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81.
5 W Si衬底GaN基HEMT研究
刘晨晖
冯震
王勇
冯志宏
默江辉
蔡树军
《半导体技术》
2008,33(1):62-64
介绍了Si衬底上外延生长GaN基HEMT的制备及其直流特性与微波特性的研究结果:栅宽200 μm器件Vgs=0 V时饱和电流密度达0.975 A/mm,最大跨导240 mS/mm,夹断电压-4.5 V,栅漏击穿电压80 V;栅宽1 mm器件,在频率2 GHz下,工作电压Vds=25 V时,连续波输出功率为5.0 W,功率增益为9 dB,功率附加效率为35%.
相似文献
82.
微波单片电路中通孔的建模
胡志富
王生国
何大伟
蔡树军
《半导体技术》
2008,33(3):272-274
分析了理论公式在计算截圆锥通孔电感中的局限性.设计了频率在20 GHz以下GaAs基微波单片电路中通孔的专门测试结构并建立了其对应的等效电路,用去嵌入寄生参数的方法和安捷伦公司标准的IC-CAP建模系统提取了通孔的模型参数.发现对截圆锥结构的通孔,用公式计算出来的通孔的电感值比实验的结果大36%.设计了一个14-18 GHz、增益大于17 dB、输出功率为1W的GaAs基微波单片电路,验证了模型的准确性.
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