光滑薄壁管件的多轴循环弹塑性有限元分析

为数值模拟构件在多轴循环加载下的应力应变响应,利用ANSYS分析软件对承受高温2轴比例与非比例循环拉扭加载下的光滑薄壁管件进行了弹塑性有限元分析．分析模拟过程中,采用von Mises屈服准则、多线性随动强化准则和高温单轴循环加载的应力应变数据来描述材料高温弹塑性特性．采用柱坐标系下在试样一端加轴向位移和周向位移来实现拉扭应变加载．通过对光滑薄壁管件的后处理结果与试验比较表明,采用的循环弹塑性有限元分析得到的结果与试验结果相吻合．     

人工椎间盘的超弹性变形分析

为了分析人工生物材料的基本性能,并了解人工生物材料在人体环境中的实际工作状态,建立了人工椎间盘的平面应变超弹性力学模型,包括上下骨板、外环和中间核3部分;研究了在拉、压、剪切作用下人工椎间盘的超弹性变形和应力-应变关系.研究结果表明,超弹性力学模型能很好地模拟人工椎间盘的非线性载荷-位移曲线和应力-位移曲线.     

基于灰度累积的遥感图像舰船尾迹检测

基于灰度累积的遥感图像舰船尾迹检测,先用双参数CFAR检测舰船目标,再在其周围运用直接灰度累积法进行航迹检测.其步骤包括双参数CFAR检测、统计舰船重心、尾迹检测预处理及设定阈值曲线.最后运用多项式拟合方法对灰度累积曲线进行分析,结果表明该方法可行.     

长波长锗硅光电探测器的材料生长研究

介绍了应变SiGe层的特性,包括SiGe应变层临界厚度与Ge组分的关系,能带变窄,折射率增加以及应变SiGe层的亚稳态特性.然后从材料生长方面入手,提出了4种改善长波长锗硅光电探测器性能的方案,包括采用生长缓冲层来减小位错的方法、生长高组分表面起伏多量子阱的方法和生长Ge岛超晶格的方法,随之给出了相关的实验结果,并对这4种方案进行了分析.最后对上述内容进行小结,并对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望.     

RF-CMOS建模:一种改进的累积型MOS变容管模型

提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型可导但导数错误、变阻方程不连续等问题.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一30栅指(每指尺寸为长L=1μm,宽W=4.76μm)累积型MOS变容管建模中,测量和仿真所得C-V,R-V特性,品质因素以及高达39GHz S参数对比结果验证了模型的良好精度.     

静载和疲劳载荷共同作用下的结构可靠性分析

对在静载荷和疲劳载荷共同作用下的结构系统中的各失效元件的失效时间进行研究。首先,分析了失效路径中第一个失效元件的静载失效和疲劳失效时间,建立了两种失效时间下的安全余量方程,分别计算两种失效模式下的可靠性指标。通过对比两个可靠性指标的大小,得出了第一个元件的失效模式和失效时间。其次,在第一个失效元件失效时间的基础上,分析了失效路径中未失效元件的剩余强度和累积损伤,从而得出了失效路径中各元件的失效时间,为建立安全余量方程提供了合理的表达式。通过算例表明,本文方法符合工程实际,为在静载荷和疲劳载荷共同作用下的结构系统的可靠性分析提供了一个合理的方法。     

基于图像匹配的无损变形测量

在传统网格法的基础上,给出一种基于图像匹配的无损变形测量新方法。该方法以图像的亚像素匹配为关键技术并采用虚拟网格的思想。在测量时,不用在待测物体表面预制任何标志,而是利用试件表面的数字图像的灰度特征形成虚拟网格,利用区域匹配算法完成全场的位移测量;再按照网格法中的应变计算方法得到位移转变成应变。典型拉伸实验证实,该方法与传统网格法的测量结果一致。     

不同晶粒度钨合金动态力学性能研究

采用拉格朗日实验分析技术对1～3μm,10～15μm和30～40μm三种不同晶粒度细化钨合金材料91W-6.3Ni-2.7Fe在高应变率下的动态力学性能进行研究.得到三种不同晶粒度的钨合金在不同冲击速度下各拉氏位置的应力时程曲线.利用拉氏分析方法对钨合金在高应变率下的力学性质进行探讨,分析各拉氏位置的应变,比容,密度,应变率,比内能,质点速度等物理量的变化历史,讨论不同晶粒度尺寸对钨合金在高应变率下动态力学性能的影响,给出钨合金在应变率为104～105s-1时的应力应变曲线.     

10MnNiCr钢板应变时效敏感性研究

对10MnNiCr钢板进行了应变时效敏感性试验。结果表明,10MnNiCr钢热轧薄板、调质厚板具有较低的应变时效敏感性,而正火+高温回火热处理的10MnNiCr钢中板具有较高的应变时效敏感性。改善钢的微观组织,提高钢的韧性,可降低钢的应变时效敏感性。     

膜厚对多晶硅纳米薄膜压阻温度特性的影响

重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻温度特性,用它制作高温压阻式传感器灵敏度高、成本低,具有广阔的应用前景.为优化多晶硅纳米薄膜的压阻温度特性,本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术制作了不同膜厚(30～250 nm)的多晶硅薄膜,分别测试了应变系数、薄膜电阻率与工作温度的关系.利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射实验(XRD)对薄膜进行了表征,在此基础上结合隧道压阻模型分析了膜厚对多晶硅薄膜压阻温度特性的影响,结果表明,对于淀积温度620℃、掺杂浓度2.3×1020 cm-3的多晶硅纳米薄膜,膜厚的最佳值在80 nm厚左右.