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研究以醋酸镍为Ni源,通过水热方法合成不同浓度Ni掺杂的ZnO纳米棒阵列膜,采用XRD、PL以及XPS等测试方法对掺杂的ZnO纳米棒阵列膜进行结构表征,通过自制的光电性能平台进行光电导性能的测试。研究结果表明,Ni的掺杂改变了ZnO晶格常数的大小。掺杂后的ZnO纳米棒阵列膜的光响应度很高,其中醋酸镍浓度为0.05 mol/L的ZnO纳米棒阵列膜的光响应度最高,可以达到3 112.1,是纯ZnO纳米棒阵列膜的光响应度的38倍。Ni的掺杂使得ZnO纳米棒的耗尽层宽度拓宽,降低了暗电导,从而使得光响应度增大。 相似文献
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为对GIS内多绝缘缺陷所产生的单一PD信号予以辨别,文章对多PD信号特点予以分析,借此对PD信号于GIS内传播及混合机制开展深层次分析,并对GIS内多绝缘缺陷同时所产生的多PD信号开展深层次研究,无限逼近信号混合模型、真实物理模型间差距。以考虑PD信号延迟为基础,对多PD信号予以辨别,以此对GIS内多绝缘缺陷加以辨别。 相似文献