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671.
672.
柠檬酸盐存在的酸性镀液qa(pH=4.0),通过改变[WO42-]/[Co2+]比值电沉积制备了Co-W合金薄膜.使用XRD对薄膜的微结构和相组成进行了分析,结果表明沉积态时,Co-W合金薄膜具有晶态结构;随着薄膜中Co、W含量的不同,薄膜从富Co的面心立方相向Co+Co7W6+Co3W共存相转变.采用FE-SEM对薄膜表面形貌和组成分析表明:Co-W合金薄膜中Co含量较高,随着镀液中[WO42-[Co2+]比值的增加,薄膜中W含量会增加,膜面逐渐变得致密;当镀液中[WO42-]/[Co2+]=0.5时,薄膜中W含量达到最大值,同时膜面上出现大量气孔.通过VSM对薄膜磁性能进行了测试,结果显示Co-W合金薄膜的易磁化轴平行于膜面. 相似文献
673.
674.
研究了含FeO的CaO-MgO-SiO2-FeO-Al2O3五元渣系的黏度预测模型,引入黏度的补偿效应,通过对前人的熔渣共存理论黏度预测模型进行改进,建立含FeO熔渣的黏流活化能和各结构单元之间的关系,模型计算的黏流活化能和拟合得到的数值吻合较好。根据补偿效应,利用模型计算的黏度值与实测值的误差在允许范围内。分析表明,随着渣中混合碱度w(CaO)/w(SiO2+Al2O3)和碱性氧化物(如MgO和FeO)含量的增加,熔渣黏度降低。另外,熔渣黏度随着温度的升高而降低,低温条件下,熔渣组分的变化对熔渣黏度的影响较大。基于本模型计算的参数值可用补偿效应代替前人模型中的Ai参数拟合值,使模型参数值整体减少。 相似文献
675.
阳离子光固化材料通常具有低收缩、化学稳定性好、高力学性能等优点。为发展阳离子光固化型墨水直写打印技术(DIW),以双酚A二缩水甘油醚(DGEBA)为主体树脂,通过对触变剂、光引发剂和活性稀释剂的研究制备了一系列阳离子DIW打印浆料,并研究了该体系浆料的可打印性以及力学性能。结果表明,气相二氧化硅的添加可以有效调节浆料流变性能,使其满足DIW打印要求。当异丙基硫杂蒽酮(ITX)与二甲苯基碘鎓六氟磷酸盐(IOD()摩尔比1:1)组成的光引发体系添加量为3%时,浆料固化速度最快。拉伸性能表征发现,打印样条的断裂伸长率随着OXT-BZ稀释剂的增加而增加,且拉伸强度保持在40 MPa以上,表现出优异的力学性能。通过对打印沟环器件的负载测试发现,该浆料对玻璃、铝合金等基材具有优异的附着性,可实现8 kg砝码的负载,展现了优异的力学性能。 相似文献
676.
为提高低碳钢的防护性能,采用一步电合成法在低碳钢上制备了硅丙烯酸树脂/CeO2涂层。采用塔菲尔极化曲线、电化学阻抗谱、接触角测量仪、SEM及EDS研究了主要电合成工艺参数(沉积电压、沉积温度、沉积时间等)及不同硅单体(乙烯基三甲氧基硅烷(A171)和乙烯基二甲基乙氧基硅烷(C6H14OSi))对涂层组成、结构以及性能(疏水性、耐蚀性等)的影响。结果表明,涂层最佳制备电压为-20 V,温度为50℃,时间为3 h,该条件下制得的涂层表面均匀平整,含有少量凹陷,疏水性最强,接触角达到110.5°;与基体相比腐蚀电流密度降低两个数量级,达到2.052×10-7 A/cm2。选用A171作为硅单体制备的涂层具有更优异的防污耐蚀性能,其接触角比使用C6H14OSi作为硅单体所制备的涂层大30.3°,腐蚀电流密度也降低了约两个数量级。 相似文献
677.
提出了一种新型无量化主-辅模糊控制方法,并将它与非线性动态逆方法结合,构成一类动态逆模糊集成控制方法。用此法在典型设定深度和初始条件下为某型鱼雷非线性系统设计了深度集成控制器,并在初始条件改变和内部参数摄动的情况下进行了仿真研究。仿真结果表明,用集成控制方法设计的鱼雷深度控制系统不仅具有良好的动、静特性,而且对系统初始条件或内部参数变化具有较强的适应性,较好地解决了空投入水鱼雷的深度控制问题。 相似文献
678.
为了保证段彩纱生产质量和风格,分析采用细纱工序牵伸方式生产段彩纱的影响因素,从隔距调整、细纱牵伸区调整、中间喇叭口位置固定、生产操作的规范性方面提出解决措施;详细阐述电子配色技术在段彩纱生产中的应用。指出:段彩纱风格的实现受纺纱器材专件以及纺纱工艺影响,尤其是锭差、工艺一致性和段彩规格设计的合理性;对三罗拉隔距、摇架隔距及细纱牵伸区进行调整,固定中间喇叭口位置,规范生产操作,能保证段彩纱风格的重现性及批量生产的稳定性;新型段彩纱是机器参数选择、段彩工艺设计及电子软件等多项技术的综合运用,用好电子配色技术,可实现段彩纱色彩与工艺的有机统一,使其面料呈现出千变万化的新颖性。 相似文献
679.
采用电化学噪声、扫描电子显微镜和掠射角X射线衍射等技术,研究电沉积电流密度(Jk)和镀液温度对Ni沉积层结构和电化学噪声能量(ED)的影响规律,并详细探讨沉积层结构与ED之间的关系。结果表明:ED主要反映电极表面状态的剧烈变化程度或局部阴极的反应速率,而不是反映整体阴极的反应速率;与Jk密切相关的Ni镀层初始成核/生长机制对ED产生显著影响。晶粒在异质基底上的成核(新相的形成)/生长过程对ED的影响远远大于薄膜晶粒的后续同质生长过程对ED的影响,能够加速电极表面状态剧烈变化的因素都能导致ED值的增加。 相似文献