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991.
HL-2A装置真空室总体检漏   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍中国环流器2号A偏滤器托卡马克装置真空室总装检漏及结果.根据其真空室特点设计了不同结构的检漏子系统,用氦质谱检漏仪、四极场质谱计与氦质谱检漏仪相结合的方法(双质谱法)分别进行零部件和真空室总体检漏,对有关检漏技术问题进行了讨论.  相似文献   
992.
PCVD在狭缝内壁沉积Ti-Si-N薄膜的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)设备在狭缝的侧壁上沉积Ti-Si-N薄膜.经微观物相分析发现,在狭缝的侧壁上随着测试深度的增加,薄膜中Ti元素逐渐减少,Si含量增加,薄膜的相组成始终为nc-TiN/Si3N4.利用球痕法测定了各深度处薄膜的厚度,显微硬度仪测试了侧壁上深度不同位置处薄膜显微硬度.实验结果表明,随测试深度增加,薄膜厚度和显微硬度下降.  相似文献   
993.
利用射频反应磁控溅射在显微玻璃、单晶硅片、NaCl片和石英上沉积ZrO2薄膜.薄膜厚度80 nm~100 nm.利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、X射线能谱仪、分光光度计和原子力显微镜研究了沉积温度对薄膜相结构和O/Zr、透射率的影响.研究发现,沉积温度升高,非晶相减少,结晶相增多;晶粒尺寸增大;沉积温度为370 ℃,透射率明显下降.  相似文献   
994.
ZnO薄膜的制备和结构性能分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
ZnO作为一种宽带隙半导体材料,近几年来已经成为国际上紫外半导体光电子材料和器件领域的研究热点.激光分子束外延(L-MBE)系统是获得器件级ZnO外延薄膜的先进技术之一.高质量精密ZnO陶瓷靶材对于该工艺的实施是十分关键的,本文中采用高纯原料,在洁净条件下制备了大面积、薄片型、尺寸可控的符合理想化学配比的高纯ZnO陶瓷靶材.采用所制备的靶材,利用L-MBE技术在(0001)蓝宝石基片上进行了ZnO薄膜的外延生长,在280 ℃~300 ℃低温条件下所生长的薄膜样品具有(0001)取向的纤锌矿晶体结构,薄膜光学性能良好,论文中对ZnO薄膜的低温L-MBE生长机理进行了探讨.  相似文献   
995.
以光学石英为衬底,采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积方法(HF-PECVD)沉积了BPxN1-X薄膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDAX)、紫外-可见(UV-VIS)等测试手段研究了薄膜的化学组成、结晶状况,以及P元素掺杂对BPxN1-X薄膜材料光学带隙的调制规律.结果表明,所沉积薄膜具有多晶团聚、定向生长的特点,其表面形貌随时间而变化,最后发展成多晶球状密堆成膜,与石英衬底结合牢固.BPxN1-x薄膜的磷元素相对含量随磷烷流量增加而增加,光学带隙相应窄化.通过控制磷的掺杂量可以有效调整该薄膜材料的光学带隙.  相似文献   
996.
研究了含负折射率材料的一维光子晶体中一种特殊的带隙,这种带隙最适合的用途是做新型光子晶体滤波器.  相似文献   
997.
王建  李燕  王成伟  孙小伟  徐洮  刘维民 《功能材料》2004,35(Z1):2973-2975
根据多孔阳极氧化铝(AAO)薄膜200~2500nm波段透射谱,计算研究了AAO薄膜的重要制备工艺参数阳极电压对其光学常数的影响.结果表明随阳极电压的升高,AAO薄膜的折射率和厚度增大,消光系数减小.这主要源于AAO薄膜中孔密度随阳极电压的升高而迅速下降,但AAO薄膜厚度的迅速增加,减弱了阳极电压对其光学常数的调制作用.  相似文献   
998.
细煤粉再燃技术在我国燃煤锅炉上的首次工程应用   总被引:12,自引:0,他引:12  
针对北京市某台65t/h煤粉炉的实际情况,国电热工研究院根据多年的研究成果,在低NOx燃烧器和空气分级燃烧技术的基础上,设计了细煤粉再燃脱硝系统,应用后使该炉NOx排放浓度降低了56.5%。实践证明,该系统结构简单,运行操作方便,投资费用和运行成本低,是一种适合我国国情的高效低NOx燃烧技术,具有较广的应用前景。  相似文献   
999.
贾贺强  徐思华 《变压器》2004,41(8):11-13
对几台240MVA/220kV双绕组升压变压器的空载损耗、空载电流和短路阻抗这几个重要参数的试验数据和设计计算值进行了比较与分析,得出了这些参数的一些经验系数.  相似文献   
1000.
最近,小天鹅公司又研制出采用新一代洗涤方式并具有独特水流的洗衣机--小天鹅冲浪水流洗衣机,该机型结合波轮洗和搅拌洗的优点,水流独特,且采用了超强喷瀑水流和新颖的波轮设计,满足了用户对低缠绕、零缠绕、节水、高洗净的需要。  相似文献   
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