深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法的研究

基于BSIMSOI对深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法进行了研究,提出一种借助ISE器件模拟软件进行参数提取的方法。该方法计算量小,参数提取效率高,不需要进行繁琐的器件数学建模,易于推广。将该方法提出的模型参数代入HSPICE进行仿真,模拟结果与实验数据相吻合,证明了这种方法的有效性和实用性。     

基于风力机参数辨识的最大风能捕获

为了解决当风力机参数辨识错误或有扰动误差时,最大风能捕获策略出现的风能利用率下降问题,提出基于最小二乘法中的遗忘因子法辨识风力机参数,进而利用所得参数计算风力机工作于最大功率点时的最佳转速,结合定子磁链定向矢量控制技术实现最大风能捕获。以随机风为例,对1.5MW双馈变速恒频风力发电系统在风力机参数有误及辨识正确后的运行特性进行了仿真比较,结果表明,参数辨识正确后的系统在稳态和动态情况下都能很好地捕获最大风能,且风速响应速度快,鲁棒性良好。验证了所提出控制策略的有效性和正确性。     

双馈异步发电机的不同目标优化控制

在变速恒频风力发电系统中,双馈异步发电机的设计和控制直接关系到系统的经济成本和机组的运行效率。文章从不同控制目标的角度出发,提出全补偿、最小铜损、转子电流最小3种电机优化控制方式。建立不同方式下控制信号的数学模型,指出定、转子有功、无功功率的关系及各种方式控制性能的优缺点和适用场合。最后对1.5 MW双馈异步发电机在不同控制方式下的运行特性进行比较,验证了上述关于运行特性分析的正确性。     

新一代眼用镜片的拟真设计

1引言 拟真技术是在过去几年大规模开发出的一种工具,极具现实可能性[1,2].这个工具已经被广泛应用在各种领域,尤其是在工业领域中,主要用来设计新产品和开发新的工艺流程.     

双栅双应变沟道全耗尽SOI CMOS的瞬态特性分析

在提出双栅双应变沟道全耗尽SOl MOSFET新结构的基础上,模拟了沟道长度为25nm时基于新结构的CMOS瞬态特性.结果表明,单栅工作模式下,传统应变SiGe(或应变Si)器件的CMOS电路只能实现上升(或下降)时间的改善,而基于新结构的CMOS电路能同时实现上升和下降时间的缩短;双栅模式下,CMOS电路的上升和下降时间较单栅模式有了更进一步的改善,电路性能得以显著提高.     

双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs的特性分析

提出了一种全新的器件结构--双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs,模拟了沟道长度为25nm时器件的电学特性.工作在单栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)驱动能力与体Si沟道相比,nMOS提高了43%,pMOS提高了67%;工作在双栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)与体Si沟道相比较,驱动电流的提高nMOS为31%,pMOS为60%.仿真结果表明,双栅模式比单栅模式有更为陡直的亚阈值斜率,更高的跨导以及更强的抑制短沟道效应的能力.综合国内外相关报道,该结构可以在现今工艺条件下实现.     

中国和美国剪力墙设计规范的对比

中国规范对剪力墙最小配筋率,设置边缘构件的判定条件等一系列规定都是根据抗震等级来判定,而美国规范是通过详细的计算来判定。而且二者在设置边缘构件的方式上也存在很大差异。本文通过结合具体算例进行对比,以期对剪力墙设计概念有更加深入的认识,便于更加灵活的应用规范。     

阀厅金具大电流温升试验及仿真计算

随着直流输电容量的不断提升,对阀厅金具通流容量,载流的可靠性、耐热性提出了更高的要求。在直流输电工程中,阀厅金具承担着电力设备的电气连接、机械固定及均压屏蔽的作用。其运行电流大、工作电压高、散热条件较差,因此研究容量提升后现有阀厅金具的运行可靠性十分必要。以2种阀厅典型金具为研究对象,应用等效圆柱体模拟接触电阻,以及电-热耦合方法对金具温度场进行了有限元仿真计算,同时进行了大电流温升试验,使用红外热像仪等设备测量分析了铝排、绞线的分流不均现象,以及焊接、螺栓连接处的局部过热现象。大电流温升试验及仿真分析表明：在电流为5.62 kA时,试品金具存在局部过热及分流不均的现象,仿真结果与试验吻合。     

刚性防渗墙提高土石坝坝坡稳定性的作用机理分析

通过依托大型非线性有限元软件ＡＢＡＱＵＳ,运用有限元强度折减法,分析了增建防渗墙前后土 石坝的渗流场、应力场的变化以及上、下游坝坡稳定安全系数的变化,探讨了防渗墙对坝坡稳定的影响 规律。结果表明:增建防渗墙可对坝体渗流场起到明显的截流作用,提高下游坝体的有效应力场,同时 也提高了下游坝坡稳定的安全系数,从而使土石坝坝体的整体稳定性得到增强;提出的三种失稳评价标 准在求解坝坡稳定强度折减系数方面具有合理性和适用性;选取适当刚度的防渗墙在增强坝体整体稳 定性同时能兼顾经济和安全。