全文获取类型
收费全文 | 930篇 |
免费 | 41篇 |
国内免费 | 50篇 |
专业分类
电工技术 | 88篇 |
综合类 | 60篇 |
化学工业 | 105篇 |
金属工艺 | 117篇 |
机械仪表 | 82篇 |
建筑科学 | 72篇 |
矿业工程 | 18篇 |
能源动力 | 24篇 |
轻工业 | 66篇 |
水利工程 | 33篇 |
石油天然气 | 52篇 |
武器工业 | 5篇 |
无线电 | 64篇 |
一般工业技术 | 97篇 |
冶金工业 | 59篇 |
原子能技术 | 11篇 |
自动化技术 | 68篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 17篇 |
2022年 | 15篇 |
2021年 | 8篇 |
2020年 | 24篇 |
2019年 | 34篇 |
2018年 | 26篇 |
2017年 | 15篇 |
2016年 | 12篇 |
2015年 | 16篇 |
2014年 | 33篇 |
2013年 | 32篇 |
2012年 | 26篇 |
2011年 | 34篇 |
2010年 | 38篇 |
2009年 | 31篇 |
2008年 | 39篇 |
2007年 | 59篇 |
2006年 | 41篇 |
2005年 | 51篇 |
2004年 | 42篇 |
2003年 | 49篇 |
2002年 | 34篇 |
2001年 | 32篇 |
2000年 | 32篇 |
1999年 | 26篇 |
1998年 | 14篇 |
1997年 | 24篇 |
1996年 | 25篇 |
1995年 | 22篇 |
1994年 | 22篇 |
1993年 | 13篇 |
1992年 | 15篇 |
1991年 | 14篇 |
1990年 | 17篇 |
1989年 | 19篇 |
1988年 | 9篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 13篇 |
1985年 | 10篇 |
1984年 | 4篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 3篇 |
1962年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
1958年 | 1篇 |
1957年 | 1篇 |
排序方式: 共有1021条查询结果,搜索用时 847 毫秒
961.
本文介绍了我国悬挂式点焊工艺的应用现状和使用悬挂式点焊应具备的工艺条件,以及在小批量自制件汽车生产企业使用悬挂式点焊工艺时应注意的事项和应采取的措施。 相似文献
962.
963.
楊仲怀 《有色金属(冶炼部分)》1959,(14)
某露天矿的深孔中爆破,在雨季时孔内水深一般达8~10米以上,且孔内有压力水,因此在雨天无法进行爆破,直接影响矿山生产任务的完成。针对这个关键问题,该矿在生产实践中,经过一系列的试验与研究,最后试制成功了防水硝铵炸药。几个月来的经验证明:防水炸药的试制成功,不仅彻底解决了水孔及雨天爆破的质量问题,并给露天采掘工程使用廉价炸药对降低采矿成本有重大的意义;同时在胶质炸药缺乏的情况下,也有重大的意义。现将其生产应用情况及资料介绍如下,供给有关方面参考。 相似文献
964.
本文围绕自释釉瓷变成的和釉层厚度二个关键指标,从工艺,各种添加成份,色料等方面展开试验,找到了一些规律,并直接应用于指导生产。 相似文献
965.
966.
本文报导了采用165 keV He~+离子沟道背散射技术研究高剂量铋注入<111>硅后,进行脉冲激光退火的效果,并和热退火作了比较。热退火温度达到900℃时,剩余晶格损伤还有35%;在750℃下退火时,铋的替位率达到最大值50%,温度再升高,替位率反而下降;在退火温度高于625℃时就产生大量铋原子的外扩散。面脉冲激光退火后,晶格损伤几乎全部消除,铋原子进行再分布,它在硅中的浓度可超过固溶度一个数量级,且95%以上处于替代位置。文中还就不同激光能量下的退火情况作了比较。 相似文献
967.
炼铁过程(包括炼焦和烧结)能耗占钢铁厂的70%。高炉能耗占钢铁厂的55%,其中炼铁燃料比占高炉能耗的85%。因此,钢铁厂的节能必须狠抓降低炼铁焦比。我省1980年上半年重点企业和地方铁厂高炉按折合焦比划分:700公斤以下的有成都钢铁厂(602)、攀钢炼铁厂(609)、威远钢铁厂(653)、峨眉县铁厂(671)、重钢炼铁厂(684)五个厂;800公斤以下的有熊桥铁厂(732)、攀研院410厂(755)、邻水县铁厂(763)、高县铁厂(792)四个厂;800至900公斤的有渠江、后山、清溪、白市驿、灌县、壁山、渠县、赶水、 相似文献
968.
有自由面渗流分析的子单元法及其应用 总被引:6,自引:0,他引:6
提出了一种解渗流问题的固定网格法,通过迭代可较准确地求出自由面边界,计算区域逐步逼近实际渗流区域。可应用于稳定和非稳定渗流计算 相似文献
969.
离子束增强沉积氮化硅薄膜生长及其性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用离子束增强沉积技术合成了氮化硅薄膜并研究了薄膜的组分、性能和结构.结果表明,离子束增强沉积生长的氮化硅薄膜的组分比,可借助于调节氮离子和硅原子到达率之比加以控制.在合适条件下生长的氮化硅薄膜,其红外吸收特征峰在波数为840cm~(-1)附近,光折射率在2.2到2.6之间,其组分为Si_3N_4用RBS、AES、TEM、SEM、ED及扩展电阻,测量和观察生成的氮化硅薄膜的组分深度分布及结构.发现,离子束增强沉积制备的氮化硅薄膜,存在着表面富硅层、氮化硅沉积层及混合过渡层这样的多层结构.薄膜呈球状或方块状堆积.基本上是无定形相,但局部可观察到单晶相的存在.离子束增强沉积制备的氮化硅薄膜中的含氧量比不用离子束辅助沉积的显著减少. 相似文献
970.
介绍了高频感应焊原理及特点,分析了茎秆粉碎机粉碎刀的磨损失效过程,提出采用高频感堆焊方法提高粉碎刀使用寿命的技术方案。重点论述了堆焊粉碎刀材料与工艺的研究。 相似文献