广阔的发展前景。围绕SiC MOSFET器件对外延材料的需求,介绍了国内外主流的SiC外延设备及国产SiC衬底的发展,并重点介绍了宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室在国产150 mm(6英寸)SiC衬底上的高速外延技术进展。通过关键技术攻关,实现了150 mm SiC外延材料表面缺陷密度≤0.5 cm^-2,BPD缺陷密度≤0.1 cm^-2,片内掺杂浓度不均匀性≤5%,片内厚度不均匀性≤1%。基于自主外延材料,实现了650～1 200 V SiC MOSFET产品商业化以及6.5～15 kV高压SiC MOSFET器件的产品定型。