FRA在CVTA长距离传输中的应用

基于受激拉曼散射原理的光纤拉曼放大器,以光纤本身为增益介质,只要有合适的泵浦光源,它几乎更能放大任意波长的信号。CNR是有线数字电视信号在长距离光纤传输中一个重要指标。论文首先分析了FRA的工作原理和优点,然后对单级FRA所引入的ASE噪声对长距离传输系统CNR的影响进行了分析研究。     

基于盲信号分离的自适应回声抵消算法

在视频会议和免提通信系统中,扬声器和麦克风之间的声耦合严重影响语音通信系统的质量。文中提出了一种用基于盲信号分离（BSS）的自适应声回波对消（AEC）方法,可有效解决回声和噪声对近端语音信号的影响。该方法不仅能减少背景噪声对回波对消的影响,而在双向通话时,可直接利用盲信号分离技术分离出近端语音。     

外注入锁定对FP激光器强度噪声的抑制

采用较强的外注入光锁定FP激光器,获得了理想的强度噪声抑制效果.在自由运转的FP激光器的弛豫振荡峰处,最大噪声抑制强度可达9dB.研究了注入光功率和频率失谐对于强度噪声抑制效果的影响.此外,通过实验研究了理想噪声抑制范围与激光器稳定锁定范围之间的关系:它们都随着注入光功率的增加而增大;但在相同的注入光功率下,稳定锁定范围允许更大的频率失谐.     

碲镉汞光伏探测器的变面积表面钝化研究

利用同一片碲镉汞材料制备了由单层ZnS和双层CdTe/ZnS作钝化膜的变面积光伏探测器,对两种钝化膜结构的变面积器件进行了对比研究.通过分析两种器件的电流-电压(I-V)特性曲线以及零偏电阻-面积乘积(RoA)与周长-面积比(p/A)的关系曲线,发现ZnS钝化的器件具有较大的表面漏电流;通过分析两种器件的电流噪声与暗电流的关系,发现ZnS钝化的器件的噪声特性较接近散粒噪声,CdTe/ZnS双层钝化的器件则表现出较好的基本1/f噪声特性,使得器件噪声要小于单层ZnS钝化的器件.     

外加磁场对含双δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋输运和散粒噪声的影响

研究了外磁场存在时,含双δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关的透射概率和散粒噪声,讨论了量子尺寸效应和Rashba自旋轨道耦合效应.研究结果表明:不同自旋取向的电子隧穿异质结时,透射概率和散粒噪声随半导体长度的变化特性是作等幅振荡;外加磁场和Rashba自旋轨道耦合强度的增强都会加大透射概率和散粒噪声的振荡频率;外加磁场角度的改变会改变散粒噪声的振荡频率;双δ势垒的存在增大了自旋电子透射概率的振幅.     

基于0.35μm SiGe BiCMOS的2.5GHz低相位噪声LC压控振荡器的设计

介绍了一个基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺的2.5GHz低相位噪声LC压控振荡器.文章重新定义了压控振荡器工作区域.分析表明谐振回路的电感值和偏置电流对振荡器的相噪优化有重要的影响.本文同时分析了CMOS和BJT压控振荡器设计思路的不同.本设计中,采用键合线来实现谐振回路中的电感来进一步提高相噪性能.该VCO和其他模块集成在一起实现了一个环路带宽为30kHz的频率综合器.测试结果表明,当中心频率为2.5GHz时,在100kHz和1MHz的频偏处相噪分别为-95dBc/Hz和-116dBc/Hz.工作电压为3V时,VCO核心电路的电流消耗为8mA.据我们所知,这是国内第一个采用SiGe BiCMOS工艺的差分压控振荡器.     

一种液压系统噪声分析平台的设计

介绍了一种液压系统噪声分析平台的软硬件设计.利用PC/工控机的声卡作为数据采集卡,具有较高采样精度,中等采样频率,并辅以相应的分析软件,实现了液压系统实验室或工业现场的实时噪声数据分析.软件设计上,应用MATLAB软件,通过在其图形窗口中加入菜单及控制,实现了直接对窗口对象的操作,从而建立了一个适合用户需要的噪声数据实时分析处理平台,性价比高,实现简单,适应性强.     

双列圆锥滚子轴承自锁结构的改进

1改进前结构 用于轮毂的双列圆锥滚子轴承通常要求两内圈能够自锁,以方便安装及拆卸.传统的自锁结构如图1所示,即由两个带L形小油沟的内圈和一个套环组成.套环通常采用弹簧钢板(如65Mn)制造,冲压成形后调质处理,安装时采用滚子定位.该结构存在如下缺点:(1)装配第二列内组件时,套环是通过滚动体(滚子)传递力的,故对轴承有影响;(2)轴承噪声大;(3)轴承装配后套环不能自动复位,有明显的干涉甚至卡死现象.     

圆柱滚子轴承组合保持架铆合模具的改进

圆柱滚子轴承组合保持架在装配冷铆合时,常发现保持架端盖不能紧靠在保持架的支柱上,造成滚子与保持架之间轴向间隙过大,使轴承旋转时噪声过大.     

单片机系统干扰研究

通过对全自动金属带锯床等单片机应用装置的分析研究发现,即使是一般干扰噪声的强度远低于电路的噪声容限,也可能在多个干扰同时出现的情况下造成系统瘫痪,造成这种情况的原因就是干扰噪声的叠加作用.各种干扰在电路的某一点上的作用使得该点电位移动趋于一致,电位的变化超出了噪声容限,从而对系统造成危害.