车间作业计划管理系统UML建模

以某企业车间作业计划管理为应用背景,详细介绍采用统一建模语言(Unified Modeling Language,UML)进行车间作业计划管理系统建模的整个过程.结合实际,阐述了UML的动、静态建模机制及系统设计方法.有效解决了领域专家、软件开发人员用户之间交流的难题,从而加速了开发的进程,保证了开发质量.     

基于DSP的全数字IGBT逆变脉冲MIG/MAG焊机研制(二)--软件设计及系统调试

介绍了DSP开发环境和CCS的使用。以及如何进行DSP软件的开发。分析了系统软件的功能。采用模块化软件设计方法，设计了控制系统主程序、中断服务程序以及子程序，系统经脱机联机调试后．输出的波形理想、控制可靠，体现了教字化控制的优越性。     

尿素合成过程的安全性与经济性探讨

0引言世界上第1套以氨和二氧化碳为原料生产尿素的工业化装置由德国法本公司于1922年建成投产,至今已有80多年。在这80多年中,尿素工艺的发展过程经历了联产法、半循环法、高效半循环法、全循环法以及汽提法等。尿素工作者的研究重点早期放在如何解决材料腐蚀问题,近期则放在如     

基于USB接口的CCD数据采集系统

为解决目前工程应用中CCD信号的采集和分析问题，设计并实现了一种基于USB接口和可视化界面操作的线阵CCD数据采集系统。介绍了系统的硬件组成、USB接口的固件程序，阐述了USB驱动程序的层次结构并说明了利用DriverWorks开发设备驱动程序的方法，给出了利用VC＋＋开发的用户应用程序模块。整个系统在硬件与软件两个方面达到了较佳配合，实现了对线阵CCD信号快速而准确地采集，为后续CCD信号的分析处理提供了可靠依据。     

细长轴开式砂带磨抛工艺

本文通过细长轴的砂带磨抛工艺实验，研究了磨抛工艺参数对细长轴零件粗糙度及精度的影响，提出开式砂带磨抛细长轴类零件的工艺方法的可行性。     

DC-DC变换器分数阶PIλ 控制与稳定性分析研究

分数阶PI~λD~μ控制是整数阶PID控制的推广和发展,具有比整数阶PID控制更大的灵活性。然而引入λ和μ后,会对系统的控制性能和稳定范围产生影响。本文以Buck变换器为例,从机理上阐述了分数阶PI~λ控制与传统整数阶PI控制对系统控制性能的影响,分析了分数阶PI~λ控制器中积分阶次λ对Buck变换器稳态性能、动态性能以及对K_p,K_i参数稳定范围的影响。最后通过仿真和实验验证了本文理论分析的正确性。     

全氟磺酸离子交换纤维的制备及性能

利用熔融纺丝技术制备全氟磺酸离子交换纤维(PSAIF)。研究了PSAIF的热性能、化学稳定性及对Cu2+的离子交换性能;考察了PSAIF对Cu2+交换性能中动态、静态离子交换情况及其再生性能。结果表明:PSAIF适宜的纺丝温度为225℃,具有较好的热稳定性和化学稳定性;对Cu2+的交换属于吸热过程,离子交换的最佳pH值为4~5,动态交换结果显示PSAIF对Cu2+有较强的动态吸附能力,吸附与解吸速率较快,再生性能良好,其吸附行为符合Langmu ir和Freumd lich方程。     

发电机磁中位置调整处理止推轴承发热问题工艺

鞍钢能源管控中心5MW余热汽轮发电机组三瓦推力瓦超温报警故障停机.通过分析故障原因,对发电机转子磁力中线进行了位置调整,使推力瓦温达到正常,保证了机组稳定运行.     

低品位热驱动CO_2-[emim][Tf_2N]吸收-喷射冷热电联供系统性能研究

传统的吸收式冷热电联供系统普遍存在制冷量小、制冷效率低等问题。对此,在能量梯级利用及循环制冷原理的基础上,提出一种使用CO_2结合1-乙基-3-甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐(CO_2-[emim][Tf2N])的吸收-喷射式冷热电联供(CCHP)系统。固定系统的稳态性条件,阐述了CCHP系统的工作原理,组建系统的热力学模型,采用热效率ηthm及?效率ηexg评估关键热力学参数对系统性能影响。结果表明:增加系统的蒸发温度及系统高压侧压力均可有效提升系统性能;蒸发温度在3~8℃变化时,ηthm、ηexg均有上升趋势;高压侧压力在9~12 MPa变化时,ηexg由0.37提升至0.44;但系统膨胀机压力增大时系统的性能会出现下降趋势,膨胀机压力在7.4~9.0 MPa变化时,ηthm由0.47降至0.39,ηexg由0.47降至0.43;在给定模拟工况下,喷射-CCHP系统Ccop高于传统CCHP系统的Ccop。     

适用于电动汽车的SiC MOSFET PSpice仿真模型研究

为了基于PSpice电路对电动汽车DC/DC变换器中的碳化硅(SiC)MOSFET的工作特性进行实时准确地仿真,针对SiC MOSFET提出了一种新型的电压控制电流源型VCCST(voltage-controlled current source type)PSpice仿真模型。首先,为了获得SiC MOSFET准确的静态特性建立了电压控制电流源作为SiC MOSFET的内核,以描述SiC MOSFET的转移特性和输出特性;然后,为了获得SiC MOSFET准确的动态特性,建立了基于电压控制电流源与恒定电容的栅漏电容(CGD)子电路模型,所提SiC MOSFET VCCST PSpice模型在简化参数提取方法的同时,能够满足模型准确性的要求;最后,建立的SiC MOSFET VCCST PSpice模型应用于Boost变换器进行仿真和实验,并对SiC MOSFET的特性进行测试。测试结果验证了所提SiC MOSFET VCCST PSpice仿真模型的准确性和实时性,从而为SiC MOSFET在电动汽车DC/DC变换器中的设计和应用提供了便利。