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81.
采用水基凝胶注模成型工艺制备了0.9Al2O3-0.1TiO2陶瓷.研究了烧结后的0.9Al2O3-0.1TiO2陶瓷的微结构、相组成以及微波介电性能.通过采用合适的预烧温度(1200℃)和连续、缓慢的降温工艺来退火,成功消除了Al2TiO5第二相.和传统干压法相比,用水基凝胶注模成型工艺制备的0.9Al2O3-0.1TiO2陶瓷具有较大的晶粒,较少的气孔和更加均匀的微结构.因此,用水基凝胶注模成型工艺制备的0.9Al2O3-0.1TiO2陶瓷拥有更好的微波介电性能:εr=10.71,Q×f=20421GHz,τf=1.3×10-6/℃,而用传统干压法制备的0.9Al2O3-0.1TiO2陶瓷的微波介电性能为εr=10.89,Q×f=11938GHz,τf=1.4×10-6/℃. 相似文献
82.
利用扫描电子显微镜对失效移相器中开裂Li-Zn铁氧体片进行了显微组织观察,对其开裂原因进行了分析.结果表明:压制工艺中聚乙烯醇(PVA)粘结剂添加过多导致铁氧体片致密度及均匀性降低,这是铁氧体片服役过程中开裂的主要原因;另烧结温度过低,导致烧结致密化不充分,气孔率偏高,这是铁氧体片在服役过程中开裂的另一个原因.较佳的P... 相似文献
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《材料科学技术学报》2011,(7):653-658
Polycrystalline ZrO2-3 mol.%Y2O3 was brazed to Ti-6Al-4V by using a Ti47Zr28Cu14Ni11(at.%) amorphous ribbon at 1123-1273 K in a high vacuum. The influences of brazing temperature on the microstructure and shear strength of the joints were investigated. The interfacial microstructures can be described as ZrO2/TiO+TiO2+Cu2Ti4O+Ni2Ti4O/α-Ti+(Ti,Zr)2(Cu,Ni) eutectic/acicular Widmanst¨aten structure/Ti-6Al-4V alloy. With the increase in the brazing temperature, the thickness of the TiO+TiO2+Cu2Ti4O+Ni2Ti4O layer reduced, the content of the α-Ti+(Ti,Zr)2(Cu,Ni) eutectic phase decreased, while that of the coarse α-Ti phase gradually increased. The shear strength of the joints did not show a close relationship with the thickness of the TiO+TiO2+Cu2Ti4O+Ni2Ti4O layer. However, when the coarse (Ti,Zr)2(Cu,Ni) phase was non-uniformly distributed in the α-Ti phase, or when α-Ti solely situated at the center of the joint, forming a coarse block or even connecting into a continuous strip, the shear strength greatly decreased. 相似文献
84.
85.
本文介绍了五种THz传输波导的类型,包括平板波导、裸金属线、空心金属波导、微结构波导器件、电介质光纤及研究现状。 相似文献
86.
根据已有的实验数据,建立扁管的(当量直径为0.199~1.923mm)三维数值模型,分析平行流换热器中管壁的轴向导热及扁管的内外壁温差对换热的影响程度。结果表明:Re数较低时(Re=185),忽略管壁的轴向导热对Nu数的影响很大,使Nu数值偏小,偏差最高达50%以上;Re数较高时(Re=8 166),用扁管的外壁温度代替内壁温度,同样也会使Nu数值偏小,偏差高达55%以上。故平行流换热器中管壁厚度对换热的影响不能忽略。 相似文献
87.
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90.
BNST薄膜电容的制备及电性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用磁控溅射法在覆釉95-Al2O3陶瓷基片上制备了BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2(BNST)微波介质薄膜为介质的金属-绝缘体-金属结构电容器。原子力显微镜(AFM)显示在800℃退火0.5 h后的BNST薄膜晶粒形状完整;XRD图谱显示薄膜化后BNST晶体面间距减小;电性能测试表明,1 MHz频率下BNST薄膜介电常数为77.2,介电损耗为0.25%,-55~125℃范围内介温系数为-51.8×10-6/℃,30 V偏压下漏电流密度为3.28×10-8A/cm2。 相似文献