氧化锌阀片成型设备改进浅谈

介绍了对国产液压机的改造,使之适合于氧化锌阀片成型的经验。     

MDI的合成及市场概况

介绍了异氰酸酯(MDI)的生产及其市场情况,综述了MDI的合成方法,通过分析和比较这些合成方法,得出了今后合成MDI的主要方法应是非光气法.并进一步指出在各种非光气法中碳酸二甲酯是合成MDI的主要研究方法;同时指出,开发液态或改性的MDI是生产MDI很好的方向.     

氧化锌电阻片生产中新设备和新工艺的应用

介绍了河南金冠王码信息产业股份有限公司近几年氧化锌电阻片生产技术改造的成果 ,分析了新设备和新工艺在非线性氧化锌电阻片生产中的应用及对电阻片质量的影响。非线性氧化锌电阻片的性能是以配方为基础的 ,靠工艺来保证和实现的 ,而工艺的保证很大程度上取决于设备的先进性和可靠性     

数据驱动范式下微波介质陶瓷材料及器件研究进展

机器学习等数据驱动方法能够快速发掘数据之间潜在的统计相关性,实现目标量的高效精准预测,并辅助分析数据背后的物理图像,已被广泛应用于材料性能预测和器件设计的研究之中。近年来,机器学习模型研究在微波介质陶瓷材料及器件开发中也取得了系列进展。本文介绍了机器学习方法的基本原理和过程,重点总结了微波介质陶瓷的介电常数、品质因数等关键性能的机器学习预测模型研究的最新进展,探讨了材料成分、结构、工艺等参数与微波介电性能之间的关系,并概述了机器学习方法在微波天线和滤波器的尺寸优化、失效分析等方面的应用。最后,指出了数据驱动研究在微波介质陶瓷材料及器件领域的若干发展方向。     

外电场中1,4-二硝基咪唑-N-氧化物感度的理论研究

为探明外电场中炸药感度的变化规律,借助B3LYP/6-311++G(2d,p)和M06-2X/6-311++G(2d,p)理论方法,研究了外电场方向和强度的变化对1,4-二硝基咪唑-N-氧化物(1,4-DNIO)炸药潜在引发键的键长、硝基电荷、键离解能及撞击感度、静电火花感度和冲击起爆压力的影响。结果表明,在无电场和外电场作用下,N─NO2是最可能的引发键,其次是N→O,最后是C─NO2键。沿N→O、C─NO2键轴正方向和N─NO2负方向的外电场使N→O和C─NO2键离解能减小、N─NO2键离解能增大、H50增大、撞击感度降低;与上述反方向的外电场对引发键强度和撞击感度的影响正好相反。引发键键长、AIM电子密度、硝基电荷、键离解能和H50的变化量分别与外电场强度之间呈良好的线性关系,大多数情况下,相关系数R2>0.9500。外电场对电火花感度和冲击起爆压力的影响不大,外电场由-0.010 a.u.变化到0.010 a.u.,变化值分别小于0.5 J和0.15 MPa。     

半导体CdTe薄膜电化学沉积研究

本文研究半导体ＣｄＴｅ薄膜在ＩＴＯ透明导电玻璃基底上的电化学沉积。分析了电化学沉膜过程以及反应机理，对不同电参数下沉积膜进行了性能表征，研究了温度、沉积电压等参数对膜性能的影响，探讨了制备颗粒细小、均匀性好并具有一定择优取向的ＣｄＴｅ薄膜的方法。     

钛酸铅超微粒子的铁电相变研究

采用Ｌａｎｄａｕ－Ｇｉｎｓｂｕｒｇ－Ｄｅｖｏｎｓｈｉｒｅ的热力学弹性自由能公式，结合钛酸铅超微粒子的表面能，分析研究了钛酸铅超微粒子的粒径大小与铁电－顺电相变温度（Ｔｃ）和自发极化强度（Ｐｎ）的关系，理论分析与实验结果能很好的吻合。     

环己酮氨肟化工艺中钛硅分子筛流失问题的研究

在TS-1分子筛催化环己酮氨肟化制备环己酮肟工艺试验中研究了催化剂流失的原因和抑制催化剂流失的方法。结果表明，催化剂流失是由催化剂的骨架硅溶解引起的，硅的流失量为50～60μg／g；通过向反应体系中连续添加助剂能有效抑制骨架硅的溶解流失，提高催化剂寿命，且不会对新工艺产生不良影响。