纺锤状ZnO/还原氧化石墨烯异质结构及其微波吸收性能

目的调节石墨烯的电磁匹配,以实现最优的微波吸收性能。方法通过改进的Hummers法制备氧化石墨烯GO,以六水合硝酸锌、双六甲撑三胺、氧化石墨烯为原料,采用水热法在140℃获得了具有异质结构的包裹r-GO的纺锤状ZnO棒(S-ZnO/r-GO)。通过X射线衍射分析仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)以及透射电子显微镜(TEM)测试,分别对S-ZnO/r-GO的组成成分、形貌特征以及微观结构进行了表征,同时采用同轴法,通过矢量网络分析仪测试分析了不同填充浓度下S-ZnO/r-GO复合材料在2~18 GHz范围内的电磁特性,并通过计算得到了材料的微波反射率损耗。结果尺寸均匀且相互交织的纺锤状ZnO棒被大量褶皱的还原氧化石墨烯所包覆,构建了一种相互连接的三维交织结构。纺锤状ZnO的引入以及三维结构的建立,明显改善了S-ZnO/r-GO异质结构在2~18 GHz频率范围内的电磁特性和微波响应。在厚度为2.0 mm,频率为14.8 GHz处,最大反射率损耗值达到−40 dB,有效吸收带宽几乎覆盖整个Ku波段。结论纺锤状ZnO/r-GO复合材料表现出优异的微波吸收性能和较宽的有效吸收频段,具有一定的应用前景。     

典型挥发性有机物在疏水Y分子筛上的吸/脱附研究

针对高湿度条件下常规Y分子筛吸附VOCs性能不佳的问题,以常规Y分子筛为VOCs吸附剂前驱体,采用气相覆硅改性方法对其表面结构进行调控。研究结果表明,改性Y分子筛结晶度为81%,孔径基本保持不变,比表面积仅下降8.1%;其对不同VOCs分子吸附容量相差不大,具有疏水性和广谱吸附性;在脱附功率800 W微波作用下脱附15 min后,4种典型VOCs分子在改性Y分子筛上均能较为彻底地完成脱附,脱附率能达到89%以上。     

基于GDOES分析的磁控溅射制备钛膜工艺优化

采用辉光放电发射光谱(GDOES)测试分析方法研究了磁控溅射功率、工作气压、基片温度等工艺参数对钛膜厚度、密度、扩散层的影响。结果表明,在0.2 Pa工作气压条件下,在100～300 W范围内溅射功率与沉积速率呈近似线性关系;在溅射功率200 W条件下,工作气压在0.2～0.7 Pa范围内的沉积速率较为稳定,约为16 nm/min,而增大工作气压将显著降低钛膜密度,工作气压0.2 Pa对应的钛膜密度达到4.47 g/cm~3,而0.7 Pa对应的钛膜密度仅为3.26 g/cm~3;基片温度显著影响了钛膜与钼基片之间的扩散层厚度,在溅射功率200 W、工作气压0.2 Pa条件下镀膜300 min,基片温度100℃下的扩散层厚度为487 nm,250℃下则达到814 nm。     

微波辐射制备智能缓释氮肥及性能研究

本文采用微波辐射技术在淀粉骨架上引入尿素制备淀粉基缓释氮肥。研究微波辐射条件对缓释氮肥缓释性能的影响,采用FTIR进行结构表征,分析缓释树脂在水体和土壤中的缓释性能。结果表明,微波辐射时间3 min,微波辐射功率360 W,淀粉∶尿素比值1∶4,交联剂和引发剂用量分别1. 5%与4%,中和度50%,缓释肥料的缓释性能较好;缓释树脂中的氮元素在水体和土壤中的缓释率分别为59%和45%,缓释氮肥是一种集保水和肥料缓释于一体的环境功能材料。     

铅酸蓄电池放电特性研究与运行分析

提出了一种简单的电池放电特性建模方法,建立了放电曲线数学模型,并通过年度蓄电池放电数据对其进行验证,利用此方法可以估计出任意放电电流下的电压曲线,并据此估算出电池的剩余放电时间。     

雷击风机桨叶内部灾害机理研究

随着风力发电的日益普及,风电机组桨叶的雷击灾害问题愈发严重。针对这一问题,本文分析了桨叶与雷云间先导放电的发展机理,阐述了旋转桨叶的引雷效应,揭示了风机桨叶内部遭受雷击的物理过程,并通过先导发展理论对接闪过程进行了仿真验证。结果表明,后续回击是风机桨叶内部遭受雷击的主要原因,风机桨叶初始角度、旋转速度、回击间隔时间及雷电流幅值均会对雷击位置造成影响。     

广播电视微波传输数字化改造

从改革开放以来,我国的经济就在稳步发展,我国的社会矛盾也在逐步改变,如今我国人民已经基本满足美好幸福生活需要,所以现在人民想要在精神世界方面丰富自己。现在是互联网时代,电脑与手机几乎已经变成大家掌握信息的设备媒介,但是在一些偏远贫困地区跟不上社会的发展,还是会依赖传统的广播电视获取信息的方式。如何提高广播电视信息的传输效率,如何进行技术改造升级,这是一个值得思考的问题。本文将会从广播电视的微波传输数字化角度思考,针对其现状、价值、原则以及改造措施等方面进行阐述。     

冷烧结陶瓷材料的制备及其微波介电性能

通过冷烧结工艺,实现了NaCl、Li_2MoO_4、AlN-NaCl和Zn_2SiO_4-NaCl陶瓷材料的烧结过程,研究了冷烧结材料的微波介电性能。研究结果表明:冷烧结制备Li_2MoO_4材料的微波介电性能为εr=5.6,Q×f=24866 GHz,τf=-160×10~(-6)/℃,其εr值与传统烧结的样品相似,Q×f值也比较好。在冷烧结过程中,AlN-NaCl、Zn_2SiO_4-NaCl材料没有第二相的生成,AlN-NaCl和Zn_2SiO_4-NaCl材料的相对密度分别随着AlN和Zn_2SiO_4质量分数的增加而降低。在微波频率下,εr符合考虑气孔的Lichtenecker方程模型,Q×f值随着AlN和Zn_2SiO_4质量分数的增加而降低,τf值随着AlN和Zn_2SiO_4质量分数的变化规律符合混合法则。     

C波段75W GaN HEMT高效率功率放大器MMIC

报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段75 W高效率功率放大器MMIC。为提高功率增益,芯片的整体拓扑结构设计为三级。在末级输出匹配电路上设计了一个高效电抗式匹配拓扑,在末级管芯输入匹配电路上运用了谐波控制技术,同时利用GaN HEMT器件大信号模型来优化驱动比,通过这三种技术途径有效提高了芯片的附加效率。为扩展工作带宽及提高稳定性,其他匹配电路采用有耗匹配方式。在漏压28 V、脉宽100μs、占空比10%的工作条件下,芯片在4.8～6.0 GHz频带范围内,典型输出功率达到75 W(最高81 W),增益大于25.5dB,附加效率大于51%(最高55%),芯片面积为3.8 mm×5.5 mm。