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71.
离散无功设备输出变化,如并联电容器投切、有载调压变压器分接头调整等,所造成的设备损耗远大于发电机组、SVG等连续设备。从降低含网损和设备损耗在内的综合成本的角度,本文提出了一种电网无功电压控制协调优化策略,给出了对应的基于改进遗传算法的计算方法。IEEE 14节点系统上的仿真比对结果表明,所提策略比传统的不考虑离散设备损耗的控制策略更为合理,特别是在电网负荷周期变化情况下,所提策略有效地避免了离散设备反复动作。 相似文献
72.
绝缘操作杆作为带电作业中重要操作工具,其是否处于良好的绝缘状态对确保带电作业人员和设备安全具有重要意义。本文通过不同测量方法检测绝缘操作杆表面存在的典型缺陷,通过电介质谱和沿面放电特性试验对高阻性缺陷检测的有效性进行验证。结果表明:在温度为25℃,相对湿度为68.1%的环境中,受潮状态下绝缘操作杆表面绝缘电阻值比干燥状态下绝缘操作杆表面绝缘电阻值下降了60.1%。干燥状态下绝缘操作杆的介质损耗角正切小于0.01。利用石墨模拟不同碳化位置对于沿面放电电压的影响,通过沿面放电试验得到,当两电极中存在贯通性缺陷时,沿面放电电压会严重下降。通过研究结果提出基于绝缘操作杆表面电阻或介质损耗特性的操作杆绝缘性能评估方法。 相似文献
73.
针对双有源桥DAB(dual-active-bridge)DC-DC变换器输出功率受变换器运行损耗的影响,对考虑开关器件损耗的DAB变换器输出功率进行特性分析。首先,根据DAB变换器不同工作模态与开关器件的工作特性,建立了双重移相调制策略下的开关器件损耗模型;然后,利用该模型推导出考虑开关器件损耗情况下的输出功率分布,并分析了该输出功率的特性,与理想输出功率相比,考虑器件损耗下的最大输出功率点向损耗偏小的方向发生了偏移,偏移趋势与开关器件的参数有关;最后,搭建了实验平台进行验证。实验结果证明了最大输出功率点偏移趋势的准确性。 相似文献
74.
综述了Si IGBT/SiC MOSFET混合器件在门极优化控制策略、集成驱动设计、热电耦合损耗模型、芯片尺寸配比优化和混合功率模块研制等方面的最新研究成果与进展。Si IGBT/SiC MOSFET混合器件结合了SiC MOSFET的高开关频率、低开关损耗特性和Si IGBT的大载流能力和低成本优势,已有文献的最新研究和实验结果验证了该类器件的优异特性,表明其对高性能电力电子器件实现更高电流容量、更高开关频率和较低成本具有重要意义,是高性能变换器应用中非常有潜力的功率器件类型。 相似文献
75.
LLC谐振变换器的工作频率通常低于谐振频率,以实现副边整流管的零电流关断ZCS(zero current switching),负载变化时,通过调节工作频率来保持输出电压的稳定;尤其在轻载运行状态下,工作频率远小于谐振频率,考虑死区时间的影响,在谐振频率点处导出的谐振网孔电流公式与实际运行状态相差较大。针对这一问题,提出一种改进型谐振网孔电流公式;并系统地分析了谐振网孔参数与开关管的ZVS、直流电压增益及导通损耗的关联性,提出一种谐振参数的设计方法;最后搭建了1台48 V输入、1 kW/400 V输出的实验样机,通过仿真和实验验证理论分析的正确性。 相似文献
76.
介绍了一种基于电磁斥力原理的高速涡流驱动开关,阐述了零损耗深度限流装置的基本原理,分析了零损耗深度限流装置的性能特点:可将高速涡流驱动开关与深度限流电抗器并联,具有动作速度快、限流效果好、自行复归、零损耗、零压降等优点,应用前景好。 相似文献
77.
78.
79.
设计了一种耦合电感的循环级联方法来实现多相逆变之间的电流平衡,并分析了耦合电感参数对系统性能的影响;对多相并联下系统主要的功率损耗进行了分析,以解释在大输出电流条件下多相系统具有较低损耗的原因,开发了6相D类半桥逆变并联的原型机对系统性能进行验证。实验表明该方法能够将相间电流不平衡控制在较好的范围之内。使用2个外边长90 cm×70 cm的4圈的平面矩形螺旋线圈,在距离20 cm时进行无线电能传输。当接收端整流桥后的6.87Ω负载上获得15 k W的功率时,测得发送端直流输入到接收端直流负载的DC-DC效率为94.7%。 相似文献
80.
为兼顾线路初期投资和后期运行成本,从全生命周期成本(LCC)角度出发,对沿海新建配网线路中架空线和电缆间的选择进行了经济性分析。构建了架空线和电缆的LCC模型,选取某10 k V配网新建线路为案例,对架空线和电缆的LCC进行计算和比较,结果发现在同等载流量条件下,架空线和电缆间的选择不能根据传统的仅比较初始投资的方法,而应更关注电缆在电能损耗成本上相对架空线的优势,架空线或电缆间的选择也应视拟建线路所处风区、成本电价和社会折现率等多因素而定,为沿海配网新建线路中架空线和电缆间的选择提供了理论依据。 相似文献