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51.
一、概述 为适应液压启闭机中液压油缸行程检测和控制的需要。自上世纪90年代中、后期,我国开始在部分水利工程项目上引进国外的CIMS(与陶瓷结合的测量系统)技术。但经过一段时间的使用暴露出一些问题,主要是油缸的密封圈容易损坏。分析表明,油缸的活塞杆采用陶瓷涂层后,在提高抗腐蚀能力的同时,降低了它的润滑性能。因此,在油缸做往复运动时,活塞杆与缸盖之间的密封件很容易磨损,导致密封件失效。  相似文献   
52.
利用数值模拟方法,研究组份渐变电子阻挡层(EBL)对InGaN/GaN发光二极管电学和光学特性的影响。结果表明,三角形组份渐变EBL结构能有效减小器件的开启电压,提高光输出功率,改善高注入电流水平下发光效率的下降情况。能带模拟结果进一步表明,三角形组份渐变EBL结构显著提高了导带底的电子势垒,可有效限制电子向P型GaN层的泄露,同时减小了价带顶的空穴势垒,可增强P型GaN层的空穴向有源区的注入效率,改善其在量子阱内的浓度分布。  相似文献   
53.
集成单电子晶体管SET(Single Electron Transistor)与射频共振电路的射频单电子晶体管RF SET(Radio Frequency Single Electron Transistor)是一种高速高灵敏的电荷计。通过建立RF SET的等效电路模型,对共振电路及其与射频传输线的集成进行模拟分析,得到了SET阻抗的最佳匹配,获得了所需的谐振频率、品质因子和对SET阻抗的灵敏度。结果表明,受电荷调制的SET阻抗直接影响着共振电路的品质因子、阻抗和射频透射/反射系数。射频信号随着SET的阻抗降低而减小,峰位基本不变。在SET阻抗小于200 kΩ时,共振信号幅度随阻抗的变化率较大。透射式与反射式两种结构相比,前者共振频率及品质因子更高,后者则具有更高的灵敏度优势。  相似文献   
54.
为满足SoC外设接口高带宽、外部电路接口多样性的要求,利用可编程状态机和波形描述符存储器,设计了一种通用可编程接口IP核.分别从接口硬件连接设计、固件程序设计、波形描述符设计和仿真平台设计等方面对接口的设计流程进行了详述.以8051 CPU核为基础,利用所设计的接口IP核构建了仿真验证环境,对接口IP核编程后实现了对外部存储器的访问,并通过比较写出和读入的数据验证了设计的正确性.  相似文献   
55.
单个ZigBee网络往往只有一个网关.单网关系统可能存在一些问题,如大数据量造成网络延时,网关节点坏掉使整个网络瘫痪等.为解决这些问题,提出了一种在单个ZigBee网络中设置多个网关的设计方法.将网络中所有传给单个网关的数据分成几部分分别传送给多个网关,各网关将数据进行转换后传输到以太网,PC端服务器通过TCP/IP协议汇总网关数据后集中处理.介绍了多网关系统的组成和工作原理,完成了系统软硬件设计,并详细描述了路由对最佳网关的选择过程,最后对系统进行了测试.测试结果表明,该多网关系统运行稳定,能有效弥补单网关ZigBee网络的不足.  相似文献   
56.
提出了一种采用集中式处理方式的ZigBee无线传感网络定位系统.该定位系统由网关节点、参考节点、子网关(增强型参考节点)、移动终端节点和PC服务器组成,可实现实时定位、终端报警等功能,具有实时性高、能耗低等优点.为了克服复杂环境和地域范围对ZigBee无线网络覆盖的制约,将整个无线网络分割成多个子网,并与传统的TCP/IP协议通信实现融合.该无线定位系统辅以相应传感器可同时用于数据采集和监控等应用.  相似文献   
57.
针对基于稀疏表示的目标跟踪中编码系数采用L_0或L_1范数正则,易造成NP难优化或预估偏差增大等问题,提出一种基于贝叶斯框架下的组合范数正则化稀疏编码和自适应加权残差的鲁棒跟踪算法.首先提出组合范数正则化稀疏编码,对目标函数编码系数同时进行L_0和L_1正则,根据其贡献程度赋予不同的权值,以增强目标外观模型的鲁棒性;其次在目标函数中引入残差项,赋予其自适应权重来缓解噪声、腐蚀和光照等离群子干扰;最后求解目标函数最小化所涉及的非凸病态问题,在加速近邻梯度算法框架下提出一种广义阈值法来迭代求解最优值.采用大量具有挑战性的序列进行实验的结果表明,与现阶段其他主流算法相比,该算法具有更好的鲁棒性.  相似文献   
58.
研究了氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)发生Kink效应的物理机制,并进行了实验测试。测试结果表明,当第一次扫描、漏极电压较大时,扩散进入耗尽区的电子在高场作用下形成热电子,碰撞电离出深能级施主态中的非平衡电子,第二次扫描的Kink效应减弱。当第一次扫描、漏极电压较小时,扩散进入耗尽区的电子被浅能级缺陷态捕获,第二次扫描的Kink效应增强。在开态下,增大反向栅极电压,可减小沟道电子浓度,进而减小电子捕获效应,Kink效应减弱。在半开态和闭态下,Kink效应不显著。最终得出,GaN缓冲层内类施主型缺陷态对沟道电子的捕获和热电子辅助去捕获,是Kink效应发生的主要原因。  相似文献   
59.
提出一种基于CIFB结构的新型三阶2-1级联∑-△调制器,设计了各级参数和数字校正电路,分析了积分器运算放大器的压摆率对信号带宽的影响;利用Matlab Simulink,对该调制器进行行为级仿真.在过采样率为128、输入信号带宽为50 kHz时,可达到93.8 dB的信噪比和15.30住的精度.该结构具有输入信号低失真的优点,可用于MEMS传感器的数据处理电路.  相似文献   
60.
添加Ni对Mg65Cu25Tb10非晶合金的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
利用常规的金属型喷铸法制备出不同直径的Mg65Cu25-xNixTb10(x=0~10.0)非晶合金.利用X射线衍射、差热分析、准静态压缩试验和扫描电镜,分析了添加Ni元素对Mg-Cu-Tb非晶合金形成能力及力学性能的影响.结果表明,Ni的加入降低了Mg-Cu-Tb-Ni合金的非晶形成能力与热稳定性,但适量的Ni可以显著提高合金的断裂强度,其中Mg65Cu20Ni5Tb10的断裂强度达到了943 MPa,远高于原始的Mg65Cu25Tb10三元非晶合金.  相似文献   
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