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91.
以脉冲激光沉积法沉积制备了立方相负热膨胀ZrW1.5Mo0.5O8薄膜并利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电镜对其结构组分、表面形貌和厚度进行表征。采用变温XRD分析了ZrW1.5Mo0.5O8靶材和薄膜的负热膨胀特性。实验结果表明:在1080℃烧结6h制备得的立方相ZrW1.5Mo0.5O8陶瓷靶材,靶材具有较高的纯度和良好的负热膨胀性能,Mo离子掺入后,其α到β相转变温度降低,在30~600℃温度区间内,ZrW1.5Mo0.5O8陶瓷靶材的负热膨胀系数为-7.13×10-6K-1。利用该靶材在500℃时脉冲激光沉积的ZrW1.5Mo0.5O8薄膜为非晶态,薄膜表面平滑致密,厚度约为835nm;非晶膜在1180℃热处理7min后淬火得到立方相ZrW1.5Mo0.5O8薄膜;结晶后的ZrW1.5Mo0.5O8薄膜为多晶膜。在室温到600℃区间内,立方相ZrW1.5Mo0.5O8薄膜的热膨胀系数为-7.7×10-6K-1,α-ZrW1.5Mo0.5O8到β-ZrW1.5Mo0.5O8的相转变温度降至100℃以下。 相似文献
92.
利用多元回归分析方法研究了我国房地产上市公司的资本结构.研究表明:房地产上市公司总资产增长率、股东权益周转率与资本结构正相关;销售净利率、总资产周转率、流动比率与资本结构负相关;而表征公司风险性、外部流动性、公司规模、避税盾特征、房地产行业特性的变量与资本结构无关. 相似文献
93.
94.
一类慢变周期结构光子晶体的能带特性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
本文改造了一种周期厚度保持不变,但相邻周期内部高低折射率区的厚度发生缓慢变化的变周期结构的光子晶体,并对其光子能带特性进行了分析。研究发现,本文所提出的两端带有慢变结构的光子晶体能够有效地拓宽光子能带带隙,与均匀结构相比,拓宽率可以达到200%以上。 相似文献
95.
96.
97.
La、V掺杂对SrBi4Ti4O15性能影响对比研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用传统固相烧结工艺,制备了掺杂量分别为0.00~1.00、0.00~0.06的La、V掺杂SrBi4Ti4O15铁电陶瓷。X射线衍射结果显示,La、V对SrBi4Ti4O15的A、B位掺杂都未影响材料的晶体结构。A、B位掺杂均改善了材料的铁电性能。La掺杂量为0.25时,SBTi的剩余极化(2P1)增大50%,同时矫顽场(2Ec)下降了25%。少量的V取代SBTi的B位Ti离子后.2Ec虽无明显变化,但2P,却可增大近两倍.并且不影响材料的居里温度,而A位掺杂导致了材料的居里温度的明显下降。这与A、B位掺杂对材料晶格畸变程度的影响有关。 相似文献
98.
针对SPICE BSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HV MOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I-V模型改进.研究中使用Agilent ICCAP测量系统对HVMOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻R ds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了R ds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vas参数δ的栅压调制因子δ1,δ2,在开放的SPICE和BSIM3v3源代码上对模型库文件进行修改并实现了优化.仿真结果表明采用改进后的模型,在ICCAP下的测量曲线与参数提取后的I-V仿真曲线十分吻合,该模型大大提高了BSIM3 I-V模型模拟HV MOS晶体管时的精确度,对于高压集成电路的设计与仿真有着极其重要的意义. 相似文献
99.
与传统的金属线宽和间距固定不变的无源片上螺旋电感相比,线宽和间距由外圈到内圈渐变的新型结构电感能有效提高电感品质因子.这种新结构电感的出现使得Jenei等人提出的闭合电感公式已不再适用于其电感值的计算,而改进的wheeler公式计算误差又较大.针对这种情况,文中提出了一种以圈为单位分圈迭代求自感,用整体平均法计算互感的平面螺旋电感的电感值计算方法.该算法分析值与HFSS仿真值相比,误差小于3%,与样品测量值相比,误差小于4%.因此该算法具有计算速度快、精度高的特点,能用于渐变结构片上螺旋电感的高效设计,并可缩短设计周期. 相似文献
100.
随着变电站综合自动化系统的应用和无人、少人值班工作的开展,变电站事故总信号的解决方案直接关系到变电生产和调度的安全性和可靠性。分析比较了目前监控系统实现变电站事故总信号的3种方式,即保护动作信号启动方式、信号定义方式、不对应启动方式。针对其造成的误发事故总信号或给值班运行人员带来的操作安全隐患,提出了组态处理、硬件电路处理的解决方案。为适应新的生产、技术要求,进一步提出了实现测控装置自动识别断路器事故跳闸功能的建议和方案供探讨。 相似文献