组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱

用分子束外延系统(MBE)生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合离子注入的方法,在同一块衬底上获得了不同注入离子As+、H+和不同注入剂量的GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱单元,在未经快速热退火的条件下,于常温下测量了光调制反射光谱,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80meV.     

THE BEHAVIORS OF 48keV Si IONS IMPLANTED INTO（100）GaAs

ＴＨＥＢＥＨＡＶＩＯＲＳＯＦ４８ｋｅＶＳｉＩＯＮＳＩＭＰＬＡＮＴＥＤＩＮＴＯ（１００）ＧａＡＳＬｉｕＨｕｉｚｈｅｎ（刘惠珍）；ＣａｏＤｅｘｉｎ（曹德新）；ＺｈｕＤｅｚｈａｎｇ（朱德彰）；ＺｈｕＦｕｙｉｎｇ（朱福英）ａｎｄＣａｏＪｉａｎｑｉｎｇ（曹建清...     

硫对注入YSZ单晶的金属铂在退火过程中结晶的影响

秀卢瑟福背散射－沟道技术（ＲＢＳ－Ｃ）和Ｘ射线衍射技术（ＸＲＤ）研究了Ｐｔ和注入ＹＳＺ（Ｙ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２）后产生的损伤和退火过程中损伤的恢复及注入Ｐｔ的晶化，ＲＢＳ－Ｃ分析表明ＹＳＺ室温下的存在较强自退火效应，ＸＲＤ分析结果示出硫以铂的晶化产生很大影响。     

COMPETING REACTIONS OF EXISTING Ni SILICIDE AND Ni OR Si INDUCED BY THERMAL ANNEALING AND MeV Si ION BEAM MIXING

The competing reactions between existing Ni silicides surrounded by Si and Ni were investigated by thermal annealing and MeV Si ion beam mixing. With high energy irradiation, the energy deposition at both interfaces, Ni/Ni silicide and Ni silicide/Si, is equal. Two MeV He~- RBS and TEM were used to obtain the reacted layer composition and epitaxial orientation, respectively. Also glancing angle Co K_a. X-ray diffraction was utilized to identify phase formation. The main results indicate that the existing silicides preferentially react with Ni layer, and that there are pronounced differences of Ni silicide phase transition between thermal annealing and MeV Si ion beam mixing, even though the mixing was performed in radiation enhanced diffusion regime. The results can be explained in term of the heat of silicide formation and surface energy change.     

高度定向的碳纳米管阵列的制备

使用99．99％的铝片．在草酸溶液中，通过基于自组织基础上的二次氧化法制备了孔高度有序、六角排列的氧化铝模板，在微米尺寸区域内获得了高度平行的氧化铝纳米孔阵列。利用化学气相沉积技术(CVD)，在没有任何过渡金属催化剂的情况下，利用多孔氧化铝模板本身的催化作用，在氧化铝模板孔内成功制备了高度有序的平行碳纳米管阵列，这种碳纳米管阵列可以作为研究离子束沟道传输特性的较理想材料。利用扫描电子显微镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)等测试手段对铝片、氧化铝模板和碳纳米管的结构进行了表征。讨论了氧化铝模板的形成机制和基于氧化铝模板生长高度定向碳纳米管的条件。     

离子注入对超高分子聚乙烯磨损性能的影响

用８０ｋｅＶ不同剂量的Ｃ３Ｈ＾＋８,Ｎ＾＋２对超高分子聚乙烯样品进行离子注入,通过反冲探测分析表明注入层Ｈ含量的变化,对样品表面在离子注入前后的磨损性能进行了测试。实验结果显示,离子注入以后样品表面氢含量减少,磨损性能增强。     

荷能团簇碰撞沉积装置中飞行时间质谱仪的物理设计

介绍了荷能团簇飞行时间质谱仪的原理及其在荷能团簇碰撞沉积装置中的物理设计。对实验中出现的若干问题进行了探讨,并提出了解决的措施。     

组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用

将组合技术和离子束技术结合起来,用于硅基发光材料的研究用组合离子束技术在硅基材料上制备了64个直径为2mm的单元--材料芯片,并对硅基材料芯片各单元进行了卢瑟辐背散射质子弹性散射和扫描阴极射线发光特性分析     

低能碳原子通过单壁碳纳米管的计算机模拟研究

利用分子动力学(MD)模拟对低能碳原子通过单壁碳纳米管的运动轨迹进行了研究。通过改变不同的入射条件,得出粒子在横向平面和三维空间中的运动轨迹,结果表明：在满足一定的入射条件时,粒子在单壁碳纳米管中作受制约的运动或作折线或作螺旋线式的运动。