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91.
以三氯氧磷、季戊四醇和三聚氰胺为原料,经3步反应合成了膨胀型阻燃剂双(1-氧代-1-磷杂-2,6,7-三氧杂双环[2.2.2]辛烷)磷酸酯三聚氰胺盐(简称Melabis)。讨论了物料配比、加料方式、反应时间等因素对反应产率的影响,改进了合成工艺,产率可达到97.2%,并用元素分析、红外光谱等方法表征了产品的结构。  相似文献   
92.
郭曦  严辉  李帧林  范和平 《绝缘材料》2010,43(3):5-7,11
以聚酯多元醇、甲苯二异氰酸酯(TDI)和二羟甲基丁酸(DMBA)为主要原料制备了一系列环保型水性聚氨酯胶粘剂,研究了合成条件、DMPA用量和加入方式、溶剂、中和度、固含量对合成的水性聚氨酯乳液性能的影响,讨论了不同的固化剂用量对胶粘剂及RFID天线基材性能的影响。  相似文献   
93.
为改善WO3薄膜的电致变色性能, 采用溶胶-凝胶法制备了聚乙二醇(PEG)改性的WO3电致变色薄膜, 并对其着色态与漂白态的光学特性以及循环伏安特性进行了研究。研究表明: PEG改性的WO3薄膜具有良好的电致变色性能, 循环5000次伏安曲线无明显衰减, 对可见光的最大透过率调制幅度可达71%。PEG的加入改变了WO3薄膜的微结构, 形成了平均直径为9 nm的介孔, 提高了离子在其中的扩散速率, 因此改善了WO3薄膜的电致变色性能。由于循环稳定性对于电致变色材料的实际应用至关重要, 因此这种低成本的湿化学法有望用于制备高性能的WO3基电致变色器件。  相似文献   
94.
本文综合了最近40多年来关于石英玻璃研究的发明专利60多篇,从发明专利角度综述了石英玻璃的研究和发展,介绍了石英玻璃制备工艺的发展,重点讲述高纯合成石英玻璃工艺的特点与发展现状.  相似文献   
95.
采用一种新的可溶性铌来代替价格昂贵的乙醇铌作为铌源,用溶胶-凝胶法合成铌酸钾(KN)纳米粉体。通过XRD、FTIR和TEM等技术手段对KN超细粉体的成相过程、相结构和微观形貌进行表征。结果表明,干凝胶在600℃煅烧可制得纯正交相的KN纳米粉体,合成温度比固相法降低了200℃以上;该粉体呈棒状,直径大约为100~200nm,长度大约为1~3μm,并对KN纳米棒的合成机制进行探讨。  相似文献   
96.
采用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的CuCrO2薄膜,通过X射线衍射、扫描电镜、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征了薄膜样品的结构与性能,结果表明,衬底温度对CuCrO2薄膜形貌结构、光学、电学性能影响较大。当衬底温度为750℃时,薄膜为结晶态。薄膜的可见光透过率随衬底温度提高有所增加。750℃时,CuCrO2薄膜直接带隙降低到3.02eV。电导率随衬底温度提高先增加后降低,500℃时,薄膜的电导率最高,达到27.1S·cm^-1,电导率对数随温度倒数变化关系表明,CuCrO2薄膜在300K-220K温度区间内均符合半导体热激活导电规律。  相似文献   
97.
介绍国内外待机能耗标准,降低待机能耗的方法,新型电源开关装置.  相似文献   
98.
以Nb2O5为原料,采用一种新型的聚合物前驱体法制备了层状结构K4Nb6O17薄膜.经600℃以上的温度处理,得到了纳米晶的具有(040)取向的薄膜.XPS测量表明该薄膜的元素比KNbO为4.085.9916.77,符合K4Nb6O17的化学计量比.分解水制氢实验表明该薄膜具有良好的光催化性能.应用Boltzmann方程对产氢量的时间曲线进行了分析.结果表明,结晶性能直接影响了薄膜的产氢行为.  相似文献   
99.
为了提高单结非晶硅太阳能电池的光电转换效率,缓解日益严重的能源和环境问题,采用高温固相法制备了稀土离子Yb3+和Ho3+共掺的NaYF4上转换粉体,并对其进行了X射线衍射测试、扫描电镜以及光致发光测试。对Yb3+和Ho3+共掺的NaYF4上转换发光材料在热处理工艺下的变化进行了研究,分析了表面形貌和相结构对上转换发光性能的影响。发现在980 nm近红外光的激发下,共产生3个发射峰,中心波长分别位于541、649、750 nm,为非晶硅太阳能电池的最佳响应波段,表明该材料可应用于非晶硅太阳能电池提升其电池效率。进一步研究表明:可通过改变退火温度来改变样品的表面形貌和相结构,进而大幅度提高样品的上转换发光性能。在退火温度为700益时,样品呈标准六方相结构、表面致密、粒径均匀、上转换性能提高近40倍。  相似文献   
100.
用脉冲激光沉积法在Si(100)衬底上制备了(110)择优取向的La2/3Sr1/3MnO3薄膜,研究了环境氧压对薄膜结晶度、取向、表面形貌和微结构的影响。结果表明:10Pa氧压下沉积的薄膜具有高结晶度的(110)择优取向,晶粒分布均匀,晶粒分布均匀,表面均方根粗糙度Rrms为1.35 nm。与无明显择优取向的薄膜相比,(110)择优取向的La2/3Sr1/3MnO3薄膜具有较高的饱和磁化强度(Ms)、金属-绝缘体相变温度(TM-I)和较低的电阻率(ρ)。  相似文献   
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