焊接热输入对近焊缝区组织性能的影响

采用焊接热模拟技术模拟不同焊接热输入条件下,峰值温度为1 350℃时对应近焊缝区的组织和性能,并对母材进行宏观力学特性测试;对比分析不同焊接热输入条件下所得近焊缝区的组织和性能。结果表明:经过3种不同焊接热输入所得近焊缝区的组织均由板条状贝氏体和少量碳化物组成;随着焊接热输入的增加,近焊缝区组织晶粒变大,贝氏体板条束变粗变厚,析出的碳化物数量增多,并且强度降低、韧性增强,但总体上跟母材的性能基本一致;当焊接线能量为12 kJ/cm时近焊缝区达到最佳的强韧性匹配。     

原位反应生成灰铸铁基复合材料的微观组织及机理研究

将铬合金丝与灰铸铁进行铸造复合及热处理,采用原位法制备出碳化物颗粒增强铁基复合材料.利用XRD、SEM和EDAX对该复合材料的微观组织进行观察.结果表明:在1160℃下保温20、22 min后,该复合材料中生成M7C3型碳化物,靠近合金丝边缘的为细小颗粒状,远离合金丝为板条状,同时在复合材料中出现珠光体；保温24min后,合金丝与基体完全反应,生成的碳化物与保温26 min时一致,全部为M3C型.     

溶剂对细间距用无铅焊锡膏抗热塌性的影响

焊接后出现桥连、短路是高密度电子组装中经常遇到的问题。通过回流焊接实验和抗热塌性实验,研究了助焊剂中溶剂的复配对焊锡膏抗热塌性的影响。结果表明:四氢糠醇与丙二醇苯醚按质量比3:2复配得到的焊锡膏焊点光亮饱满,铺展率达到84.83%,抗热塌性(150℃)优异。四氢糠醇与聚乙二醇单甲醚250(MPEG250)按质量比1:1复配得到的焊锡膏助焊性良好,焊点铺展率高达86.55%,具有优异的抗热塌性(150℃),并在180℃下仍表现优异,且最小不桥连间距为0.06 mm,满足超细间距条件下的焊接要求。     

热氧化温度对非平衡磁控溅射TiN镀层的影响

通过SEM和XRD法,研究不同热氧化温度下闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术制备的TiN镀层形貌、相结构及性能的变化。结果表明:非平衡磁控溅射离子镀TiN镀层在700℃以下性能基本稳定,具有良好的热氧化性能,尽管600℃时生成少量TiO2相,但600℃之前断口形貌及组织结构保持稳定;700℃时镀层的单位质量氧化增重率迅速增加,氧化曲线出现拐点,镀层失效。     

非对称焊接接头断裂场及其复合因子参数

结合裂纹尖端位移场的分布规律,讨论了熔合线含裂纹焊接接头的模型复合因子Mp的计算途径以及焊接接头裂纹尖端位移(COD)断裂参量的分解情况.应用有限元方法分析了不同载荷作用下,熔合线含裂纹焊接接头Ⅰ Ⅱ模型复合裂纹的复合角φ值,并对数值解的结果进行了曲线拟合与线性回归,得到了模型复合型非对称应力应变场焊接接头复合角的工程计算途径.     

钛酸锶钡薄膜微细图形的制备

采用化学修饰的溶胶凝胶工艺,制备了具有紫外光感应特性的钛酸锶钡(Ba0.8Sr0.2TiO3)溶胶及其凝胶薄膜.提出了钛酸锶钡薄膜微细加工的新方法,即以苯酰丙酮(BzAcH)为化学修饰剂,乙酸钡、氯化锶、钛酸丁酯为原料,甲醇为溶剂,乳酸为催化剂,合成了具有螯合物结构的前驱溶胶体系.其螯合物的特征吸收峰在358nm附近,该溶胶及其凝胶薄膜在室温下有较好的化学稳定性;高压汞灯产生的紫外光照射可以分解薄膜中的螯合物结构,伴随着这种螯合物结构的分解,薄膜在乙醇中的溶解性迅速降低,从而表现出紫外光感应特性.利用这种光感应特性,采用紫外光通过掩膜照射薄膜,然后在乙醇中溶洗,获得了凝胶薄膜的微细图形,进一步通过600℃晶化热处理,最后得到了具有钙钛矿相结构和铁电特性的钛酸锶钡薄膜的微细图形.     

微电机用异型断面Ag-Cu-Cd丝材的工艺研究

本文探讨了加工工艺对微电机换向器用Ag-Cu-Cd异型断型面丝材的成型性和表面质量的影响。旨在获得最佳的生产工艺制度。     

CuW复合材料的超声波探伤研究(一)

本文主要研究如何利用超声纵波对CuW复合材料的质量进行检测，第一部分根据CuW复合材料的缺陷特点，分步采用垂直粗探伤法和衰减精探伤法对CuW复合材料进行探伤，对比分析了探伤过程中灵敏度的确定、探头的选择以及不同牌号材料的探伤问题，从而确定了对CuW复合材料进行超声波探伤的最佳方法和参数条件。     

新一代国产化高速铁路接触线的研究与开发

在分析国内外高速电气化铁路接触网用接触导线的使用现状及发展趋势的基础上,建议我国应尽快研制国产铜合金接触线,以加速高速铁路接触线国产化的进程.进一步指出时效强化型铜合金Cu-Ag、Cu-Cr合金,可通过添加微量合金元素Cr、Zr,使其导电率大于80%IACS,强度达到600MPa,作为接触导线的理想材料.     

Mg-4Al-2Si合金固溶处理过程中Mg2Si相颗粒的球状化

实验研究了Mg-4Al-2Si合金固溶处理过程中汉字状Mg2Si相颗粒的球化现象及其工艺参数对球化的影响.结果发现:Si沿Mg/Mg2Si界面扩散,使粗大的汉字状Mg2Si颗粒发生部分溶断,并依靠自发球化的趋势通过向未溶的粒状Mg2Si扩散聚集完成球化;最佳球化工艺为420℃保温16h.