掘进机自动集中润滑系统设计

根据掘进机的实际工作情况,介绍了掘进机自动集中润滑系统的选型和润滑形式的确定原则,详细阐述了掘进机各润滑点耗脂量和润滑系统中各元件参数的计算方法。经实践证明,自动集中润滑系统大大延长了掘进机的寿命和提高了掘进机的可靠性。     

基于Web的数据库入侵技术及其安全防范对策研究

分析了基于Web的数据库系统的安全框架,逐个分析网络系统、操作系统和数据库管理系统的安全技术,从3个层面由表及内综合阐述数据库防止入侵的技术与对策。     

正交正放单层鞍型网壳在强震下的失效研究

对跨度40m正交正放单层鞍型网壳在强震作用下的失效机理进行研究。通过典型算例探讨结构在强震作用下的响应特征,考察结构的节点位移、不同屈服程度杆件比例、不同失效程度杆件等多项结构响应随荷载强度递增的变化规律;可认为单层鞍型网壳在强震下发生明显的动力强度破坏,综合结构的典型响应提出一种失效极限荷载的确定方法。在系统参数分析的基础上,讨论高跨比、屋面质量、初始缺陷等因素对结构失效极限荷载的影响规律,并讨论考虑下部支承结构刚度因素对上部鞍型网壳强震失效极限荷载、失效模式的影响规律。     

超高层施工监测系统的研发与应用

随着超大型结构的迅速发展,传统人工检测方法的工作效率与测量范围难以满足结构施工安全的需要,大量超限结构的施工安全缺少实测数据支持,有必要对大型施工监测系统进行深入研究。以京基金融中心为工程背景,对超高层施工监测系统进行研究,将施工全过程模拟技术运用于测点优化布置,依据施工模拟过程中的结构响应变化规律,制定合理的温度、竖向位移、应力测点布设方案;依据传感器和采集硬件的自身适用标准及相关选型原则,对二者进行具体的优化选型,并运用Labview平台开发超高层施工监测软件系统;将无线传输技术运用到系统监测中,制定无线分散式数据传输网络方案,解决复杂施工现场的数据实时传输问题;最后采用合理安装工艺及现场保护措施,对京基金融中心施工监测系统进行现场搭建,并进行现场数据采集。监测数据分析表明：系统工作稳定,数据趋势性良好,可以反映结构受日照及季节影响的温度变化规律,获得结构施工过程中的力学响应指标,为了解施工过程中的结构状态及相关工程决策提供实测依据,同时系统的建立与运行也为类似大型工程的高集成度及自动化施工监测的实施提供了参考。图19表2参17     

提高辽河外围盆地气测解释符合率的探索与实践

辽河油田外围盆地储集层原油性质大部分属于中质油或重质油,反映在气测组分上,稠油气测组分表现为以C1为主,C1相对含量大于90%,其余为C2和C3,C4很少或没有,加之其储集层具有低孔、低渗和低压的特点,使气测显示幅度偏低,单凭外围盆地组分数据很难区分油层和气层,辽河坳陷气测解释图板已经不能直接应用。为了提高气测解释符合率,针对外围盆地气测录井显示特征,研究了气测录井的显示规律,通过消除组分基值对气测解释的影响,修正了辽河坳陷气测解释图板,重新确定外围盆地的3H解释标准。由41口井380层实例验证,气测解释符合率由原来的80.6%提高到88.2%。     

基于模糊最大散度差判别准则的自适应特征提取模糊聚类算法

指出皋军等人提出的基于模糊最大散度差判别准则(Fuzzy Maximum Scatter Difference Discriminant Criterion,FMSDC)的聚类算法(Fuzzy Maximum Scatter Difference Diseriminant Criterion Based Cluster...     

水灾后加密自动气象站的维护

笔者根据多年的实际工作经验,结合2010年吉林省吉林市发生的重大洪涝灾害之后对区域加密自动气象站进行维护的体会,提出了在水灾之后加密自动气象站维护的方法。     

物我之境:田园/城市/建筑 2011成都双年展国际建筑展主题演绎

文章围绕2011年成都双年展国际建筑展"物我之境:田园/城市/建筑"的主题,在当代中国城市化的现实语境下,对"物/我"、"田园/城市"、"人/环境"等概念进行诠释和演绎。     

朱砂七总鞣质的提取及抗氧化活性研究

考察了朱砂七总鞣质的含量及抗氧化活性.以60%丙酮为溶媒提取朱砂七鞣质,用铁氰化钾还原法测鞣质的还原能力,以Fenton反应为产生·OH模型,以邻苯三酚自氧化反应为产生O2-·模型,用分光光度法测定鞣质对模型中产生的·OH和O2-·的清除作用.结果表明朱砂七鞣质的还原力随浓度的增大而增大,朱砂七鞣质对O2-·和·OH的...     

MOS Capacitance-Voltage Characteristics Ⅱ.Sensitivity of Electronic Trapping at Dopant Impurity from Parameter Variations

Low-frequency and high-frequency Capacitance-Voltage（C-V） curves of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors（MOSC）,including electron and hole trapping at the dopant donor and acceptor impurities,are presented to illustrate giant trapping capacitances,from>0.01C_ox to>10C_ox.Five device and materials parameters are varied for fundamental trapping parameter characterization,and electrical and optical signal processing applications.Parameters include spatially constant concentration of the dopant-donor-impurity electron trap,N_DD,the ground state electron trapping energy level depth measured from the conduction band edge, E_C—E_D,the degeneracy of the trapped electron at the ground state,g_D,the device temperature,T,and the gate oxide thickness,x_OX.