仿真人造毛皮生产技术研究

以腈纶、氯纶和涤纶等化学纤维为原料,依据纤维特性,分别采用德国、日本及英国的先进设备,开发了平剪绒、仿羊羔绒毛皮、提花毛皮、仿绵羊绒霜花毛皮、提花沾尖长绒毛皮产品.研究了相关生产工艺路线及参数、设备及原料配比,并对产品进行了抗静电整理和柔软增光整理,与天然毛皮相比,具有手感滑爽、轻便柔软、色泽鲜艳、耐磨耐洗、视觉逼真的效果.产品可用于服装面料、衬里、壁毯、鞋帽和各种皮毛玩具和产业用布等,比天然毛皮的用途更为广泛.     

熔炼温度对含钼废渣冶炼的MoFe中杂质元素含量的影响

本文采用低温冶炼工艺,利用氨浸渣和钼酸钙两种含钼工业废渣进行了直接还原冶炼钼铁。在实验过程中,研究了熔炼温度对MoFe合金中C、P、S、Si、Cu等杂质元素含量的影响。实验结果表明：熔炼温度为1 500 ℃时,C含量最低为0.72%,其他杂质元素也符合相应的要求,故最佳熔炼温度为1 500 ℃。     

含氚废气中杂质气体去除材料研制

为去除含氚惰性废气中的CH₄、水气、O₂等杂质气体,采用溶胶凝胶法制备了65%Ni-10%Cu-25%SiO₂材料作为杂质气体消除材料,对材料进行XRD、SEM及程序升温还原表征,结果显示,少量Cu的加入增加了Ni的分散度,有助于稳定Ni的形态,避免Ni过早发生氧化。材料可以使Ar中的少量CH₄、O₂和水气得到有效的去除,在空速1000 h^-1时Ar中φ=1%CH₄和φ=1%CO₂重整时CH₄去除率达到81.5%以上,对于Ar中φ=1%O₂的去除率达到91.8%以上,对于Ar中φ=1%水气的去除率达到91.7%以上。实验还发现低浓度的CH₄可以与水气及O₂发生反应而去除,空速10000 h^-1催化φ=1%水气和φ=1%CH₄反应,CH₄的去除率均高于80.7%;空速10000 h^-1催化φ=0.67%CH₄和φ=0.33%O₂的反应,CH₄的去除率均高于84.2%。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定TG6钛合金中镁钒铬铁钴铜锰钼钨

选择水-盐酸-氢氟酸-硝酸混合酸体系溶解样品,控制雾化气流速为0.65 L/min,建立了电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定TG6钛合金中镁、钒、铬、铁、钴、铜、锰、钼和钨的方法。考察了钛基体和共存元素对待测元素的影响,确定各待测元素分析线为Mg 285.2 nm、V 310.2 nm、Cr 283.5 nm、Fe 259.9 nm、Co 238.8 nm、Cu 213.5 nm、Mn 257.6 nm、Mo 202.0 nm、W 207.9 nm。采用基体匹配法消除了基体影响。方法检出限为0.000 3～0.005 7 μg/mL。采用方法对实际样品分析,结果的相对标准偏差为0.26%～13.6%,加标回收率为93%～110%。按照TG6钛合金的名义成分Ti-5.8Al-4Sn-4Zr-0.5Ta-0.7Nb-0.4Si-0.06C配制模拟TG6钛合金样品,实验方法测得结果与理论值基本一致。     

直流辉光放电质谱法测定高纯氧化镧中25种杂质元素

利用铜粉作为导电介质, 与氧化镧粉末混合均匀, 压片, 采用直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定了高纯氧化镧粉末中的部分杂质元素含量。考察了辉光放电条件, 如放电电流、放电气体流量、离子源温度以及压片条件, 如两种粉末的混合比例、压片机压力等因素对放电稳定性以及灵敏度的影响, 优化了实验条件;尝试了将镧, 氧和铜的总信号归一化进行计算的方法, 用差减法计算了高纯氧化镧粉末中的杂质元素含量。将铜粉作为试剂空白, 连续测定11次, 统计各待测元素检出限为0.005~0.34 μg/g;对高纯氧化镧粉末样品独立测定6次, 测定结果与电感耦合等离子体质谱法基本吻合, 相对标准偏差在20%以内。     

电感耦合等离子体质谱法测定镧镁合金中稀土杂质

采用硝酸溶解样品, 建立了电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定镧镁合金中稀土杂质的含量。选择合适的测定同位素以及选用干扰元素校正方程克服了质谱干扰。对仪器工作条件进行了优化, 确定功率为1 100 W, 载气流量为0.80 L/min。讨论了测定条件对结果的影响, 确定测定介质为1%硝酸, 内标元素为Cs, 基体浓度小于0.3 mg/mL。方法测定下限为0.006 9～0.046 ng/mL。采用方法对实际样品进行测定, 回收率为98%～102%。与电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)进行方法对照, 两种方法测定结果基本一致, 相对标准偏差(RSD, n=6)在1.7%~4.5%之间。     

多晶硅中杂质含量、分布及其检测方法的探讨

多晶硅中杂质的组成及含量是衡量多晶硅产品质量的重要指标之一,由于其杂质组成复杂、含量低于常规检测方法检出限,这就使对多晶硅中杂质含量、分布及检测方法的研究具有重要意义。概述了目前用于检测分析多晶硅中杂质含量、分布的方法及其优缺点;总结了近年来国内外在多晶硅杂质检测方法研究中的进展以及多晶硅中杂质的含量和分布数据,为多晶硅的检测提供了参考。     

贵州某煤矿煤中隐晶质石墨脱硅除杂研究

针对微晶石墨中硅杂质难脱除的特点,进行了高温碱法结合浮选法除硅的研究。研究表明,浮选法和氢氧化钠的加入量对提纯效果影响显著。在合适工艺条件下,可得到固定碳含量较高的微晶石墨产品,焙烧后样品水洗干净与否直接影响样品的最终固定碳含量。高温碱处理后残留的钠离子与待处理的铝、硅杂质离子反应,生成不溶性物质,是导致硅杂质脱除效果不佳的主要原因。     

掺锗CZ硅单晶中锗分布形式的研究

利用扫描电镜能谱分析法,对CZ法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高．根据测定的浓度计算出了该工艺条件下硅锗体单晶中锗的有效分凝系数为Ke≈0．60～0．65．     

锂基润滑脂噪音性能的影响因素

研究了影响锂基润滑脂噪音性能的各种因素,润滑脂的清洁度只是降低噪音的必要条件之一,锂皂稠化剂的微粒越小,润滑脂的噪音性能越好,低粘度的环烷基油具有良好的降低噪音的效果,高分子聚合物可以改善润滑性能,降低噪音。