新氢压缩机卸荷器故障分析及处理措施

针对大庆石化公司炼油厂1.2×106t/a加氢裂化装置新氢压缩机经常出现流量、压力及温度超标现象进行了原因分析,进而发现了卸荷器是产生故障的原因。采用了一种新型指式卸荷器,并对其工作原理及应用情况进行了介绍。     

深入比较CAXA电子图板与AUTOCAD在机械制图方面的功能

介绍了国产绘图软件CAXA电子图板所具有的文件操作、数据接口及绘图功能.分析了CAXA电子图板的库操作相对于其他绘图软件的差异和特点,得出了该软件在机械设计和制图中的优势所在及其发挥其优势的操作方法.     

南宁传统村庄建筑的文化取向与价值判断

传统村庄中保存着大量的历史文化遗产,是宝贵的不可再生的文化资源。本文以南宁市传统村庄为例,探讨了传统村庄建筑的文化取向,分析了南宁传统村庄及其建筑在形成过程中积淀的天人合一的空间意识、淡于宗教的人本思想、凸显等级的礼乐精神和兼容并蓄的包容观念等的文化,旨在为推进生态住区、文化社区的建设、开展乡村旅游和提升区域新形象提供基础和参考依据。     

一种带新型直流失调补偿电路的模拟数字控制可配置的自动增益控制器

本文提出一种可用于零中频接收机的模拟/数字控制可配置的自动增益控制环路的设计,应用一种新型的直流失调消除电路。这种自动增益控制环路可配置于模拟或者数字控制,以便与不同的基带芯片兼容。本文更进一步提出了一种新型的直流失调消除电路,这种直流失调消除电路实现了低于10KHz的下限截止频率（HPCF,high pass cutoff frequency）。自动增益控制环路电路采用0.18um CMOS工艺。当配置于模拟控制模式下,这种自动增益控制环路的增益动态范围为70dB,3dB带宽大于60M。当配置于数字控制模式下,通过5比特的数字控制码控制,这种自动增益控制环路的增益动态范围为64dB,步进精度2dB,步进误差小于0.3dB。当输入引入40mV直流失调,电路输出直流失调电压小于1.5mV。电路整体功耗小于3.5mA,面积800um*300um。     

AlSi7Mg0.6双线连接固定座金属型铸造工艺改进

针对接触网分段绝缘器的双线连接固定座在铸造中成形率较低,存在缩松、缩孔现象,通过模拟仿真技术对于现有铸造工艺进行模拟,并依据仿真结果对工艺进行优化改进,有效地解决了前期铸造工艺设计存在的问题。经过试模生产及试验验证,产品的合格率由开始的50%提高到了90%,产品质量显著提高。     

浅析电离层对基于南宁CORS站的网络RTK定位精度的影响

在低纬度地区,电离层活动较为活跃,对基于CORS站的网络RTK定位精度影响较大,为加强南宁CORS站的应用和服务,本文通过电离层电子密度处理分析软件分析了南宁地区的电离层活动水平情况,并分析了电离层延迟情况及与RTK定位精度之间的关系,得出了一些对基于南宁CORS站的网络RTK定位测量有指导意义的结论。     

大数据时代下的建筑节能新思路

阐述了在数字宇宙爆炸时代建筑节能如何与大数据相结合,并通过美国纽约、芝加哥案例以及我国高校能耗数据分析,指出建筑行业若实现数据公开与共享,将会产生建筑节能新爆点。     

改性竹炭对水溶液中Cu(Ⅱ)、Cd(Ⅱ)的吸附性能

采用不同方法对竹炭进行改性,寻求吸附效果最好的改性产品,并研究其对溶液中Cu2+、Cd2+的吸附性能,考察了吸附时间、溶液pH值、吸附温度和溶液初始浓度对吸附效果的影响,同时与未改性竹炭的吸附性能进行了对比。实验结果表明:相同条件下,氧化改性竹炭对Cu2+、Cd2+的吸附效果明显优于其他方法改性竹炭和未经改性的竹炭。吸附温度为15℃、25℃、45℃时,氧化竹炭对Cu2+的最大吸附量分别为6.653mg/g、6.702mg/g和7.897mg/g,而氧化竹炭对Cd2+的最大吸附量分别为1.700mg/g、1.826mg/g和2.282mg/g。氧化改性竹炭对Cu2+、Cd2+的吸附均符合Freundlich方程和Langmuir方程。实验证明,氧化竹炭是一种应用前景广泛的重金属离子吸附剂。     

虚拟子网中路由器常见故障与处理

路由器(Router)又称网关设备(Gateway),是最常见也是最基本的网络设备之一,主要功能在于实现不同逻辑子网间的数据传输,所以也称其是互联网络的枢纽、"交通警察"。路由器故障是网络运行中最主要的故障之一,严重时将导致网络瘫痪,影响企事业单位的正常运作,而在路由器故障中,虚拟子网中的路由器故障率较高。本文针对这一问题进行了论述,分析了故障诱因,提出了排障流程及方法。     

GaN材料的高速生长对其C污染以及光致发光光谱的影响

利用金属有机化学气相沉积对GaN的高速生长进行了研究.结果表明,随着GaN生长速率的提高,其非故意掺杂的C含量也在提高,并且呈现出良好的线性关系.当生长速率由2μm/h增加至7.2μm/h时,利用SIMS测量发现其GaN中的C含量由2.9×1017增加至5.7×1018 cm-3 .研究表明,N空位的存在与C浓度之间存在紧密的联系。在高氨气分压生长条件下,N空位的浓度也在急剧下降。此时,与具有相近生长速率的常规样品相比,其C含量几乎下降了一个数量级。.光致发光光谱表明,黄带以及蓝带的强度与C污染存在线性关系.这个结果也证实了与C相关的缺陷是导致黄带以及蓝带发光的主要来源。