不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

高功率脉冲水中放电的应用及其发展

首先介绍了高功率脉冲水下放电的机理，然后综合论述了其应用和研究的状况，从较为成熟的脉冲水处理技术到医疗领域的ESWL应用技术，以及在脉冲电场食品杀菌和水下目标探测方面的最新发展和研究，最后指出了高功率脉冲电技术应用前景以及进行更系统和深入研究的必要性。     

一种新型的集成电路金属连线温度分析解析模型

研究了金属连线上的焦耳热对连线温度的影响,进而提出了一种新型的集成电路多层金属连线上的温度模拟器(LTem).该模拟器采用一种相对简单的热学解析模型,详细考虑了通孔效应以及边缘效应对温度分布的影响.模拟结果表明,考虑了通孔效应以及边缘效应之后,金属连线上的温度分布情况有了较大程度上的降低,LTem可以得到更贴近实际情况的金属连线温度分布情况.     

有线电视维护与检修技术

本书的特点是内容涵盖面广，包括概述，维修的基本知识，卫星电视接收系统、前端设备、电缆传输干线、光缆传输干线、多路微波分配系统（MMDS）、用户分配网络与用户终端等的维护与检修，维护与检修常用仪器仪表，共九章。对有线电视维护与检修所涉及到的基础知识、安装调试、设备维护、故障检修等技术均作了介绍。     

非线性双折射色散缓变光纤中极化调制不稳定性

利用光脉冲在光纤申传播时所遵守的相干非线性薛定谔耦合方程，研究了线偏振光在双折射色散缓变光纤申的传输特性．结果表明，线性双折射、非线性效应和色散的相互作用，使光的偏振状态发生变化，产生交叉相位调制(XPM)，从而导致相位匹配参量的四波混频．这一过程不仅在反常色散区产生，在正常色散区也能产生，并且当传输距离发生变化时，也随之发生变化．     

基于光子带隙(PBG)结构的小型K波段谐振式带通滤波器

提出了一种新的基于光子带隙结构的K波段谐振式带通滤波器，给出了近似设计公式，并在半导体衬底上，采用微电子的工艺实现了这种结构。这种滤波器设计方法简单，体积小，整个长度接近谐振频率上的导波波长，加工方便，便于与其他电路集成，带内损耗小，阻带范围宽，带外抑制高。另外，本文的理论分析和实验结果均基于半导体衬底，可以直接应用于微波集成电路中。理论模拟与实际测量值基本吻合。     

微波集成电路（MIC）中Au／NiCr／Ta多层金属膜粗糙化机理的AFM研究

Au/NiCr／Ta多层金属膜通过磁控溅射沉积在Si(111)基片上。XRD分析其晶体取向，SEM观察薄膜断面形貌，AFM研究薄膜表面粗糙度。结果表明薄膜表面粗糙度与沉积温度有关，随着沉积温度100℃→250℃的改变，薄膜表面发生从粗糙→光滑→粗糙的变化过程。根据不同的沉积温度探讨了薄膜表面粗糙化机理。     

深亚微米PD和FD SOI MOS器件热载流子损伤的研究

研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点，提出了相应的物理机制，以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移，研究了应力Vg对HCE退化的影响，并分别预测了这两种器件的寿命，提出了10年寿命的0．3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。     

CNTs/Polyester复合材料的微波吸收特性研究

研究了添加不同质量分数CNTs的聚酯基复合材料的电磁波吸收性能,初步分析了CNTs的螺旋结构和手征性质导致8～40GHz波段良好的吸收。其中厚度为1.40mm±0.05mm的CNTs/Polyester复合材料在25GHz有较强的吸收峰。     

聚乙烯辐照接枝体系中添加金属盐对接技率的影响

采用辐照接枝的方法，在高密度聚乙烯(HDPE)上接枝丙烯酸(AA)和对苯乙烯磺酸钠(SSS)，从而削备出了一种含羧酸基团和磺酸基团的阳离子交换膜。详细研究了接枝体系中引入添加剂醋酸钠或氯化钠对接枝率的变化规律．实验表明，在预辐照接枝和共辐照接枝中，当AA接技PE或AA与SSS共同接枝PE时，强碱弱酸盐醋酸钠通过pH效应同离子效应对接枝率呈现复杂的影响，而中性盐氯化钠经离子对效应显著提高接枝率。