FPGA单粒子效应的脉冲激光试验方法研究

通过测试基于静态随机存储器（SRAM）的现场可编程门阵列（FPGA）芯片的单粒子效应,研究脉冲激光的试验方法,评估脉冲激光试验单粒子效应的有效性。研究表明,激光光斑聚焦深度和激光注量是影响脉冲激光单粒子效应试验的重要因素。试验发现,脉冲激光在较高能量时,单个激光脉冲会触发多个配置存储位发生单粒子翻转,造成芯片饱和翻转截面偏大。激光辐照芯片时,观察到芯片的内核工作电流以1～2 mA的幅度逐渐增加,在此期间器件工作正常。试验获得了Virtex 2 FPGA芯片的静态单粒子翻转截面和翻转阈值。通过对比激光与重离子的试验结果发现,二者在测试器件单粒子翻转方面基本一致,脉冲激光可有效研究芯片的单粒子效应特性。     

130 nm SOI D触发器链空间静电放电效应和单粒子效应对比试验研究

空间静电放电效应（SESD）和单粒子效应（SEE）是卫星设备异常的两个重要原因,但难以精确判断航天应用中产生的故障是由何种效应所导致。以130 nm SOI工艺D触发器（D flip flop）链为试验对象,利用静电放电发生器和脉冲激光试验装置,通过改变辐射源能量、测试模式、拓扑结构以及抗辐射加固结构等试验变量,试验研究SESD和SEE引起软错误的异同规律特征,其试验结果可为故障甄别及防护设计提供支撑。     

重离子单粒子效应实验研究

在HI—l3串列加速器上建立了对微电子器件进行单粒子效应模拟实验的辐照和检测技术。利用该Q3D磁谱仪获得种类和能量单一、强度分布均匀且足够弱的重离子辐照源，利用散射室内的半导体探测器和焦面上的位置灵敏半导体探测器监测辐照离子。用该装置和技术测量了在8个传能线密度(LET)值的重离子辐照下引起的几个存储器器件的单粒子翻转（SEI）截面o(L)。从测得的o(L)——LET曲线，结合空间重离子和质子辐照环境模型以及离子与微电子器件相互作用模型计算，预言了器件在空间的单粒子翻转率。     

自动化技术在机械设计制造中的应用

本文介绍了全球制造业的发展趋势及未来的发展前景,着力阐述了自动化技术在机械制造的应用,分析自动化技术及机械制造业的发展趋势。     

25t焊接变位机焊接地线导电装置改造

介绍分析了25t焊接变位机在焊接地线导电装置设计中的问题，提出了解决问题的方案，给出了具体的实施方法以及使用效果。     

keV量级的N＋注入引起的氨基酸 分子损伤

利用电子顺磁共振和红外光谱研究了keV级N     

锅炉和压力容器焊接质量的控制与管理

根据锅炉和压力容器企业多年的技术生产管理经验,从质量控制的5个要素(人、机、料、法、环)对焊接质量控制和管理进行简单概述。介绍了焊材供货厂家评审和定点采购、产前试样检验、焊接质量的可追溯性控制、焊接质量控制点、停留点和见证点控制以及焊接工艺纪律检查等质量控制措施。     

一种新型脂环族环氧树脂的合成及性能研究

针对TTA3150、EHPE-3150等多官能团环氧树脂制备成本高问题,提出了一种新型脂环族环氧树脂合成制备方法,在常规制备工艺的基础上,通过使用新的原料组成制备新结构固体环氧树脂材料,其热稳定性、耐老化、透光率、粘结性能良好,制备成本显著低于TTA3150型环氧树脂制备成本,具有良好的技术效益和经济效益。     

基于脉冲激光单粒子效应的二次光斑研究

脉冲激光可有效模拟重离子触发芯片的单粒子效应。本工作在应用背部激光试验方法辐照芯片时观察到了二次光斑现象,通过Si衬底和Si晶圆片研究了芯片单粒子效应实验中二次光斑的成因。实验结果表明,二次光斑主要是由于激光在芯片有源区附近的金属布线层反射形成的。通过测量芯片的Si衬底厚度以及激光触发芯片单粒子效应时的聚焦深度,实验验证了二次光斑是在金属布线层区域形成的。