Si3N4复相陶瓷半固态连接的接头组织和界面反应

根据复合材料的强化原理,用Ag-Cu-Ti钎料和TiN颗粒作为复合连接材料在半固态下连接Si3N4复相陶瓷以提高接头强度,研究了接头的组织和界面反应.结果表明,接头由母材/反应层/含微量Ti的Ag-Cu TiN/反应层/母材组成,反应层由含Ti、Si、N三种元素的一些化合物组成;TiN颗粒在Ag-Cu基体中的分布总体均匀,两者之间的界面清晰、结合致密:当TiN的加入量较小时,对连接材料与母材的界面反应没有明显影响.初步的剪切试验结果表明,采用Ag-Cu-Ti加TiN颗粒作为复合连接材料连接Si3N4陶瓷可以提高接头强度.     

金属间化合物提高陶瓷接头高温性能的作用

研究了连接过程中通过原位形成金属间化合物来提高Ｓｉ３Ｎ４陶瓷接头高温性能的可能性。研究了用Ｔｉ／Ｎｉ／Ｔｉ多层中间层在１０００－１１５０℃温度范围内以过渡液相连接Ｓｉ３Ｎ４陶瓷时Ｔｉ和Ｎｉ层厚度、连接时施加的压力以及连接温度与保温时间等因素对接头组织和强度（包括室温和高温强度）的影响规律。结果表明,在合理控制连接工艺和中间层金属厚度的条件下,可以通过原位形成金属间的获得室温和高温强度均较好的接头,     

耐高温陶瓷-金属连接研究的现状及发展

为获得耐高温陶瓷－金属接头,目前主要采用钎焊、扩散焊和过渡液相扩散连接。概述了用于这３种方法的主要连接材料及其设计原则,以及相应的连接工艺,并指出存在的主要问题,阐述了获得耐高温陶瓷－金属接头的新工艺及发展方向。     

LF6/TA2扩散焊接接头组织结构及性能

进行了LF6／TA2扩散焊接试验，结合断口形貌、XRD分析、能谱分析和接头强度测试，研究了Al，Mg，Ti三组元互扩散过程，给出了接头形成规律及其强度性能。结果表明，扩散焊接可以得到最高抗剪强度达83MPa的LF6／TA2接头；525℃以上扩散焊接时会发生扩散反应，生成唯一的三元金属间化合物新相Al18Ti2Mg3；接头强度受固溶冶金结合区及扩散反应新相区的影响，随前者增大而增大，随后者增大而减小；Al，Ti元素可以互扩散，但未发现有Mg元素向TA2母材中扩散的迹象；Al，Ti，Mg三元扩散反应产物按照近似线性的生长方式长大。     

耐高温陶瓷接头的合金化--用A1/Ti/A1复合层连接Si3N4陶瓷

用A1/Ti/A1复合层真空连接Si3N4陶瓷,研究了A1与Ti的匹配和工艺参数对接头显微组织及强度的影响。结果表明,当A1与Ti的匹配合理且采用适当的连接工艺时,A1与Si3N4和A1与Ti的相互扩散和反应可分别获得牢固的结合界面和以A13Ti耐高温相为主的焊缝金属,获得性能良好的陶瓷接头;Ti的厚度、连接温度和保温时间直接影响接头强度,当这些参数组合适当时,接头剪切强度在室温及600℃可分别达到89.4MPa和29.4MPa。     

基于AT89S51的多功能红外遥控器设计

论述了以AT89S51单片机为核心的红外遥控器硬件电路的设计,给出了系统的硬件组成.提出利用软件实现红外遥控信号自定义编码下的编码与解码方法,根据发射不同的用户码来设定需遥控的接收端,从而使得多台设备共用一只遥控器.调试结果表明:该遥控器使用方便,具有实用性.     

稀土金属离子对卤磷酸钙荧光粉发光性能的影响

本文系统研究了除钷（放射性元素）外所有稀土金属离子对卤粉发光性能的影响     

基于模糊控制的开关电源仿真研究

针对开关电源这一非线性对象传统PID控制的不足,提出了一种基于模糊控制的新的智能型控制方法,并在Matlab环境下实现了仿真.实验证明:与PID控制相比,模糊控制动态响应快、超调量小、负载变化引起输出电压的变化小.     

Ag-Cu-Ti活性钎料真空钎焊钨、石墨与铜的研究

研究了Ag-Cu-Ti活性钎料高真空钎焊钨与铜与石墨与铜，结果表明，钎焊钨与铜时可获得接近母材铜强度的接头，剪切断裂发生在铜与Ag-Cu-Ti之间的扩散层中，钎焊石墨与铜时接头最大强度为32MPa，剪切断裂主要发生在近石墨与钎缝金属界面的石墨中，高强度结合界面是通过活性元素Ti向钨或石墨扩散并与之反应而形成的。     

采用复合钎料钎焊Si3N4陶瓷

采用TiN／Ag—Cu—Ti复合钎料连接Si3N4陶瓷材料，采用扫描电镜观察了接头组织。TiN颗粒与Ag—cu组织结合紧密，并未与钎料基体进行反应，在钎缝中分布比较均匀，形成了局部金属基复合材料组织。由于颗粒与液态钎料之间能够形成较强的毛细作用，提高了活性元素Ti扩散的能力，Ti元素能够充分扩散到钎料与母材的界面上进行反应，生成一层致密的反应层。接头抗剪强度表明，在一定范围内，采用复合钎料可以明显提高接头强度。