基于线性相位FIR滤波的三维曲面的光学检测

利用一组规则机线投影到物体表面的畸变光珊，采用线性相位ＦＩＲ滤波技术解调出含有物体表面高度信息的相位。建立了一种较二维ＦＦＴ法更快，精度较高的光不检测技术。该技术只需采集一幅图象，不需要确定条纹级次，不存在“凹凸模糊”的问题。本文给出了一个典型试件的实验结果及分析。     

用不同周期重叠写入的光纤布拉格光栅传感器 对应力和温度实现同时测量(英文)

用不同周期重叠写入的光纤Brass光栅对应力／温度实现同时区分测量。用应力／温度调制技术和信号解调方法，得到实验结果与理论的误差分别小于40με和0.5℃。可在复合材料、大型建筑物、抽油和输油管线中对应力和温度实现同时分布式智能化传感测量。     

A role of a tip geometry on STM images

Scanning tunnelling microscopes operable in both ultrahigh vacuum (UHV) and aqueous conditions are described with emphasis on a tip geometry. An atomically resolved STM image was obtained for the Si(111)-Mo√3 surface in UHV condition and changes of a diffraction grating surface in aqueous condition due to an electrochemical reaction were monitored.     

基于RexcanⅢ扫描仪的空调遥控器外形数据测量研究

RexcanⅢ流动式光学扫描仪基于光栅原理,利用系统标定和参考标志点来实现多幅图像的拼合对齐,是逆向工程领域中一种先进的非接触式光学扫描设备,能快速获取高质量电子产品空调遥控器外形三维点云数据,测量易于实现且测量范围大,测量速度快,测量点云数据质量好,更有利于下游数据建模与检测等应用.     

光栅刻划刀架系统参数对光栅刻线弯曲影响

研究了光栅刻划刀架系统结构、重量及其稳定性对光栅性能指标的影响。有限元分析表明,对刻划刀架系统中的刻划刀架进行减重或使刻划刀架系统两侧的重量对称,均可降低光栅刻线弯曲。光栅刻划对比实验结果表明,配重侧有配重块的刻划刀架系统与配重侧无配重块的刻划刀架结构相比,刻线弯曲幅值由91．2nm降低至58．9nm,这与有限元分析结果在趋势上较为一致。     

紫外全息凹面光栅离子束刻蚀技术

通过对引出的平行离子柬流外加可控磁场,可以实现离子束流偏转。该方法实现IV型凹面光栅沿曲面不同闪耀角离子束刻蚀,能够获得高衍射效率的IV型凹面光栅。经过理论设计计算出理想的IV型凹面光栅闪耀角,利用全息曝光一弯转离子束刻蚀工艺制作出尺寸45mm×40mm,波长250nm处衍射效率达67％,入臂200mm,出臂188mm,曲率半径224mm的IV型凹面光栅。同时,利用平行离子束流制作了相同参数的IV型凹面光栅,其250nm处的衍射效率为30％。实验结果表明,利用弯转离子束流制作IV型凹面光栅的方法简单易行,并能够精确控制离子束流实现高衍射效率的IV型凹面光栅制作。     

电解加工对金属计量光栅表面粗糙度影响的研究

金属计量光栅通常采用电解加工的方式制作,由于具有传统K9玻璃、浮法玻璃和树脂基片等不可替代的优势,以其100%的透过率,和抗震、防尘、耐高温、耐腐蚀、重量轻的特性,被广泛应用在矿业、冶金、建材、化工、军工等行业中。电解加工是用电解方法使金属阳极溶解,可以获得较高的刻线准确度,但有时粗糙度有所下降。本文主要探讨电解加工对金属计量光栅表面粗糙度的影响,为提高金属计量光栅的表面质量提供机理参考。     

用光学扫描器构成的新型 精密位移侧量系统

本文研究由位移传感用的光学扫描器、简单光学系统、栅距很大的粗线纹反射式光栅尺(λ=0.635mm)和信号处理电路等构成的新型精密位移测量系统。对光学扫描器作了简要介绍。阐述了该系统的工作原理、电路框图和动态鉴相细分电路。实验结果表明,本系统测量误差小于±0.01mm,分辨率为lμm。与国内现有位移测量系统相比,新系统具有工作间隙特别大(15mm左右),光栅尺不用密封,耐现场污染,容易在车间推广使用等优点。     

掺杂Sm_2O_3的向列相液晶TEB30A光栅衍射特性研究

基于光学琼斯矩阵理论,研究掺杂Sm_2O_3的向列相液晶TEB30A在弱磁场中的光栅衍射特性。结果表明,自然光通过处在弱磁场中的适量配比的Sm_2O_3/TEB30A样品后,会在远场产生衍射条纹,且衍射条纹会随外磁场强度的增加而出现动态的变化。产生衍射条纹是由于适量的Sm_2O_3的掺杂,使得向列相液晶TEB30A的折射率各向异性Δn沿外磁场方向呈现周期分布,形成了液晶光栅;当外磁场强度发生变化时,处在外磁场中的Sm_2O_3粒子和液晶分子的分布会随之发生变化,导致Δn沿外磁场分布的周期发生变化,从而引起液晶光栅常数发生变化,因此,衍射条纹呈现出动态变化的效应。模拟结果表明,当外磁场强度由0.464 9T增加到0.518 5T时,液晶光栅常数由0.5cm降到0.4cm。这一技术研究方法将大大降低液晶光栅的成本,同时,弱磁场环境也为使用者提供了一种安全的使用环境。     

基于磷化铟、砷化铟和锑化铟的光栅型超宽带远红外线吸收器

设计了一种由磷化铟（InP）、砷化铟（InAs）和锑化铟（InSb）3种半导体材料复合而成的槽深线性渐变的光栅型超宽带远红外线吸收器。其吸收机理是表面等离子共振效应和电介质腔共振效应。利用频域有限差分法（Finite-Difference Frequency-Domain,FDFD）计算的结果表明,凹槽个数的改变对吸收率的影响相对较大,而凹槽深度、凹槽宽度、涂层厚度和光栅周期的变化对吸收率的影响相对较小。在采用优化的结构参数条件下,以及入射角为0~80°和入射波长为28~75 m的范围内,此吸收器的平均吸收率可达到92%以上。本文所设计的吸收器有望在远红外探测等方面得到应用。