利用非光敏BCB树脂实现多芯片组件平坦化研究

多层布线和绝缘介质材料的引入使得多芯片组件的芯片表面形貌凸凹不平,采用旋涂介质膜实现芯片表面平坦是常用的平坦化方法.分别介绍了聚酰亚胺、旋涂玻璃膜和苯并环丁烯(BCB)的平坦化特性,论述了非光敏BCB树脂的平坦化工艺原理.在此原理的基础上实现了非致冷红外焦平面的读出电路芯片平坦化,表面台阶从1.39 μm下降到0.097 μm,平坦度达到93%.     

新型多功能漏电保护器芯片的设计

利用数模混合信号CMOS工艺实现了一种新型漏电开关保护器芯片.与传统的模拟电路保护芯片相比,这一芯片充分利用了数字电路带来的好处:降低了功耗,采用"定时延"方法大大提高了保护控制的精度,集成了电源的过压、过载保护功能以及自动重合闸功能,提供了适应不同应用环境的可编程性,同时对每一个输入的漏电信号都进行有效性检测,减小漏电保护器的误触发率,提高了抗干扰能力.     

8英寸 or 12英寸下一轮中国半导体投资热点之理性思考

媒介预测 在市场低迷、IT业界竞争激烈的情况下,为降低生产成本,国际上一些主要半导体厂商均积极投入12英寸晶圆厂的兴建工作中,预测,未来两年12时晶圆厂将新增建26座,且晶圆厂产能将上升64%.据Strategic Marketing Associates统计,现在已经有37座12时晶圆厂上线运转.其中有1/3生产内存芯片,不到1/3为晶圆代工厂,而约有1/4制造逻辑IC.新增建26座12时晶圆厂,大约有10座厂会在2005年进入量产,其余的则是在2006年进入量产.     

光刻技术新进展

[编者按]半导体技术经过半个多世纪的发展,现在仍继续遵循Moore定律保持着强劲的发展态势,片径已达300mm,并不断在向450mm迈进,据预测,在新技术推动下到2010年后直径将达到450mm.大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本成为IC产品发展的趋势,随着集成度的提高,芯片制造中最关键的制造工艺--光刻技术也面临着愈来愈多的难题.     

一种芯片研发项目度量

讨论了如何对IC项目和开发团队能力进行合理的度量和分析,以准确估计IC产品的交付情况,核心度量为项目进度、交付物规模、质量和成本。     

太湖之畔崛起IC产业高地海力士意法半导体合资芯片厂在江苏无锡开工奠基

2005年4月28日,意法"8英寸"及"12英寸"半导体工厂在无锡举行开工庆典,该项目是获得国务院核准的项目,目前是江苏省最大的外商独资项目.据业内人士透露,该项目的开工,预示着无锡离建设中国"硅谷"的梦又近了一步,无锡将以此确立在中国IC产业高地的地位.     

基于IP核的芯片级测试结构研究

分析了芯片级测试的特点以及与传统板级测试区别,对SOC测试结构的核心部分测试访问机制(TAM)和Wrapper进行了详细的论述,分析了系统级芯片的测试结构及其优化.     

几种CMOS VLSI的低功耗BIST技术

在分析全扫描内建自测试(BIST)较高测试功耗的基础上,总结出几种CMOS VLSI的低功耗BIST技术方案,包括减少待测电路(CUT)输入端的翻转次数、简化线性反馈移位寄存器(LFSR)结构、部分扫描低功耗BIST方法等.分析结果表明,这些方法不但在保证测试覆盖率的条件下,降低了测试平均功耗和峰值功耗,而且综合应用这几种方法将会使系统功耗指标达到最佳.     

综合新闻

2005上半年我国电子专用设备整体增速减缓今年上半年我国电子专用设备全行业经济继续增长,但受国家宏观调控和上半年电子信息产品市场的影响,经济运行的增速明显减缓。除出口交货值出现快速增长和利润出现负增长外,其他各项主要经济指标都呈现平稳的发展态势。今年上半年行业的亏损企业和亏损总额都比去年上半年有所增加,也影响了行业的经济效益的提高。今年下半年全行业在太阳能电池片、液晶显示     

一种新型低功耗多功能漏电保护器芯片的设计

提出了一种新型漏电保护芯片,使用0.6μm CMOS工艺、数模混合信号设计.与传统的漏电保护芯片相比,该设计功耗低(10mW),数字延时响应确保控制保护的精确性,且实现了多功能集成(如漏电/过压/过流的检测与保护,自动切换).此外通过可编程端,该芯片可以用在三级保护的不同场合,同时运用数字电路对输入信号的检测,提高了芯片的抗干扰性.