一种用于汽车电子导航的基因算法

介绍一种基于全球定位系统(GPS)和电子地图(GIS)的车辆路径诱导系统基因算法,实验结果显示,相比常用的Dijkstra’s算法,基因算法在布线时间上减少60%。     

数字电视接收芯片中数控晶体振荡器的设计

运用负阻模型分析石英晶体振荡器,设计实现了一种用于数字电视接收芯片的数控石英晶体振荡器(DCXO).该DCXO采用Pierce结构,利用基带与振荡器的反馈环路产生的6位自动频率控制信号对振荡器的频率漂移进行校准,得到长期稳定的频率输出.电路采用TSMC混合/RF 0.13 μm CMOS工艺实现,中心频率为24 MHz.在1.2 V电源电压下的仿真结果显示:数控范围72×10-6@24 MHz,调节精度1×10-6/step,启动时间约900 μs,振荡器振荡峰值为0.8 V;在偏离中心频率1 kHz和10 kHz处的相位噪声分别为-141 dBc和-155 dBc.该振荡器除石英晶体外,均集成在片内.     

陷阱分布模型对非晶Si太阳电池性能的影响

利用TCAD软件模拟分析了ITO/p-a-Si:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H结构的非晶硅太阳电池的J-V特性,研究了不同缺陷分布模型对太阳电池光电特性的影响。利用一种较精确的陷阱模型优化了太阳电池的结构参数,重点研究了本征层厚度对太阳电池光电特性的影响。模拟实验表明,氢化非晶硅(a-Si:H)PIN结构太阳电池本征层厚度存在一个最佳区间,在该区间电池总体性能较为理想,包括对应的光电转换效率达到峰值。得到的a-Si:H太阳电池填充因子可达到约0.8,最高光电转换效率可达到约13%。     

升卧式闸门锁定装置的优化设计

针对现有升卧式闸门中机械锁定装置锁定区域行程较小,对启闭机控制要求较高的问题,以主滚轮半径为300mm的常规锁定装置为例,对锁定爪材料、锁定爪弧线的圆心角进行了优化设计,并比较了优化前后的锁定区域行程范围。实例应用结果表明,优化后的锁定装置具有较大的区域形成范围,方便启闭机的运行操作。     

ESD应力下改进型SCR器件设计与漏电特性优化

为探讨片上集成电路静电放电防护的易闩锁与漏电软失效问题,设计了一种内嵌MOS结构的N跨桥可控硅器件．传输线脉冲测试结果表明：与传统N跨桥改进型可控硅相比,该器件的电压回滞幅度减小了约28.6%．然而,当作用于该器件的瞬态电流从2.0A增大到3.2A时,漏电流从2.8×10^-7A逐渐退化至1.7×10^-5A,器件较易发生软失效．借助TCAD技术,仿真结果表明：在10^-4A的静电脉冲应力作用下,该器件内部晶格温度高达1160.5K．通过优化内嵌MOS结构的N跨桥可控硅器件的版图及其金属布线,削弱器件内部的功率密度聚集效应,可使器件在相同电应力下漏电流稳定在10^-9A量级．因此,该版图优化方法可有效地抑制器件的局部过热,提高片上集成电路的静电放电防护方案的热稳定性．     

多应力结构CMOS器件的模拟研究

使用TCAD仿真工具Sentaurus在45 nm节点工艺下模拟研究了包含多应力结构的应变Si CMOS器件。模拟所得的开关电流比与相同节点工艺下报道的实验结果能很好吻合,验证了所用模型及方法的正确性。用Sentaurus工艺模拟工具得到了器件内部的应力和掺杂分布,并用Sentaurus器件模拟工具分析了各种应力结构对电学特性的影响。结果表明：在nMOS中,SMT和DSL能有效提高器件性能,而STI却会降低器件性能;在pMOS中,SiGe S/D和DSL的存在是性能改善的主要原因,而STI对性能改善的帮助较小。     

Halo LDD结构多晶硅薄膜晶体管的模拟研究

提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构,这种结构是在基于LDD结构的基础上,在沟道靠近源、漏端引入高掺杂的Halo区.并利用工艺和器件模拟软件对该Halo LDD P-Si TFT的电学特性进行了分析,并将其与常规结构、LDD结构和Halo结构进行了比较.发现Halo LDD结构的P-si TFT能有效地降低泄漏电流、抑制阈值电压漂移和Kink效应;减少因尺寸减小后所带来的一系列问题.     

Spark Effect on the Densification of SiCp/Al Composites by SPS

1 IntroductionSiCp/Al composites have aroused considerable inter-ests in manyfields of industry due to their tailorable me-chanical and thermophysical properties .SiCp/Al compos-ites have been developed mainly as structural materials inapplicationfor automobile industries and aerospace indus-tries . However ,thermal management applicationsin elec-tronic packaging,such as substrates ,heat slugs and heatspreads have been focused on. Electronic componentsused in thermal management applications …     

应变硅pMOS晶体管沟道应变的有限元研究

通过有限元方法,研究了一种采用SiGe源漏结构的pMOS晶体管中硅沟道的应变及其分布情况,模拟计算结果与利用会聚束电子衍射方法测量得到的数据能够较好地吻合,验证了模拟模型及方法的正确性。结果表明:提高源漏SiGe中的Ge组分、减小源漏间距、增加源漏的刻蚀深度和抬高高度,能有效增加沟道的应变量,为通过控制应变改善载流子迁移率提供了设计依据。     

GaN基肖特基势垒二极管的漏电流传输与退化机制

通过比较反向偏压下AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(SBD)和GaN SBD的电流特性、电场分布和光发射位置,研究了GaN基SBD的漏电流传输与退化机制。结果表明,AlGaN/GaN SBD退化前后漏电流均由Frenkel-Poole(FP)发射机制主导,而GaN SBD低场下为FP发射电流,高场下则为Fowler-Nordheim(FN)隧穿电流。电场模拟和光发射测试结果表明,引起退化的主要原因是高电场,由于结构不同,两种SBD的退化机制和退化位置并不相同。根据实验结果,提出了一种高场FN隧穿退化模型,该模型强调应力后三角势垒变薄导致FN隧穿增强是GaN SBD退化的内在机制。