在AlCl3和Al(NO3)3-尿素体系中制备Al(OH)3微球颗粒

以AlCl3和Al(NO3)3为原料,尿素为沉淀剂,草酸铵为添加剂,采用均匀沉淀法制备出超细球形Al(OH)3颗粒.通过SEM和粒度分布手段表征了产品的形貌和大小特征.结果表明,所制备的Al(OH)3颗粒呈球状且分布较均匀,平均粒径为0.85μm.同时对球形颗粒形成的机理进行了初步分析.该制备工艺简单,易实现工业化生产.     

珍珠岩助滤剂的生产及其应用

本文简述了珍珠岩助滤剂生产工艺、物化性能、作用、使用方法及应用领域,指出如何选择合适的助滤剂产品,与工艺设备以及滤液(特别是杂质)的特性有关。     

大变形量楔横轧成形过程中内部缺陷的预防

利用有限元数值模拟研究了楔横轧工艺参数及二次轧制中不同变形量分配对轧件内部空心缺陷的影响,并对某汽车变速箱一轴和二轴的成形工艺进行了改进设计,对改进前后所得到的楔横轧轧件进行超声波探伤和低倍组织实验研究。结果表明:改进前的产品内部空心缺陷或疏松的产生率约为10%;改进后试生产的产品经检验完全消除了内部缺陷。可见,在变形量较大需要二次轧制的楔横轧成形过程中,轧件内部容易产生空心缺陷,通过合理的变形量分配及工艺参数的选择可以获得满足要求的合格产品。     

提高VDMOS/npn复合结构击穿特性的平面技术

本文报道了通过衬底材料选取,图形选择、场限制环的设置,场板极的选用,提高VDMOS和VDMOS/npn复合结构击穿电压的方法,获得使VDMOS的击穿电压达到450V,VDMOS/npn复合结构的击穿电压为330V的平面技术.     

低/高压PMOS转换电路

近几年,高压MosFET研究很活跃,随着它在等离子显示,场致发光和其它开关运用的日益广泛,高压Mos集成电路愈来愈重要,目前制造高压MosFET器件一般分成两类:一类是纵向结构的CMos方法,这种结构一个短的有源沟道和一个轻渗杂偏移栅区结合提供高压,可以作出高速,低导通电阻的DMos器件,优点是能与低压器件兼容,缺点是需要外延工艺,这对Mos工艺为优势的地方难度大一些,第二类是横向结构:利用场延伸电极和漏漂移区提高Mos器件的耐压,它的优点是和Mos工艺及CMos逻辑完全兼容。缺点是由于加了轻掺杂的漂移区而使导通电阻比较大。     

GKG型高效快速干燥机

我国染料工业现存的突出问题之一是工艺落后,设备陈旧,尤其是在后处理加工设备上远远赶不上国外先进水平,致使商品染料达不到印染行业的需求。本刊从本期起将陆续刊登有关染料工业装备与工程技术方面的研讨文章,以期引起国内染料生产厂家和科研部门的注意。     

EDTA凝胶法制备Y2O3-ZrO2纳米粉

用乙二胺四乙酸 (EDTA)强的螯合作用 ,制得钇、锆稳定的配位化合物 ,经干燥 ,煅烧研磨后得到Y2 O3-ZrO2 纳米粉。本文研究了母液浓度 (C) ,络合比 (r) ,所处介质溶液的 pH值及煅烧温度 (T)和煅烧时间 (t)对Y2 O3-ZrO2 纳米粉的粒度和结构的影响。pH =5 ,r =2 ,T=60 0℃煅烧条件下制得的Y2 O3-ZrO2 纳米粉粉末粒径约为 10～ 2 0nm     

水工混凝土抗冲耐磨性能试验研究

通过对抗冲磨混凝土材料的试验研究认为：混凝土中掺入适量优质粉煤灰，用钢铁砂作为细骨料，掺入优质的掺和料可以提高其抗冲耐磨性能。     

一种新型的激光防护有机玻璃眼镜研制成功

随着激光的广泛应用,激光防护也日趋重要。激光对人体主要是伤害眼睛,因为眼的光学系统的聚焦作用,可使视网膜所承受入射光能量密度比角膜入射量提高约10~5倍,因此,需配备高质量的防护镜。     

克服磷硅玻璃膜钻蚀问题的初探

在MOS器件制造的初期,发现经加温和电场的作用后,器件的阀值电压会发生漂移,实验证明这是栅氧化层中(?)污了钠离子。正是磷硅玻璃膜的出现,才使MOS器件及集成电路得以迅速发展。这是在热生长的栅氧化膜SiO_2上再生长一层含有P_2O_5的SiO_2薄膜(通常简称为PSG膜),这层PSG膜具有提取,固定和阻挡钠离子的作用,起了钝化和保护作用,因而生长PSG膜是MOS集成电路,铝栅CMOS集成电路制造中广泛来