TaC_p增强YG11C合金表面改性工艺及性能研究

选用自制烧结的YG11C/TaC_p硬质合金作基体,介绍了采用电弧离子镀在试样上沉积TiN、TiCN和ZrN涂层的工艺.利用维氏硬度计、扫描电子显微镜、X射线衍射仪表征了涂层的力学性能和组织结构.通过比较切削实验中刀具的磨损性,得出涂层刀具有更好的耐磨性能.研究表明,电弧离子镀TiN等涂层能使硬质合金刀具获得更好的使用性能.     

CuNiCoCrBeZr合金强化工艺与组织性能研究

对CuNiCoCrBeZr合金进行了一系列的热处理强化工艺试验.结果表明,该合金经940℃×1.5 h固溶+30%冷变形+490℃×3 h时效处理后,其硬度为253 HB,导电率为57.76%IACS,室温下抗托强度903 MPa,屈服强度861 MPa,伸长率16.24%,其物理性能和力学性能均能满足服役条件苛刻的超(超)临界汽轮发电机转子槽楔的使用要求.     

反复折弯校直工艺研究进展

反复折弯校直属于剧烈塑性变形工艺之一,通过折弯和之后的校直在材料内部产生剪切变形,细化材料组织.介绍了反复折弯校直工艺的原理、方法及反复折弯校直变形分布特征、微观组织及材料力学性能,并提出了反复折弯校直工艺的研究方向.     

磁控溅射Ti1-xAlxN薄膜的微结构及性能研究

利用磁控反应溅射法制备了不同A1含量的Ti1-xAlxN薄膜.采用能谱仪、X射线衍射仪及纳米显微力学探针分析了薄膜的成分、微结构及薄膜的硬度,研究了Al含量对薄膜的微结构、硬度及高温抗氧化性能的影响.结果表明,薄膜为面心立方结构,呈(111)择优取向;薄膜的硬度及抗氧化性能均随着Al含量增加而提高.     

Sm0.9Ca0．1Al1-xGaxO3—δ钙钛矿氧化物的合成和电学化性能

采用固相反应法制备含少量杂质的四方钙钛矿氧化物陶瓷Sm0.9Ca0．1Al1-xGaxO3-δ（x=0.1-0.5）。通过x射线衍射、扫描电镜和交流复阻抗谱以及氧浓差电池等技术研究样品的物相结构、微观形貌、电化学性能和电输运行为。结果表明：Ca、Ga双掺杂能显著提高样品的电化学性能,其电导率随Ga掺杂量z的增加先增大后减小,在x=0.3时达到最大值;在1550℃保温6h制得的Sm0.9Ca0．1Al1-xGaxO3-δ样品的相对密度为95．5％,900℃时的总电导率为1.83S／m：Sm0.9Ca0．1Al1-xGaxO3-δ的In（σT）与T^-1之间近似呈线性,说明电导率与温度的关系符合Arrhenius定律,总电导活化能为111．09kJ／mol;在空气气氛中,该样品是一个氧离子和电子空穴的混合导体,以氧离子导电为主;在测量温度范围内,氧离子迁移数在0．8左右,且随温度升高略微增大;氧离子电导活化能和空穴电导活化能分别为101．08和92．92kJ／mol。     

原位自生TiC/Fe复合材料的制备及组织形态研究

采用在普通45号钢的熔炼过程中加入Ti的方法,制备了不同成分的原位TiC/Fe复合材料,并观察分析显微组织,测定了性能。结果表明,简单的熔铸法可以制备不同体积分数的TiCp/Fe复合材料,复合材料中多数TiC以细小的规则三角形或四边形形状存在,且随Ti加入量的增加而增多,TiC含量达到一定含量时,还会形成棱面枝晶状TiC。材料硬度则随TiC含量增加而增加。当材料制备时只添加Ti,则TiC的形成,使得基体中碳含量的减少,从而使基体中的Fe3C减少或消失,其硬度随Ti含量的增加而先增后降,同时过量的Ti不仅形成缺碳的非计量比TiCx,还有形成条状的Fe2Ti金属间化合物。     

5CrMnMo钢与YG8硬质合金的真空钎焊

选用CuMnNi钎料,研究了5CrMnMo钢与YG8硬质合金的真空钎焊工艺.通过DSC确定了钎料的熔化温度范围:通过三点弯曲试验、润湿性试验、金相分析、SEM及EDS等手段探索了钎焊温度和Ni中间夹层厚度对钎焊接头性能的影响.结果表明,添加0.05mmNi中间层在1045℃下钎焊,钎料与母材、中间层结合较好,无裂纹等缺陷,此时接头的强度最高.     

熔铸法制备VC/CuCrZr复合材料及其微观组织与性能

用熔铸法制备了VC颗粒增强CuCrZr基复合材料,并探讨了热处理工艺对材料组织和性能的影响.结果表明,以微量Cr和Zr强化的铜基体,经过适当的时效处理,可同时发挥弥散强化和复合强化两种机制的增强作用,显著提高铜基复合材料的力学性能.     

基于变精度粗糙集的脉冲GTAW过程建模方法

采用变精度粗糙集方法对脉冲GTAW过程进行建模,获取能预测熔池背面宽度的动态模型,并对该建模方法的主要步骤和关键问题做了阐述.结果表明,该模型具有足够的精度,能满足焊接应用的需要.该方法拓展了粗糙集理论的应用领域,并为焊接建模提供了一种新方法,具有较大的应用潜力.     

钛合金中TiC晶体的配位多面体生长基元与生长习性

铸造钛合金中存在八面体、棱面枝晶及光滑树枝晶等不同形态的TiC.本文结合定向凝固试样组织,用配位多面体理论分析了钛合金中TiC的生长基元及生长习性.认为TiC的配位多面体生长基元为六配位的TiC₆,TiC₆生长基元堆积时, {100}面族和{111}面族上的生长速率不同,容易形成以{111}面为显露面的八面体状TiC晶胚.TiC晶胚在熔体中生长时,在生长速率最快的<100>方向上生长出二次枝晶臂,并在生长过程中始终保持小面界面生长特征,最终形成棱面枝晶状TiC.如TiC晶体生长时生长速率慢的面族上形成大量的螺旋位错等缺陷,则棱面消失,形成树枝晶TiC.