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71.
为了解决LLC变换器在变频控制下电压增益范围较窄的问题,提出了一种基于滑模控制的混合控制策略.该控制策略结合了脉冲频率调制和移相控制的优点,在混合控制策略下,LLC谐振变换器能够根据增益大小切换模式.详细分析了LLC谐振变换器的工作原理以及工作特性,并给出滑模混合控制策略的具体实现方案.仿真结果证明了所提控制方法的可行...  相似文献   
72.
本文在归纳总结LLC谐振变流器现有同步整流技术的基础上对各技术的优缺点进行了详细的分析和比较,并提出了新型的一次侧电流采样方案以及一种应用于倍压整流结构的新型电流型同步整流技术。除此之外,本文还从电力电子系统集成的角度提出了新型的单封装结构同步整流技术解决方案。  相似文献   
73.
在简单分析三种基本谐振变换器的基础上,详细叙述了半桥串并联谐振变换器(LLC型)在f0〈f〈fr频率范围内的工作过程,通过Saber软件对不同负载情况下的工作过程进行了仿真,分析了它们之间差异。简单地比较了f0〈f〈fr〉f两个频率范围的工作情况,及工作于前一频率范围时的优势,并对电路设计中的主要参数对变换器工作的影响作了分析,最后给出实验结果。  相似文献   
74.
采用交错并联结构多相谐振型拓扑的DC-DC变流器具有更快的瞬态响应和更高的功率密度,因而非常适合作为电压整流模块(voltage regulator module,VRM)而为新一代微处理器提供电源,从而满足其飞速增长的高动态和高效率要求。为了解决交错并联结构多相谐振型VRM变流器在实际运用中遇到的控制难题,该文提出了一种新颖的控制策略思路。在任意情况下,该策略均能实现每一相驱动信号的频率自动跟踪一个中心频率而变化,并保持和该中心频率的相位角固定不变,从而在电路构造简单和低成本的优势下实现多相信号的调制。同时,该控制策略还具有极佳的可扩展性,易于构造成为任意相数从而配合主电路拓扑的需要。该文在给出了详细分析设计思路后,用频率高达1.1 MHz的实验结果和实际样机数据及波形验证了所提控制策略的有效性和实用性。因此,该新颖的控制策略非常有利于多相交错并联结构的谐振型VRM在新一代微处理器架构中的实际应用。  相似文献   
75.
一种改进的LLC变换器谐振网络参数设计方法   总被引:20,自引:0,他引:20  
对于LLC谐振式直流变换器,提出一种基波分析法结合时域仿真的改进型谐振网络参数设计方法。在LLC谐振式变换器的设计中,谐振网络参数的设计对于变换器的性能具有重要影响。该文在采用基波分析法对LLC谐振式直流变换器的电压增益特性、零电压开通(zero voltage switching,ZVS)条件、器件应力和谐振网络传输效率进行详细分析的基础上,指出基波近似分析方法不能准确反映谐振变换器电压增益特性的缺点,并提出一种基波分析法结合时域仿真的改进型谐振网络参数设计方法,给出其设计过程。基于所提出的方法设计的参数建立一台220 W的样机,实验结果证实了所提出改进型设计方法的正确性和可行性。  相似文献   
76.
针对多数文献对LLC谐振电路工作原理阐述的不够详细和贴近实际,详细阐述了LLC谐振电路的工作原理.该拓扑采用固定死区的互补调频控制方式,利用变压器的漏感和励磁电感,通过与谐振电容产生谐振,实现零电压开关(ZVS).结果表明,LLC谐振变换器具有转换效率高、EMI小等诸多优点,更适合开关电源的高频化和高效率的要求.  相似文献   
77.
文中采用时域分析法,描述了LLC谐振变换器每周期初始时刻谐振电感电流的近似表达式。估算结果表明谐振电感电流初始值仅与LLC谐振变换器的结构和输出电压有关。最后,通过仿真和实验验证了理论分析的正确性。  相似文献   
78.
随着电子产品越来越趋于高频化、模块化和集成化,小体积和高效性及低电磁干扰(EMI)成为研究的主要课题。因此,LLC变换器在高频开关电源领域得到快速的发展应用。为了提高电路的功率转换效率,文中设计了负载并联变换器。单一的输出负载浪费了电路的转换功率,而负载并联LLC变换器通过负载输出模块的并联,大大提高了电路的功率效率。通过Saber和Simplorer仿真软件进行仿真,得出该LLC变换器在不同负载和输入电压变化的情况下,能保持稳定的输出特性和良好的调节功能,而且开关管和二极管可以实现相应的ZVS和ZCS,验证了理论的正确和可行性。  相似文献   
79.
使用谐振/准谐振拓扑结构设计LED驱动电源,前级DC/DC变换电路采用磁集成的半桥LLC谐振变换器,后级恒流采用准谐振PWM控制的BOOST电路.充分利用谐振BOOST拓扑和LLC谐振变换器的高效率特性,提高电源效率和功率密度.介绍了电路基本结构和工作原理,讨论了两级电路的设计方法.在此基础上制作了样机,实验结果表明所给出的设计方案可行并且合理.  相似文献   
80.
为提高全桥LLC谐振变换器交错并联(FBLLC-SP)系统的效率,且使其理论损耗与实际运行损耗更贴近,对比Cascode型GaN HEMT向系统引入单体增强型GaN HEMT,并将其寄生参数引入到损耗模型中,建立了一种适用于单移相(SPS)开环控制和三移相(TPS)双闭环控制的FBLLC-SP系统精准损耗模型;给出最佳死区时间计算方法,并分析了FBLLC-SP系统在单移相(SPS)开环控制下的理论损耗,提出了不同模态GaN HEMT的暂态损耗和各种通态损耗的精准计算方法;搭建了FBLLC-SP系统损耗模型仿真系统。实验结果表明:本文损耗模型的损耗值比系统实际运行损耗最多高约0.6%,说明本文建立的精细化损耗模型可用于分析系统的实际运行损耗。  相似文献   
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