浅谈地下连续墙加钢支撑的深基坑围护工程

1 工程概况 广州某高层住宅工程位于广州某临江处,两面临水,该工程整个基坑布置成矩形,基坑周边总长为296m,基坑占地面积4687m~2(未含出水池)。基坑开挖深度为18.0m(基坑外地面标高为7.5m),开挖最深处(集水井)达21.0m,基础底板为C15砼厚1.5m,基础底板下卧层为中粗砂。基坑采用地下连续墙加钢支撑的围护结构。附基坑平面、断面和连续墙位移测点布置图1。     

弛豫型铁电体Pb(B1/3Nb2/3)O3基复合陶瓷中两相共存的研究

在ＰＺＮ－ＢＴ,ＰＭＮ－ＢＴ－ＰＴ和ＰＮＮ－ＰＴ系统中,用两相混合烧结法,分别制备了ＰＺＮ基,ＰＭＮ基和ＰＮＮ基复合陶瓷,介电性能测试结果表明,ＰＺＮ基陶瓷为两相共存的复相陶瓷,而ＰＭＮ基和ＰＮＮ基陶瓷中的两相都发生了很大程度的固溶,应用键价理论和键性分析对此进行了讨论,并从两组元间扩散动力这的角度和显微结构特征对这一现象进行了分析。     

热连轧对GH4169合金蠕变行为的影响

通过对等温锻造和热连轧工艺制备的GH4169合金进行直接时效、蠕变性能测试和组织形貌观察,研究热连轧对GH4169合金组织结构及蠕变行为的影响.结果表明:与等温锻造合金相比,经热连轧后合金的晶粒尺寸较小,在等温锻造期间的变形特征仅为孪晶形变,而合金在热连轧期间除产生孪晶外,在孪晶中还存在位错的双取向滑移;采用不同工艺制备的合金均在{111}面上发生孪晶变形.在蠕变期间,热连轧期间形成的位错可促进孪晶内发生位错的不同取向滑移,减缓应力集中,提高合金蠕变抗力,致使合金在660℃、700 MPa条件下具有较长蠕变寿命.     

一种9.8-mW 1.2-GHz CMOS 低噪声正交输出频率综合器

实现了一种基于标准0.18µm CMOS工艺的应用于北斗导航射频接收机的1.2GHz频率综合器。在频率综合器中采用了一种基于分布式偏置技术实现的低噪声高线性LC压控振荡器和一种基于源极耦合逻辑的高速低开关噪声正交输出二分频器,集成了基于与非触发器结构的高速8/9双模预分频器、无死区效应的延迟可编程的鉴频鉴相器和电流可编程的电荷泵。该频率综合器的输出频率范围从1.05到1.30GHz。当输出频率为1.21GHz 时,在100-kHz和1-MHz的频偏处相位噪声分别为-98.53dBc/Hz和-121.92dBc/Hz。工作电压为1.8V时,不包括输出Buffer的核心电路功耗为9.8mW。北斗射频接收机整体芯片面积为2.41.6 mm2。     

一种GH4169G合金的组织与蠕变行为

通过对等温锻造GH4169G合金进行直接时效处理、蠕变性能测试和组织形貌观察,研究了GH4169G合金的组织结构及蠕变行为。结果表明:经等温锻造和直接时效后,GH4169G合金晶粒具有不均匀特征,且在晶内存在孪晶,并有粒状δ相在晶内及沿晶界不连续析出,可改善晶界的结合强度。经不同条件蠕变性能测试后,根据稳态蠕变期间的应变速率,测定出合金在稳态期间的蠕变激活能和应力指数分别为Q=532.7 kJ/mol和n=12.1。合金在蠕变期间的变形特征是不同取向的孪晶变形和位错滑移,随蠕变进行,形变位错密度增加,且在晶界附近发生位错堆积,并产生应力集中,致使微裂纹在晶界处萌生及扩展,直至蠕变后期发生沿晶断裂。     

大豆油与CO_2合成五元环状碳酸酯

采用天然可再生资源大豆油的环氧化产物(ESBO)和CO2为原料,以碘化钠和N,N-二甲基甲酰胺为催化体系,通过环加成反应合成了五元环状碳酸酯(CSBO)。考察了不同碱金属卤化物及不同溶剂的催化效果,证明碱金属卤化物碘化钠和N,N-二甲基甲酰胺为一种高效催化体系。进一步测试温度对反应的影响,证明合适的反应温度为120℃。用红外光谱,核磁共振氢谱,黏度计,凝胶色谱,热分析对产物进行了结构分析,表明以碘化钠和N,N-二甲基甲酰胺为催化剂,温度120℃,CO2压力1MPa,反应时间20h的条件下,环氧大豆油的转化率可达90.4%。     

市政道路施工质量的有关问题分析

进入新世纪，随着经济的快速发展，城市交通的日益发达，对市政道路质量提出了更高的要求。本文对市政道路工程施工中存在的质量问题进行分析和归纳，总结其形成的原因，提出实际工作中的操作规范，以供同行参考。     

冷却方式对热连轧GH4169合金组织与蠕变行为的影响

通过对不同方式冷却的热连轧GH4169合金进行直接时效处理、蠕变性能测试和组织形貌观察,研究了冷却方式对热连轧GH4169合金的组织结构与蠕变行为的影响。结果表明:"水冷"HCR-GH4169合金经直接时效后,其组织由细小晶粒组成,大量细小γ′,γ″相在晶内弥散析出,可提高合金蠕变抗力,而"空冷"热连轧合金晶粒尺寸较大,且在基体中析出的γ′,γ″两相的数量明显减少;在实验条件下,"水冷"热连轧合金经直接时效后具有较好的蠕变抗力和较长的蠕变寿命;热连轧及直接时效合金在蠕变期间的变形机制是位错在基体中发生单、双取向滑移和孪晶变形,在蠕变后期,裂纹在晶界处萌生和扩展,并发生沿晶断裂是合金的蠕变断裂机制。     

A1N陶瓷中的晶格缺陷

用透射电镜观察不同热导率的Ａ１Ｎ陶瓷中存在的晶格缺陷。Ａ１Ｎ陶瓷中的晶格缺陷主要以位错线形式呈现，分布不均匀，大多集中在晶界处，一些晶粒中存在反相畴界。热导率不同的试样其缺陷密度明显不同。氧杂质进入Ａ１Ｎ晶格并形成铝空位是产生晶格缺陷的主要原因，也对晶格参数有显著影响。