全文获取类型
收费全文 | 3224篇 |
免费 | 338篇 |
国内免费 | 338篇 |
专业分类
电工技术 | 137篇 |
综合类 | 296篇 |
化学工业 | 418篇 |
金属工艺 | 438篇 |
机械仪表 | 328篇 |
建筑科学 | 210篇 |
矿业工程 | 63篇 |
能源动力 | 121篇 |
轻工业 | 81篇 |
水利工程 | 75篇 |
石油天然气 | 46篇 |
武器工业 | 43篇 |
无线电 | 599篇 |
一般工业技术 | 731篇 |
冶金工业 | 82篇 |
原子能技术 | 94篇 |
自动化技术 | 138篇 |
出版年
2024年 | 20篇 |
2023年 | 96篇 |
2022年 | 105篇 |
2021年 | 114篇 |
2020年 | 116篇 |
2019年 | 132篇 |
2018年 | 94篇 |
2017年 | 93篇 |
2016年 | 108篇 |
2015年 | 127篇 |
2014年 | 204篇 |
2013年 | 152篇 |
2012年 | 182篇 |
2011年 | 167篇 |
2010年 | 178篇 |
2009年 | 161篇 |
2008年 | 288篇 |
2007年 | 213篇 |
2006年 | 192篇 |
2005年 | 174篇 |
2004年 | 137篇 |
2003年 | 132篇 |
2002年 | 114篇 |
2001年 | 99篇 |
2000年 | 97篇 |
1999年 | 66篇 |
1998年 | 67篇 |
1997年 | 57篇 |
1996年 | 46篇 |
1995年 | 38篇 |
1994年 | 29篇 |
1993年 | 26篇 |
1992年 | 13篇 |
1991年 | 21篇 |
1990年 | 22篇 |
1989年 | 8篇 |
1988年 | 4篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 2篇 |
1981年 | 2篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有3900条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
关于粘性土击实过程中微观结构定量评价的讨论---与施斌同志商榷刘松玉(东南大学岩土工程研究所,南京,210096)微观结构是决定土的工程性质的重要因素,近年来,随着电子显微镜技术的发展,微观结构研究取得了长足的进步,如何定量描述微观结构是各国学者正努... 相似文献
42.
为了研究微通道壁面随机粗糙度对流体流动和传质特性的影响,采用随机排布准则构建具有典型粗糙元类型的随机粗糙微通道壁面,利用有限元方法分析壁面随机粗糙度对流速、压降、流动阻力和传质性能的影响,并给出粗糙微通道内部Poiseuille数和分子传质扩散的近似变化规律。结果表明,流体在粗糙微通道近壁面区域和主流区的流速差异较大,近壁面区域流动分离现象明显;与光滑微通道相比,粗糙微通道内部各位置的压降和Poiseuille数沿着流动方向呈近似线性增大趋势;微通道壁面粗糙度的存在可以强化流体分子的传质扩散速率,但受粗糙度类型和相对粗糙度的影响较大。 相似文献
43.
对用CVI法制备的SiCp/SiC复合材料的氧化性能进行了研究。材料含有的气孔和破坏氧化膜连续性的杂质元素,为氧气扩散提供通道;氧化过程中形成的气孔,导致了新的自由表面的暴露和空气扩散通道,进而加剧氧化。在材料的高温氧化过程中,SiC的氧化生成SiO2膜导致试样质量增加,玻璃碳界面层的氧化生成CO的逸出导致试样质量损失。最后的质量变化是这两种综合作用的结果。在高温氧化过程中,材料的空隙增多,应力集中加强,界面层被破坏使SiCp/SiC复合材料的强度下降。 相似文献
44.
为解决单晶锗微结构元件超精密金刚石切削加工的技术难题,提出采用超声振动辅助切削技术提高单晶锗的临界未变形切屑厚度,并推导了微结构切削中切屑厚度的理论计算公式. 进行微圆弧金刚石刀具的振动辅助微切削实验,研究临界未变形切屑厚度随振幅的变化规律,分析微槽表面加工质量和切屑形貌等. 分析4.5 μm和10.0 μm深的十字槽、矩形凸台等微结构的加工质量,针对微槽边缘的加工损伤问题,采用“切深递减”同时结合横向进给的工艺方法. 实验结果表明:微槽切削中切削深度的理论计算值存在较大的误差,应选用直接测量法;振动辅助切削的临界未变形切屑厚度随着振幅的增加而增大,最高达到了704 nm,是普通切削深度的5.2倍. 与普通切削相比,振动辅助加工可以在一定程度上降低微槽表面粗糙度. 采用振动辅助微切削技术能够在大切深条件下加工出具有较高表面质量和轮廓精度的微结构,能够有效解决微槽侧面加工损伤问题,微槽表面粗糙度Ra值低至3.09 nm. 相似文献
45.
46.
TMAH腐蚀液制作硅微结构的研究 总被引:6,自引:2,他引:4
通过各向异性腐蚀硅微结构工艺,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀液的特性,包括硅(100)晶面腐蚀速率与TAMH溶液浓度、温度、pH值以及过硫酸铵添加剂的关系,并采用原子力显微镜研究了不同腐蚀条件下硅的表面形貌,研究表明:随TMAH溶液的浓度的降低和腐蚀温度的提高,腐蚀速率提高,硅腔的表面粗糙度增大;过硫酸铵添加剂明显改善了硅微腔的表面平整度.本研究所确定的最佳腐蚀工艺条件为:溶液中TMAH浓度为25%,过硫酸铵添加剂浓度为3%,腐蚀温度80℃.在此工艺条件下腐蚀出了深度为230 μm、表面粗糙度小于50 nm的硅微腔. 相似文献
47.
目的 研究磁控溅射制备金属Ir膜的过程中溅射参数对Ir膜表面微结构和晶体质量的影响,制备高质量(100)取向的外延Ir膜,为单晶金刚石的异质外延生长奠定重要基础。方法 通过磁控溅射技术在单一改变参数(溅射功率、溅射厚度)的条件下制备金属Ir膜,通过分析原子力显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射、电子背散射衍射等测试结果,研究了各条件对所制备Ir膜粗糙度、表面形貌、晶体结构和取向的影响,并通过摇摆曲线衡量真空退火对薄膜晶体质量的优化效果。结果 在(100)MgO衬底上外延生长的Ir膜具有均匀的微结构,该结构由规则且紧密的矩形颗粒排列而成。薄膜表面微结构特征尺寸随溅射功率升高而逐渐减小;当功率为45 W时,Ir(200)X射线衍射峰强度最大、半高宽最宽;而随着厚度的增大,Ir(200)X射线衍射峰的半高宽及强度均增大。经优化的Ir膜表面光滑(Ra<0.5nm)、薄膜晶体质量高(θFWHM<0.5°)。结论 功率、厚度和退火处理都会影响薄膜晶体质量和表面微结构尺寸,合适的功率和厚度结合退火处理能获得具有特定表面微结构的高质量Ir膜。 相似文献
48.
采用电泳沉积法结合化学气相渗透技术制备碳纳米管二次增韧的连续碳纤维增韧碳化硅(CNTs-C/SiC)复合材料。通过改变热解碳(PyC)界面上电泳沉积CNTs的时间,控制C/SiC复合材料中CNTs的含量,通过测试拉伸强度和断裂功,研究了CNTs含量及热处理对复合材料力学性能的影响。结果表明:在C/SiC复合材料PyC界面层上电沉积CNTs,能够大幅提高材料的拉伸强度和韧性。电沉积CNTs时间为5、8和10min时,CNTs-C/SiC复合材料的拉伸强度和断裂功分别提高了10.7%、39.3%、45.2%和31.1%、35.9%、46.5%。对未电沉积、电沉积8和10min的CNTs-C/SiC复合材料进行1 800℃热处理,发现材料的拉伸强度分别提高了64.4%、39.4%和49.5%。 相似文献
49.
50.