新型横向磁场永磁电机敛磁分析

由于横向磁场永磁电机具有低转速、高转矩密度的特点,在电机领域被广泛研究,然而由于其结构特点和其它因素的存在,使电机的漏磁大、功率因数偏低,降低了横向磁场永磁电机的性能。提出了一种新颖的敛磁结构,并应用于横向磁场永磁电机模型中,该结构不用增加电流密度或改变气隙大小就可以提高转矩。研究表明该敛磁结构具有很好的敛磁效果,极大地减少了极间漏磁,从而可以提高横向磁场永磁电机的工作性能。     

LNMO薄膜的化学溶液法制备研究

在LaAIO3(100)单晶上,通过化学溶液法(CSD)制备了全a轴取向的La0.85 Na0.15 MnO3(LNMO)薄膜.对薄膜的XRD衍射图谱、摇摆曲线和Phi扫描结果分析表明,薄膜具有较好的面内和面外取向.由输运曲线看出,采用化学溶液法制备的薄膜电阻率和PLD法制备的结果十分接近,说明化学溶液法可以代替真空方法制备LNMO薄膜.     

消除应力退火对半工艺电工钢组织和磁性能的影响

为改善半工艺电工钢产品的磁性能,借助NIM2000E电工钢交流磁性能测量系统,采用方圈测量方法研究消除应力退火工艺对半工艺电工钢磁性能、组织的影响。结果表明：在760~790℃×2 h退火时,组织为粗大均匀的等轴铁素体晶粒,平均晶粒尺寸在200μm左右,铁损P1.5/50小于3.5 W/kg,磁感应强度B50高于1.70 T,对应的磁导率μ1.0高于12.57 mH/m。     

室温铁磁性蒲公英状氧化锌的制备及生长机理研究

以锌粉、醋酸锌和氢氧化钠为原料,采用水热法制备出了具有结构性缺陷的蒲公英状ZnO。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光光谱仪和超导量子干涉仪对产物的结构形貌和光学性能及磁学性能进行了表征,并对其生长机理进行了探讨。研究表明,蒲公英状氧化锌为六方纤锌矿结构,由许多顶端为锥尖形的棒自组装而成;其荧光本征发射峰在388nm处,属于激子跃迁发射。在波长450～492nm处所观察到的3个弱蓝光峰是由锌填隙原子中的电子到价带顶的跃迁所致;在波长492～580nm范围内出现的较为宽泛的绿光发射峰根源于电子从导带底到氧错位缺陷能级间的跃迁。蒲公英状ZnO中存在的结构性缺陷使得原本呈现抗磁性的ZnO具有了室温铁磁性,从而可作为一种稀磁半导体应用到自旋电子学领域中。     

Magnetospirillumsp．AMB-1菌株培养及磁小体形成条件的研究

本文通过改变基础螺菌培养基中琥珀酸添加量、氮源、铁源种类及含量以及培养条件,观察各因素对Magnetospirillumsp．AMB-1生长量及磁小体形成量的影响．单因素实验结果表明：其最适生长温度为30℃,pH为6．9,250mL锥形瓶中装液量为70％,在添加0．80g琥珀酸、并以0．12gNaNO3为氮源、2．0μmol／L奎尼酸铁为铁源的基础螺菌培养基中按2％的接种量,静置培养4d后,趋磁细菌的吸光度可达0．853A,磁小体的形成量Cmag值为1．673．     

居安思危之电力系统运行风险思考

电力系统运行风险是探究电力系统运行安全与否的一个可靠性评价方法。本文结合电力系统运行风险现状,从电力系统运行“系统级”风险、“元件级”风险两个角度解析现状,并进一步结合国内外文献探研电力系统运行“脆性”评估发展现状,指出更多关于电力系统风险的研究成果及相关技术支持。     

高清晰度三轴管道内检测器漏磁数据采集系统

针对传统管道内检测器清晰度不高的缺点,介绍了一种高清晰度三轴管道漏磁数据采集系统。根据三轴漏磁检测的原理,系统使用了大量霍尔传感器作为数据采集元件,分别在检测器漏磁进行探测舱外围圆周各点处的3个方向上放置传感器,以达到高清晰度的采集要求,漏磁电压信号经单片机进行A/D转换后,所得数据由FPGA与PC—104接收存储到固态硬盘。经实验验证,该系统提高了检测清晰度,检测平均误差不超过10%,证明该系统设计方案切实可行。     

基于FPGA的多传感器管道内漏磁检测系统

针对传统管道漏磁检测器检测精度的不足,提出了新式的基于FPGA的高精度管道漏磁检测系统设计,以适应813 mm管径的管道检测任务。主要介绍了系统逻辑设计,实现了多达400路传感器漏磁检测信号的采集与存储。该设计融合了多种总线协议,可有效解决管道漏磁检测中的采集速率、功耗和精度的问题。经实验验证,方案切实可行,为设计高精度管道漏磁检测系统提供了新的解决方案。     

基于磁传感器的飞行器姿态测量方法

为近程自旋飞行器设计了一种基于地磁测量的姿态测量方法。根据此类飞行器飞行过程中偏航角较小,射程较近时偏航角可以忽略的特点,在偏航角可以忽略的情况下进行姿态角算法分析。由于第一种方法存在姿态角根取舍的问题,首先,利用空间转换矩阵推导出飞行器姿态角的表达式。然后,利用几何分析的方法推导出了飞行器姿态角表达式,并对该算法的误差进行仿真。仿真结果表明:误差在可接受范围。     

Fe2O3/ZnO复合氧化物气敏元件的制备与性能

以Fe2O3和ZnO为原料,直接混合烧结制得7种不同烧结温度和原料配比的Fe2O3/ZnO复合氧化物元件,并对其进行气敏性能测试,结果发现:不同烧结温度和原料配比的Fe2O3/ZnO复合氧化物元件对不同的气体有不同的气敏性,烧结温度为800℃,Fe2O3∶ZnO摩尔比为0.5∶1的气敏元件对硫化氢具有较好的气敏综合性能.