一种基于di_C/dt反馈控制的大功率IGBT驱动保护方法

针对大功率IGBT提出一种新型的有源门极驱动保护方法。在IGBT正常开通与关断过程中,利用di_c/dt反馈控制,设计软开通及软关断电路,有效缩短IGBT的开通与关断时间,提高IGBT的开关频率,减小器件功率损耗;在IGBT发生短路时,结合di_c/dt反馈技术,设计改进型有源钳位保护电路,实现IGBT软关断,防止关断时产生较大的过冲电压损坏IGBT,同时有效减小门极触发电阻R_g上的损耗。利用Saber软件进行电路仿真,并基于大功率IGBT模块YMIF1200-33实验平台,验证方案的可行性,结果表明,相对于传统控制方案,正常开关情况下,开通时间缩短了26.5%,关断时间缩短了52.6%;短路情况下,相对于传统有源钳位方法,改进方案在有效钳住V_(CE)电压的同时,关断期间门极电阻上的电流减小到原来的35.4%,并能在短路发生的第一时间迅速可靠地关断IGBT。     

外科手术切口感染原因及预防

切口感染是外科术后常见并发症之一,如何降低切口感染率,是值得进一步探讨的问题。1外科感染细菌学及其途径近年来,各种抗生素的广泛和大量应用,并未明显降低切口感染率,相反有增加趋势。究其原因,主要是致病菌发生了明显变化。20世纪60年代以前,创伤和外科感染的主要病原菌是革兰阳性(G )球菌,即金黄色葡萄球菌和化脓性链球菌;70年代以后,则逐渐被革兰阴性(G-)杆菌(大肠杆菌、克雷伯菌属、绿脓杆菌)所代替,两者分别是30%～40%和60%-70%;80年代以后,以耐药性高为特征的肠杆菌属(阴     

学分制条件下半导体集成电路课程体系改革与实践

从半导体集成电路课程教学的现状出发,在教学内容、教学方法和实践环节等方面进行了课程体系的改革与探索,形成了学分制条件下“以学生为本、软硬兼施、强化实践、激发思维“的课程体系。在教学内容上充分考虑本课程的“集成性“,在强调基本知识的同时,注重各相关知识的交叉与集成;在教学方法上,用计算机技术弥补传统教学中的缺点,同时引入最新的研究动态,使学生在掌握基本知识点的同时,了解最先进的技术;在实践环节上“软硬“兼施,不仅设置“硬件“实验,而且开设“软件“设计仿真,强化动手能力。     

基于2SC0535的大功率IGBT驱动保护电路设计

对2SC0535的驱动特性给出了详细介绍,分析了其短路保护、有源钳位、电源欠压保护以及隔离的DC/DC变换器的实现原理,并设计了基于2SC0535的3 300 V/1 200 A IGBT驱动保护电路。最后给出了该驱动电路的实验波形,验证该设计良好的驱动保护性能,适合要求高可靠性的工业和牵引应用领域。     

视觉假体高阶调制解调系统VLSI优化设计

视觉假体中无线能量传输效率和无线数据传输速率随着信号载频频率增大而减小。为此,提出将16DAPSK高阶调制解调技术应用于视觉假体中。分析16DAPSK在视觉假体中的应用优势,给出16DAPSK超大规模集成电路(VLSI)算法和硬件结构。结合滤波器系数对称、简化的RAG算法图等实现电路的VLSI优化设计。基于DE4平台完成系统硬件验证、数据传输速率、能量传输效率分析与实验。结果表明,系统工作正确,采用16DAPSK技术可简化电路解调硬件结构,解决信道延迟的不定性问题,提高视觉假体应用的可靠性。VLSI优化后的硬件资源减少57%,体积减小,提高了视觉假体临床应用的可行性。较传统低阶调制技术,16DAPSK高阶调制在较高的数据传输速率下,载波频率的降低提高了能量传输效率,解决了能量与数据传输效率矛盾的问题。     

深亚微米SOAN MOSFETs的高温应用分析与结构优化

在300-600K温度范围内分析并模拟了栅长为100nm的SOI(Silicon On Insulator)和SOAN(Silicon On Aluminum Nitride)MOSFETs的输出特性和有源区温度分布,得出了SOAN器件更适合高温应用的结论;针对高温应用环境,对SOAN器件结构参数及工艺参数进行优化,得出了各个参数的优化值,并使用优化后参数仿真CMOS反相器的瞬态特性,结果显示在环境温度为300K和500K时,SOAN CMOS门极延迟分别为19ps、25.5ps;而SOI CMOS的门极延迟在相同的温度下分别为28.5ps、35.5ps.     

赤子爱胜蚓(Eisenia foetide)对土壤中莠去津残留和消解动态的影响研究

为了探讨赤子爱胜蚓对莠去津在土壤中的降解过程和消解动态及其影响因素,通过盆栽实验研究了不同浓度的莠去津在人工土壤中的降解速率。结果表明:莠去津在土壤中的降解系数和半衰期大小与莠去津浓度有关,半衰期随着浓度的增加而缩短。土壤中不同浓度莠去津的降解速度缓慢,降解速率为0.02449～0.2625d-1,半衰期为26.4～28.3d;接种赤子爱胜蚓后,降解速率为0.02707～0.02864d-1,半衰期降为24.2～25.6d,使半衰期缩短了2.3～2.7d;而且莠去津浓度大小与半衰期长短之间存在一定的线性关系。     

陶瓷抛光废料对多孔陶瓷轻质砖性能及结构影响的研究

以建筑陶瓷抛光废料为主要原料研制了以石英和莫来石为主晶相的多孔陶瓷轻质砖,并采用XBD、显微镜分析了建筑陶瓷抛光废料掺量对多孔陶瓷轻质砖的晶相、气孔结构和断裂模数的影响。研究结果表明：增加建筑陶瓷抛光废料掺量可提高多孔陶瓷轻质砖的气孔率,但会降低其断裂模数;而加入锻烧Al2O3、不仅可提高建筑陶瓷抛光废料的掺量,而且可促进多孔陶瓷轻质砖中堇青石和刚玉的形成,从而改善其断裂模数等力学性能。     

新型SiGe/Si异质结开关功率二极管的特性分析及优化设计

将SiGe技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了新型Si Ge/Si异质结p-i-n开关功率二极管结构,在分析器件结构机理的基础上,用Medici模拟了该器件的特性并进行了优化设计.结果表明,该功率二极管具有低的正向压降,较少的存贮电荷,其性能远远超过Si的同类型结构.这种性能的改进无需采用少子寿命控制技术,因而很容易集成于功率IC中.     

新型SiGe/Si异质结开关功率二极管的特性分析及优化设计

将SiGe技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了新型Si Ge/Si异质结p-i-n开关功率二极管结构,在分析器件结构机理的基础上,用Medici模拟了该器件的特性并进行了优化设计.结果表明,该功率二极管具有低的正向压降,较少的存贮电荷,其性能远远超过Si的同类型结构.这种性能的改进无需采用少子寿命控制技术,因而很容易集成于功率IC中.