具有极高辐射强度的新款红外发射器VSLY5850

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用抛物线型透镜实现±3°极窄半强角的新款850 nm红外发射器——VSLY5850,扩充其光电子产品组合。基于独特的表面发射器芯片技术,VSLY5850在100 mA驱动电流下可提供高达600 mW/sr的辐射强度、55 mW的光功率和10 ns的开关时间。     

飞兆半导体电池充电器荣获《今日电子》杂志十大DC-DC功率产品大奖

<正>全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布,公司荣获《今日电子》杂志2011年度十大DC-DC功率产品奖项。飞兆半导体凭着FAN5400 USB兼容锂离子电池开关式充电器,被评委会第七次颁发这一声望卓著的奖项。     

功率器件热阻的测量研究分析

文章以功率器件M0sFET为例,通过电学测量方法主要研究了器件对于散热能力考量的参数热阻——Rthja和Rthjc,即器件两种不同散热方式的能力。此外还针对在热阻的测试过程中加热信号的不同方式以及周围环境中空气的流速对于热阻测试的影响进行了研究和比较。研究了在同一封装形式中,不同芯片尺寸对于热阻的影响,通过实验得到芯片...     

高能效功率电子技术领域的新进展

从1957年第一只晶闸管的诞生开始,功率电子技术以相当迅猛的速度发展。近年来又取得了长足的进展,产生极佳的经济及社会效益。从美国节能经济委员会(American Council for an Energy-Efficient Economy,ACEEE)出版的一份报告可以看到,到2030年,受益于采用半导体技术而获得的更高能效,可以使美国的经济规模扩大70%以上,与此同时,使用的电能却将减少11%。作为高能效功率电子技术领域的领先     

OFDM系统中的自适应比特功率分配算法

正交频分复用(OFDM)系统各子信道具有不同的衰落特性,如果采用相同的调制方式,则不能更好地利用系统资源。在系统容量受限和误比特率一定的条件下,文章提出了一种高效的OFDM自适应比特功率分配算法。在要求误比特率BER<10-3时,该算法与Chow算法相比,发射总功率减小了2.5 dB;与Hughes-Hartogs算法相比,系统消耗的总时间也明显缩短。仿真结果验证了算法的有效性。     

基于最小检测功率的网络雷达MIMO模式布站

网络雷达实现了雷达与雷达对抗的一体化,是雷达系统与雷达对抗系统发展的新趋势。网络雷达MIMO模式布站研究对网络雷达的应用具有重要意义,目前这方面的研究还不多。介绍了网络雷达MIMO模式研究的现状,探讨了基于最小检测功率的网络雷达MIMO模式配置问题,并对其进行了仿真研究。     

一种冲击噪声环境下的最优波束形成算法

针对冲击噪声（包括所有对称α稳定分布噪声）环境下一般未知噪声统计特性,提出了一种最小几何功率无失真响应波束形成算法。该算法利用求取有限对数矩时无需噪声统计特性的特点,用对数矩代替二阶矩在约束期望信号增益为1的条件下使快拍信号的几何功率最小,最终使输出信号能达到更高的几何信干噪比。并通过一种新的迭代的方法得到最优权向量。仿真实验证明了该算法的有效性。     

宽带径向功率合成器设计

径向功率合成技术适用于对多路功率放大器进行高效的功率合成,因而近年来受到越来越多的重视。然而,由于设计和结构的复杂性,径向功率合成器目前的应用并不广泛。使用阻抗匹配的概念,提取了圆锥波导、径向线、扩展同轴结构的等效电路模型,分析了设计方法。采用此方法设计的圆锥波导和径向线合成器取得了令人满意的仿真结果。比较了三种结构的径向功率合成器的特性。     

SMBflat封装技术推动功率封装微型化

意法半导体(ST)近期发布新型封装技术,可进一步缩减符合严格安全标准(如IEC 60370和IEC 60335)的控制模块的尺寸。意法半导体的部分新产品已开始采用新型SMBflat三针表面贴装封装,包括一款交流开关、一款晶闸管整流器以及三款双向晶闸管,这些产品被广泛用于阀门、电机控制电泵控制、起辉器及断路器。     

罗姆“全球首次”开始量产SiC制功率晶体管

罗姆宣布已开发完成使用SiC的DMOSFET(double-diffusion metal-oxidesemiconductorFET),并已开始量产。计划从2010年12月开始量产供货定制产品,2011年夏季供货通用产品。计划此后花1年左右的时间在耐压为600 V～1200 V、电流为5 A～20 A的范围内充实产品。