淀积条件对GDa—SiNx薄膜电学特性的影响

本文讨论了用辉光放电法制备氮化硅薄膜时衬底温度、射频功率和气体流量比对薄膜的电导率、介电常数和击穿强度的影响。通过优化生长条件，制备了优质非晶氮化硅薄膜，其介电常数为７．５、击穿强度为５．５ＭＶ／ｃｍ、电导率为１０－１３（Ωｃｍ）－１。     

以溶胶—凝胶法制备光学薄膜

溶胶－凝胶过程是制备包括光学涂膜在嵛大类氧化物制品的通用手段。为激光系统涂膜所进行的研究已持续近３年，早期的工作由于破坏阈值低和价格昂贵而受阻，然而最近的一些改善已导致特别成功地制出四分之一波长烧结二氧化硅减反膜，该膜已用于高功率激光聚变系统，其激光破坏阈值高于其他方法制备的膜２￣３倍，前不久研究制备的１／４波长高低折射率交替多层高反膜虽没有减反膜那么好，但与和其竞争的材料相比，仍有其优越必，此法     

应用比例法设计可锻铸铁冒口尺寸的探讨

对用比例法设计可锻铸铁冒口尺寸的比例值进行了探讨,提出了选择比例值的经验公式和验算冒口的四种简易方法.     

自蔓延高温合成（SHS）及其应用（二）

五、工艺和材料 (一)氮化物陶瓷的合成 氮化物作为一类材料,具有相当独特的性能,诸如高度的耐火性、硬度和化学稳定性。其中难熔金属氮化物的绝热温度有的已超过5000K(如HfN的T_(ad)为5100K),这表明它们在热力学上也非常稳定。由于这些性质,它们在磨料、电子陶瓷及高温结构陶瓷等方面具有广泛的可用性。 用SHS法通过粉末与气态或液态氮的反     

切割玻璃刀头的研制

本研制的切割玻璃刀头,适用于建材行业切割平板玻璃。该设备包括切割体、刀头、调压装置、润滑设施等,具有结构简单、更换刀轮快、调整变换切裁规格方便,又能自动喷油、易于操作和维修等特点。     

自蔓延高温合成技术及应用

本文综合介绍了近几年得到广泛应用的一种材料制备新方法-自蔓延高温合成的一般概念，基本原理和特征，结合加压技术，使材料的合成和密实化一步完成，并在制备陶瓷涂层，复合材料等方面具有独特优点和应用前景，今后应充分进行反应特性及与其它技术结合应用的研究。     

磁控溅射WO3薄膜特性研究

用磁控溅射法制成WO3薄膜,通过改变成膜的溅射参数来改变WO3薄膜的性能.利用XRD分析了样品的粒径大小,研究了成膜工艺参数对气敏元件性能的影响.结果表明,薄膜中WO3晶粒的平均尺寸为17 nm,该传感器对NOx气体有非常好的灵敏度和选择性,对体积分数为1×10-5的NOx气体灵敏度高于50倍,而对其他干扰气体的灵敏度小于2倍.