Si基n型GaN的欧姆接触研究

GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线，X射线衍射以及二次离子质谱分析，揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响，提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。     

单片LCoS光学引擎中彩色LED照明系统设计

LCoS光学引擎作为整个背投的一个要组成部分，其照明系统显著地影响着LCoS背投的性能。详细分析了影响照明效果的各个因素，并利用ZEMAX软件设计出了单片LCoS光学引擎中基于彩色LED光源的照明系统，该系统能达到较好的亮度和均匀性，满足整个光机系统的成像要求。     

金属掺杂中孔分子筛的合成及其研究

以十二烷二胺(DADD)为模板剂,TEOS为硅源,通过水热合成法制备出了具有高金属含量的中孔分子筛Zr-MSU-V和Nd-MSU-V,采用XRD、TG-DTA和TEM等对合成的分子筛进行了表征.XRD结果表明,即使当Si/Zr或Si/Nd的摩尔比达到5或20时,获得的两种分子筛Zr-MSU-V和Nd-MSU-V均能保持良好的结晶度,TEM图清楚地展示了Zr-MSU-V具有有序的层状结构;TG-DTA的结果显示,903 K焙烧脱除模板剂不会破坏金属嵌入分子筛的结构,说明其具有良好的热稳定性;通过48 h水热处理后的分子筛仍保持其结构有序性,说明其具有优良的水热稳定性.     

大块非晶合金的性能、制备及应用

综述了大块非晶合金的性能、制备方法及应用，对比了吸铸法制备的棒状Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10Be22.5,Zr57Cu20Al10Ni8Ti5,Zr52.5Ti5Cu17.9Ni14.6Al10(原子分数)大块非晶样品的过冷温度区间宽度(△Tx)，给出了3种大块非晶合金系列的热稳定性参数Tg、Tx及△Tx，提出了大块非晶合金领域存在的问题及发展方向．     

晶须取向对SiCw/6061Al复合材料热压缩变形行为的影响

采用SEM 和 Magiscan-2A 图像分析系统研究了晶须取向对SiCw/6061Al复合材料在300℃压缩变形行为的影响.结果表明:晶须取向影响着晶须折断程度和转动角度; 随着晶须取向角的增加,晶须转动和折断行为所导致的软化效果下降.同时晶须取向也影响复合材料的热压缩应力-应变曲线的形状.在热压缩变形过程中,晶须取向角为0°和30°的复合材料表现出明显应变软化现象, 晶须取向角为45°的复合材料无明显软化现象.晶须取向角为90℃的复合材料表现出应变硬化现象.     

流量比对等离子体基团分布和薄膜结构的影响

使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3／C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加，成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大，而刻蚀基团F的密度也会增加，从而使得a—C：F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明，在高CHF3流量下沉积的a—C：F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C：F薄膜的制备中CHF3／(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。     

欧洲静止卫星导航重叠服务系统（EGNOS）

近年来，随着对全球导航卫星系统(GNSS)定位精度与可靠性要求的不断提高，具有广域差分定位性能的星基增强系统迅速发展。美国的广域增强系统(WAAS)和欧洲静止卫星导航重叠服务系统(EGNOS)是两个最具代表性的系统，其中以多国合作研究，民间管理为特色的EGNOS尤为世人所瞩目。本文就EGNOS的体系结构，基本原理，关键信号处理技术与计划进展状况作了详细阐述。     

用新的电路形式提高HBT光调制器驱动电路的传输速率及性能

在传统光调制器驱动电路中,所用HBT截止频率的大小要达到驱动电路传输速率的4倍以上.文中在输出级采用共射共基HBT形式后,其器件的截止频率只需大于电路传输速率的2倍即可,从电路设计的角度降低了对所用器件的要求.文中分析了新的电路结构提高传输速率的原因并给出了模拟结果.同时新的电路结构也具有良好的热稳定性.     

阿勒泰地区常用三种防渗渠道的评价

阿勒泰地区渠道防渗常用的三种方法为：1．塑料薄膜防渗渠道。优点是防渗效果好，具有很强的不透水性且工程造价低，比较耐久，施工技术简单，适应性强。缺点是必须用保护层，如采用刚性材料，则提高工程造价，特别对离砂石产地较远的地区。更加困难；2．混凝土预制板渠道，其主要作用是抗冲，但最大的问题是防止冻胀破坏，所以在冻胀性基土上修建混凝土预制板防渗渠道必须注意渠道线路应尽量选在中、粗颗粒土壤地基上，地下水埋藏较深以及无旁渗水补给的地段；3．砼预制板下铺塑料薄膜的渠道，这种渠道防渗措施防渗效果更好，并能起到一定的保温作用，减轻了冻胀破坏，造价低，运输量小，施工简单，技术难度不高，是一种比较好的抗冻、抗冲防渗措施。     

PZT陶瓷的断裂分析

与有限元法相比,无网格法由于只需节点不用单元而在压电分析中具有优越性。采用一个简单的包含有极化反转及电饱和影响的锆钛酸铅系压电陶瓷(PZT)的本构模型,以局部J积分作为断裂准则,应用再生核点法这一无网格数值法导出了作用电场与断裂载荷的关系曲线,该曲线的趋势与Park[1]的实验观察现象一致。计算程序采用面向对象方法实现。