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61.
超细鳞片石墨制备可膨胀石墨工艺及影响因素 总被引:2,自引:0,他引:2
以325目超细鳞片石墨为原材料,K2Cr2O7为氧化剂,浓H2SO4为插层剂,用化学氧化法制备可膨胀石墨(EG),通过正交试验法筛选出最优配方及工艺条件,即m(石墨)誜V(98%H2SO4)誜m(K2Cr2O7)=1誜3誜0.3,反应温度30℃,反应时间15 min,膨胀容积45 mL/g。制取最大膨胀容积EG的最优工艺条件和石墨粒径有关,用小粒径石墨制备EG比用大粒径石墨制备EG需要的氧化剂的量多,完成插层反应所需的时间短。 相似文献
62.
63.
山阳县刘家峡金矿床矿体受北东—南西走向断裂构造控制,断裂构造呈等间距平行排列,在以北东向为主的断裂构造与早期近东西向节理密集带发育交汇部位富集成矿,节理发育程度越强,金矿化蚀变越强,金品位越高。矿体沿走向和倾向均呈透镜状产出,具有雁列展布、尖灭再现的特征。矿床硫同位素组成与花岗岩的硫同位素组成基本一致,反映刘家峡金矿的硫来自深源岩浆流体;Sm-Nd同位素年龄为(140.3±3.3)Ma,矿床成矿时代厘定为早白垩世,其成因类型为“浅成低温热液型”。根据矿床找矿标志及产出特征建立了矿床综合找矿模型,通过对矿床外围及深部地质特征的分析,类比已知矿带成矿控矿条件认为矿床外围及深部仍具有较大的找矿潜力,今后工作中需要重点关注。 相似文献
64.
相变存储器测试系统中的脉冲信号的改善 总被引:1,自引:0,他引:1
相变存储器测试系统由于PCI控制卡中的总线信号之间的串扰,严重影响了施加在器件单元上的波形;以保证对C-RAM(Chalcogenide-Random Access Memory)进行非晶化操作时脉冲信号下降沿的速度和整个信号的完整性,针对以上问题分别从串口与单片机通信控制继电器和利用PCI控制卡控制继电器两个方面提出了解决方案,并进行了相应的硬件电路和软件设计;结果发现非晶化操作时脉冲信号下降速度加快,并且消除了信号的失真;改善后的测试系统对器件一致性的参数的提取发挥了重要作用,为芯片的电路设计奠定了基础. 相似文献
65.
主体结构冬期施工中如不采取有效措施或措施不当,使混凝土遭受冻害,将会给工程质量造成事故。因此必须根据混凝土冻害的机理和规律,正确使用防冻剂。对主体结构冬期施工中防冻剂的应用要点进行了分析。 相似文献
66.
67.
制备了WO3·0.33H2O及其插层石墨的复合材料(GIW),对材料进行了相应的表征,并比较了WO3·0.33H2O和石墨插层复合材料的光催化性能,发现WO3·0.33H2O石墨插层复合材料在紫外光下具有较之WO3·0.33H2O更优越的光催化性能.通过XRD、XPS、FT-IR、HRTEM等测试手段,分析了WO3·0.33H2O和GIW的晶相、微观结构,结果表明插层材料保持了WO3·0.33H2O的晶相,且WO3·0.33H2O被层状石墨包覆,有利于电子的转移;伏安循环法测试材料的氧化还原电位表明插层材料具有更负的导带位置. 相似文献
68.
本文研究了聚偏氟乙烯和三氟乙烯的铁电共聚物P(VDF/TrFE)的铁电弛豫现象,并讨论了铁电弛豫异常想象.比较了VDF不同含量的共聚物在辐照前后铁电性能的改变,电子辐照大大改变了聚合物样品的性能,使VDF含量52%和70%的样品出现了明显的铁电弛豫现象,但发现在VDF含量为80%的样品中存在一种铁电弛豫异常现象:铁电居里峰随着频率的升高而向低温端移动.研究样品的二氟乙烯(VDF)的摩尔含量在52%~80%之间. 相似文献
69.
采用自制镀铬药剂,在1060℃×4h完成H13钢表面镀铬工艺过程;并对镀层进行磨损试验、硬度测试、耐腐蚀性试验和抗高温氧化性试验.结果表明,与未镀铬H13钢相比,表面镀铬的H13钢硬度显著提高,耐磨性和抗高温氧化性均得到明显改善,在NaCl溶液中的腐蚀电位大大正移,从而耐腐蚀性显著提高. 相似文献
70.
研究了六种含有不同夹杂物曲轴钢的车削性能,开展了车削刀具磨损试验,并在线采集切削力,刀具后刀面磨损VB值和工件表面粗糙度每20min记录一次。通过扫描电镜和能谱仪对刀具磨损机理进行研究,同时用光学显微镜测量表面完整性。刀具磨损初期以磨粒磨损和涂层剥落为主;刀具进入稳定磨损阶段,出现崩刃和积屑瘤,崩刃引起的破损是刀具磨损加剧进而失效的主要原因。以氧化铝形式存在的铝夹杂物在车削中加剧了破损,使刀具寿命和表面完整性恶化。选用锰夹杂物作为固体润滑剂,延长了刀具寿命,提高了曲轴钢的切削性能。在曲轴钢的车削过程中,表面完整性与刀具磨损密切相关,刀具磨损越小,表面粗糙度越低,加工质量越好。 相似文献