硬硅钙石板的制备及性能研究

采用廉价原料和简单工艺制备了具有高强度和低导热系数的硬硅钙石板复合材料,重点研究了成型压力、玻璃纤维添加量等因素对硬硅钙石板的隔热性能和力学性能的影响.结果表明:随着成型压力的增大,硬硅钙石板样品的密度、导热系数、抗压强度及抗折强度都逐渐增大;随着短切玻璃纤维添加量的增加,硬硅钙石板样品的密度和导热系数基本保持不变,抗压强度及抗折强度则呈现先增大后减小的变化趋势.当成型压力和短切玻璃纤维添加量分别为30 MPa和5％(wt)时,硬硅钙石板的导热系数为0.114 W·m-1·K-1,抗压强度和抗折强度分别达到20.17 MPa和7.22 MPa.     

大时间尺度上MPEG4视频流量预测的自适应算法

为了保证用户的服务质量(QoS),宽带分组网络需要进行动态带宽分配,而视频流量预测在动态带宽分配中发挥着重要的作用。本文从自相关性、自相似性的Hurst参数两个方面,阐明图像组(GOP)时间尺度上的流量能够体现原有视频帧序列的流量特性,并在固定步长的LMS自适应算法(FSSA)的基础上提出了一种新的可变步长自适应算法(VSSA),在GOP所表示的大时间尺度上预测MPEG4视频流量。大量的仿真实验结果表明,VSSA算法可以明显地改善预测性能。     

交联酯化淀粉研究

研究了小麦淀粉经环氧氯丙烷交联和醋酸酐酯化修饰处理后粘度特性的变化,指出了交联剂用量、交联pH、交联时间、酯化剂用量、酯化pH和反应温度对结果的影响,并得出获得高粘度淀粉的最佳实验条件为交联剂用量0 27%,交联时间3 3h,交联pH10,反应温度25℃,酯化剂用量6%,酯化pH8 9.     

基于级联半导体光放大器实现全光逻辑与门的改进方案

基于级联半导体光放大器(SOA)实现全光逻辑与门的方案中,第一级输出信号质量直接影响逻辑与运算结果.采用载流子恢复较慢的体材料半导体光放大器用于第一级转换,在10 Gbit/s以上得不到理想的转换结果,限制了该方案实现逻辑与门的速率.利用光纤延时干涉仪(DI)和第一级半导体光放大器级联可以改善第一级输出信号质量,从而有效提高第二级全光逻辑与门的实现速率.阐述了改进方案中延时干涉仪的作用,并进行了数值模拟.根据实验结果,采用载流子恢复较慢的半导体光放大器级联延时干涉仪能够实现高速归零(RZ)信号和非归零(NRZ)信号的反码,从而得到较高速率的全光逻辑与门.实验实现了20 Gbit/s的伪随机归零和非归零信号的全光逻辑与门,对40 Gbit/s的结果进行了分析和讨论.     

淀粉α化常压修饰技术研究Ⅲ。颗粒α化修饰淀粉结晶特性研究

研究了颗粒α化修饰玉米、木薯和甘薯淀粉的结晶特性，从x衍射图谱对其结晶变化进行了对比分析．结果表明，颗粒α化修饰淀粉己完全失去原淀粉具有的微晶结构，呈现亚微晶态和V型衍射的混合态．     

交联作用对甘薯淀粉高温稳定性的影响

交联作用能提高淀粉糊粘度及其稳定性。研究交联作用对甘薯淀粉稳定性的影响程度，对工业化应用具有非常重要的实际意义。在本研究中，采用2种常见的交联剂进行交联反应，对每种交联剂考察了反应温度，反应时间，PH值和交联剂用量等主要因素的影响。在此基础上，进行正交实验，对正交结果采用极差分析，得到以稳定性为衡量标准的最佳工艺条件。     

淀粉α化常压修饰技术研究Ⅲ.颗粒α化修饰淀粉结晶特性研究

研究了颗粒α化修饰玉米、木薯和甘薯淀粉的结晶特性,从X衍射图谱对其结晶变化进行了对比分析.结果表明,颗粒α化修饰淀粉己完全失去原淀粉具有的微晶结构,呈现亚微晶态和V型衍射的混合态.     

淀粉α-化常压修饰技术研究Ⅰ.α-化修饰玉米淀粉制备技术研究

主要研究了采用醇 -碱溶液处理淀粉 ,对淀粉进行α 化常压修饰的工艺技术 .通过正交试验 ,得到了最佳工艺条件 ;分析了α 化常压修饰淀粉的粘度特性、颗粒形状、吸热特性 ,得出α 化常压修饰淀粉是一种具有较高粘度、保持淀粉颗粒特性同时冷水可溶的变性淀粉     

基于CAN总线的分布式高压断路器在线监测系统的设计

为满足我国电力行业对高压断路器设备“状态检修”的需要,本文介绍了一种基于CAN总线的分布式高压断路器在线监测系统,并对该系统的整体结构、硬件配置、软件功能及各节点功能作了详细说明。     

DDTC 体系中黄铁矿电极过程动力学的研究

在pH 值为11.4 的二乙基二硫代氨基甲酸钠(DDTC)体系中, 采用循环伏安电位扫描、恒电位阶跃和计时电位法研究了黄铁矿的电极过程。循环伏安曲线表明, 当c(DDTC)=1 ×10^-4 mol/L 时, 电极电位大于0.2V(SHE)以后, 黄铁矿电极表面发生四乙基二硫化秋兰姆(TETD 或D₂)的电化学沉积并残留在电极表面;采用恒电位阶跃法可以确定反应电流密度(i)与反应时间(t)之间的关系式为i =(9.08 ×10^-5 +4.77 ×10^-3 t^0.5)^-1, 由此可以确定DDTC 在黄铁矿电极表面的扩散系数D为3.72 ×10^-6 cm²/s, TETD 在黄铁矿电极表面的吸附厚度可达1.63 个单分子层;计时电位法则确定了pH 为11.4 时, 吸附于黄铁矿电极表面的TETD 的电化学动力学方程为η=0.116-0.064 lg[1-(t/τ)^0.5], 电化学动力学参数确定为:交换电流密度i₀ =3.08 μA/cm², 反应电子数n=2, 反应传递系数α=0.462。电化学动力学方程和电化学动力学参数值表明吸附于黄铁矿电极表面的TETD 易于还原。