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81.
拓扑学中的扭结是一种特殊的无断开的结构,为了得到其完整的、无需后期处理的模型,对三叶结的参数方程进行不同的变形,选择最优参数方程,在Pro/E的参数化建模模块下对三叶结进行建模,并使用熔融挤压的方法对其进行快速原型制造,得到所需三叶结模型。使用快速原型的方法制造三叶结等扭结,可以降低三叶结加工难度,同时方便判断扭结是否打结、扭结是否同一种结等问题,是理想的扭结加工方法及扭结研究工具。  相似文献   
82.
通过对电动汽车能量管理系统典型结构的分析,简述了电动汽车能量管理系统的功能。由于电池模块的管理既是能量管理系统的核心部分,也是电动汽车电池的安全保障,因而系统地总结了电池能量管理系统的功能;介绍了国内外能量管理系统的研究现状,在分析能量管理性能的基础上,提出了电动汽车能量管理系统的研究发展方向。  相似文献   
83.
搭载E-CVT的油泵具有提供冷却润滑流量、制动流量的作用。为研究摆线泵作为E-CVT液压系统动力源的使用特性,基于理论分析建立其数学模型,并利用AMESim平台搭建系统级(包括信号域、液压域、机械域)的多域仿真模型,通过实验数据验证了模型可靠。基于仿真模型动态研究油温、转速、负载压力对容积效率以及流动特性的影响,同时,将该模型搭载过滤器、油底壳及管道,仿真预测该油泵在E-CVT应用中的低油温启动失效,为后续油泵电机相关策略设计提供参考依据。  相似文献   
84.
以衬氟阀门衬套为研究对象,根据正交试验法制定实验方案,运用Moldflow软件对衬氟阀门衬套压塑成型过程进行了数值模拟和翘曲分析。结果表明:五个工艺参数对翘曲形变影响程度为,保压压力模具温度保压时间熔体温度压缩速率。分析得出最小的翘曲工艺参数设置为保压压力11 MPa、模具温度200℃、保压时间60 s、熔体温度350℃、加压速度15 mm/s。模拟优化结果与实际生产中工艺参数的影响规律相同,采用优化后的工艺参数可以得到形状完整、成型质量好的阀门衬套。工艺参数优化模拟提高了制品的尺寸精度和使用性能,减少了生产试验次数,提高了新品试制效率,为衬套的压塑成型实际生产提供有效指导。  相似文献   
85.
采用光学金相显微镜(OM)、扫描电镜电子显微镜(SEM)观察表征、电导率测试、力学拉伸实验以及电化学腐蚀实验等方法研究了Mn对AlSiMgMn型铝合金组织与性能的影响。结果表明,添加适量的Mn能提高合金的力学性能,当Mn质量分数从0.2%增加到0.65%,合金的平均晶粒粒径由104μm下降到44μm,电导率由21.8Ms/m下降到19.7Ms/m,抗拉强度和延伸率呈先上升后下降的趋势,当Mn质量分数为0.35%时,力学性能最好,合金的抗拉强度最高,为207.5MPa,延伸率为5.5%;Mn含量的增加使合金的耐腐蚀性下降。  相似文献   
86.
新型铝合金熔剂的研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
介绍了铝合金熔剂的研究现状与作用,认为在铝合金精炼净化中,无毒无公害的新型多功能熔剂将是未来的发展方向之一。着重探讨了新型多功能熔剂的配方、组成、作用,初步验证了新型熔剂的使用效果。  相似文献   
87.
铝熔体除氢技术的进展   总被引:25,自引:2,他引:23  
王长海  倪红军  孙宝德  周尧和 《铸造》2001,50(4):179-183
概述了铝熔体除氢方法和技术的分类、特点和发展现状,并对其发展趋势进行了展望。  相似文献   
88.
稀土溶剂对A356铝合金的作用   总被引:17,自引:0,他引:17  
研究了一种含有稀土化合物的铝合金新型熔剂JDN-I。结果表明,该熔剂通过发生一系列的物理和化学反应,不仅可使A356合金熔体720℃时的含氢量由大于0.30mL/100s(Al)下降到0.10mL/100g(Al)以下,除气效果显著,并使A356合金的室温抗拉强度提高7.27%,延伸率提高85.58%。该熔剂还具有细化晶粒和变质的作用,分析了该熔剂发生作用的机理,提出了有效稀土量和临界有效稀土量的概念。  相似文献   
89.
介绍了直接乙醇燃料电池(DEFC)电催化氧化机理,分析了碳载铂催化剂等物质担载催化剂在DEFC中的性能,论述了电解质膜及DEFC性能的研究现状,指出了从阳极催化剂、电解质膜等方面提高DEFC性能的途径.  相似文献   
90.
高频传输室过渡接头内导体的形状优化设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
研制吉赫兹横电磁波传输小室,其过渡接头的结构设计尤为关键.运用电磁学中的能量对偶法精确求解GTEM cell中过渡接头部分的特性阻抗,通过建立和求解精确的过渡接头内导体侧边曲线方程,对内导体侧边形状进行优化设计.改进了以往GTEM cell过渡接头内导体侧边采取直线过渡的近似设计方法,解决了高频输入转接头的设计制作难题,保证了高频传输室的整体性能.测试结果表明:采用优化设计过渡接头内导体研制的传输室在0.4~15 GHz的频带范围内,电压驻波比均小于1.5,其综合性能明显高于优化设计前的高频传输小室.  相似文献   
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