东濮凹陷户部寨地区下第三系储层构造裂缝分布规律预测

户部寨气田是由裂缝和孔隙双重介质控制的裂缝性致密砂岩气藏,受裂缝和储层发育程度的影响,不同部位天然气控制储量和气井产能差异很大。裂缝探测技术主要是测井和物探技术,从地球物理资料中识别和提取裂缝信息和相关参数。综合应用地震资料主曲率法、能量法、相干体技术、均方根振幅、最大振幅、正振幅数属性等方法对裂缝的分布进行了综合分析,对户部寨气田沙四段天然裂缝的分布规律进行了研究,对气田开发具有一定的指导意义。     

记忆山水、传承文化——以华蓥市清溪河滨河景观规划为例

本文尝试从城市风貌引导的角度切入,从华蓥市清溪河滨河景观规划实践角度出发,建立以生态、运动、艺术、文化等为主题的城市风貌片区,并在设计理念与设计策略上探索具有可操作性的规划实施办法。     

基于故障物理的MEMS可靠性研究

简要介绍了基于故障物理的MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems,微电子机械系统)可靠性研究方法和技术路线。以电容式RF MEMS开关为例,介绍了基于故障物理的MEMS可靠性研究方法的主要步骤,包括:采用多物理场3D有限元模型研究MEMS器件的行为,应用MEMS器件的行为模型和失效物理试验技术研究其失效机理,引入优值建立了通用的MEMS器件失效预测模型。     

四脚氧化锌晶须/氢化环氧树脂形状记忆复合材料的制备与性能EI北大核心CSCD

采用不同比例的四脚氧化锌晶须(T-ZnOw)与氢化环氧树脂(H-EP)共混,在聚丙二醇二缩水甘油醚(PPGDGE)和异佛尔酮二胺用量不变的前提下,经完全固化制备出一种新型的复合材料。通过动态力学性能测试、力学测试、红外光谱、扫描电子显微镜和U型形状记忆测试系统地研究了该体系的力学性能和形状记忆性能。实验结果表明,该体系复合材料的玻璃化转变温度最高可达到61.5℃,其力学性能比纯环氧树脂提高了15.87%。该试样具有良好的形状记忆性能,变形的试样几乎可以完全回复。     

学校建筑分区分时供暖的节能探讨

学校建筑的使用具有典型的时段性,进行分区分时供暖具有很大的节能潜力。以北京地区某高校为例,对传统供暖与分区分时供暖两种方式的供暖能耗进行了比较分析,结果表明,分区分时供暖节能效果显著,可降低近40%的供暖能耗,具有良好的经济效益和环境效益。     

数控机床动态特性优化

考虑了滚动结合面和主要固定结合面的影响,对机床进行模态分析和谐响应分析,找出了其薄弱模态;通过分析可知改变各结合面刚度对整机动态特性的影响,识别出对整机动态特性影响较大的结合面,并对这些结合面刚度值进行优化,提高了整机的动态特性.     

热等静压处理对铀表面铝镀层耐腐蚀性能的影响

采用热等静压(HIP)技术对铀表面铝镀层进行处理,利用电化学测试技术、扫描电镜(SEM)及X射线能谱(EDS)对样品在50 μL/L Cl-的KCl水溶液中的电化学腐蚀行为进行研究。结果表明：200 ℃, 0.5 h, 60 MPa HIP处理的铝镀层耐腐蚀性能优于未处理镀层;480 ℃, 1.0 h, 60 MPa HIP处理镀层的耐腐蚀性能下降较为明显;HIP处理后样品的腐蚀特征为典型的局部腐蚀,在腐蚀过程中会出现镀层的破裂、剥落     

纯钒的高温力学性能及断口特征

采用热等静压法制备了纯钒样品,测试了纯钒在700~1100 ℃下的高温力学性能,分析了高温拉伸样品的断口形貌、金相组织。结果表明,随温度的升高,纯钒的强度及韧性均呈下降趋势。700~800 ℃,纯钒具有较好的高温强度及韧性,断口为韧性特征;900~1100 ℃,纯钒的力学性能急剧恶化,断口上出现了大量的解理面及一定的由高温蠕变导致的韧性沿晶,呈现出韧脆断共存的微观形貌;温度升高,解理面有长大趋势。     

钨合金性能对侵彻影响的数值模拟

采用LS-DYNA有限元软件建立钨合金高速侵彻Q235钢板过程的有限元分析模型(FEM),获得钨合金弹头侵彻过程速度变化及钨合金弹头变形、损伤和破坏演变规律,系统研究钨合金性能对侵彻过程的影响,表明钨合金密度、屈服强度和失效应变对弹头侵彻速度和破坏方式有显著影响,而钨合金硬化参量和应变率敏感系数的影响相对较小。研究结果有助于加深钨合金侵彻过程的认识,同时为制备侵彻性能优异的钨合金也提供了理论依据。     

Ln(Ln=Gd3+,Cu+,Sm3+,Dy3+)助激活的Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+荧光粉的光谱特性和Eu2+的格位计算

采用高温固相法合成了掺杂Ln(Ln=Gd3+,Cu+,Sm3+,Dy3+)作助激活离子的氯硅酸镁钙荧光粉.通过X射线衍射(XRD)对Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+,Ln进行了表征.结果表明Ln的共掺杂并没有影响基质晶体的面心立方结构.所合成的荧光粉发射峰值位于507nm的绿光区.激发光谱在330~430nm之间均有较强吸收,与紫光InGaN芯片(395nm)相匹配.掺杂Ln作助激活荆增强了荧光粉的发光强度.借助Uitert经验公式计算出Eu2+在Ca8Mg(SiO4)4Cl2基质中占据八配位Ca(Ⅱ)格位.