基于UG环境下齿轮库系统建立

以齿轮为研究对象,分析其齿廓特点,实现了齿轮模型的完全参数化。综合运用编程法和电子表格法建库的优点,建立了一个简单的齿轮零件库,极大地方便了齿轮零件的调用,提高了设计效率。通过对设计参数的读取,完成了齿轮模型的参数驱动。建立了齿轮库系统,其能快速、敏捷化设计齿轮零件。     

纳米CeO_(2p)对镍基高温合金表面NiCoCrAlY激光熔覆涂层氧化行为的影响

纳米CeO2p是合金中最为常用的一种稀土改性材料,可明显改善合金的抗氧化性能.为了研究纳米CeO2p对双层热障涂层中NiCoCrAlY粘结层抗氧化性能的影响,本文采用激光熔覆技术,在镍基高温合金表面卜制备了4种纳米CeO2p含量不同的NiCoCrAlY粘结涂层,分析了它们在1050℃空气氛围中的等温氧化行为,并初步探讨了纳米CeO2p的作用机制.结果表明:添加纳米CeO2p的涂层的抗氧化性能均高于未加纳米颗粒的涂层,其中添加2%(质量分数)纳米CeO2p的涂层抗氧化性能最好.在氧化100 h后,添加2%纳米CeO2p涂层的质量增加仅为1.56 mg/cm2,较未加纳米颗粒的涂层减少一半以上;同时,涂层进入稳态氧化所需要的时间极短,仅为未加纳米颗粒的涂层的1/20;此外,涂层氧化膜在长时间氧化后仍很致密,涂层内部仅出现轻微的内氧化,而相同氧化条件下的未加纳米颗粒的涂层的氧化膜已趋于失效.     

基于有限元法的硅片冰冻固结磨料抛光温度场分析

本文分析了低温固结磨料抛光硅片的传热模型,并借助有限元软件ANSYS对热传导过程进行了仿真,获得了冰冻磨具在不同抛光时刻的温度场等温图及工作区域的融化厚度值。并且在相同工艺参数下,进行抛光实验,验证了有限元数值分析结果。分析仿真结果表明:环境温度为20℃情况下,磨削热并非是导致冰冻磨具融化的主要原因,周围空气对流换热对温度场的影响较大,磨具温升速度为先快后慢,抛光区域的融化速度比较稳定。采用此有限元模型,可以分析抛光时间、环境温度等参数对温度场的影响,为低温固结磨料抛光硅片的温度场研究提供理论指导。     

固结磨料抛光的平面度预测模型

本文利用Matlab建立了固结磨料抛光的平面度预测模型,根据硅片初始形貌及抛光参数值,可以预测抛光后硅片的表面形貌,并通过实验验证了该模型的可靠性.利用该模型分析了各抛光工艺参数对平面度的影响,结果表明:硅片和抛光垫转速不等时,硅片呈凸形,转速相差越大,平面度越差,但转速大小对平面度影响较小;增大偏心距有利于减小转速不等带来的影响,使平面度变好;选择较小的压力有利于平面度的提高.     

Ti/BDD涂层电极的制备及其电化学性能研究

本文在热丝化学气相沉积(HFCVD)系统上,采用不同的工艺参数进行了钛衬底掺硼金刚石(Ti/BDD)涂层电极的制备试验,研究了衬底温度和碳源浓度对Ti/BDD涂层电极质量的影响,优化了制备Ti/BDD涂层电极的工艺条件.结果表明,沉积Ti/BDD涂层电极最合适的衬底温度为770 ℃,最适宜的C/H为2.0%.采用循环伏安法研究了用优化的工艺参数制备的Ti/BDD涂层电极的电化学性能,结果表明Ti/BDD涂层电势窗口宽、析氧电位高、背景电流小,是一种有广阔应用前景的电极材料.     

工艺条件对金刚石膜红外透射率影响的研究

为了优化金刚石沉积工艺,制备高透射率的CVD金刚石薄膜,采用傅里叶红外光谱仪对不同工艺条件下制备的CVD金刚石膜的红外透射率进行了测量,分析了不同工艺条件对金刚石膜红外透射率的影响,获得了最佳沉积参数.结果表明,金刚石膜的红外透射率与工艺条件密切相关,当衬底温度为750℃,碳源体积分数为2%,压强为2.5kPa时沉积的金刚石膜红外透射率最佳.     

ZrO2(n)、SiC(W)的分散及与MoSi2基质的均匀混合工艺研究

通过沉降实验并借助SEM观察探讨了不同分散剂、不同分散介质对纳米ZrO2颗粒分散效果的影响。介绍了SiC晶须分散工艺,探讨了多相悬浮液混合法制备ZrO2(n)／MoSi2复合粉体及SiC(w)／ZrO2(n)／MoSi2复合粉体的均匀混合工艺。结果表明：以PEG为分散剂、水为分散介质可以有效地分散纳米ZrO2并能与基体MoSi2粉末均匀混合;通过调节乙醇悬浮液的pH值,可将SiC晶须均匀分散在ZrO2(n)／MoSi2复合粉体中,获得分布均匀的SiC(w)／ZrO2(n)／MoSi2复合粉。     

铝合金盒体的搅拌摩擦焊封装

对航空电子元件盒的搅拌摩擦连接封装技术展开应用研究。使用改造后的4轴搅拌摩擦焊接机床成功实现了大倾角下的盒盖、盒身的矩形轨迹封装焊接。各试验组焊缝均表面形貌良好,无宏观缺陷,且满足现有气密性标准。各组盒体的高度最大变形量范围为1.47~2.53 mm;随着焊接速度的增加,盒体的最大高度变形量呈单调减小规律;随着搅拌头旋转速度的升高,最大高度变形量呈现先减小,后增大的规律。焊接热输入较小的两组盒体耐压极限较低,其内部气压达到0.5~0.6 MPa时,封装轨迹的第一拐角后出现了撕裂状开口。开口截面位置位于搅拌针后退侧侧面。在焊接热输入,转角焊缝轨迹,搅拌针形状等因素影响下,焊接封装接头上会存在微小的孔洞、隧道等缺陷。这些缺陷在应力加压情况下的扩张、发展是泄漏的成因。     

固结磨料精磨手机面板玻璃的实验研究

固结磨料精磨工艺具有加工效率高和清洁方便等突出优点。采用正交实验法,研究了精磨压力、时间、转速和抛光液浓度等参数对固结磨料精磨手机面板玻璃的材料去除率MRR和表面粗糙度Sa的影响,并综合优化获得高材料去除率和优表面品质的工艺参数。结果表明精磨的最佳工艺参数组合为:精磨压力为0.1 MPa,转速为160 r/min,精磨时间5 min,抛光液浓度10%。     

调制比对HiPIMS制备多层DLC薄膜耐腐蚀性能的影响

为获得具备优异耐腐蚀性能的类金刚石(DLC)涂层,采用高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)在硅片表面制备软(低sp~3含量)硬(高sp~3含量)交替多层类金刚石薄膜,探究调制比对薄膜耐腐蚀性能的影响。采用XPS、四探针电阻仪、轮廓仪对薄膜成分、电阻率、残余应力进行检测分析,通过电化学测试获得多层DLC薄膜的极化曲线。结果表明:相较于低衬底偏压(-25 V)下沉积的纯软DLC薄膜,高衬底偏压(-75 V)下沉积的纯硬DLC薄膜sp~3含量明显升高;纯软薄膜电阻率为100.53 kΩ·cm,纯硬DLC薄膜电阻率高达1 585.21 kΩ·cm,电阻率随着硬膜厚度的增加而增加;薄膜中残余应力随着调制比(软∶硬)的减小而上升,纯硬DLC薄膜残余应力为0.943 GPa,而纯软薄膜残余应力仅为0.095 GPa。电化学试验结果显示,调制比为1∶2的多层DLC薄膜自腐蚀电位为-0.014 V,自腐蚀电流密度为36.6 n A/cm2,具有相对最佳的耐腐蚀性能。