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991.
采用循环伏安(CV)曲线研究了聚乙二醇-600 (PEG-600)在酸性Zn-Ni合金基础镀液中对Zn-Ni合金电沉积行为的影响;采用电化学阻抗谱(EIS)、动电位极化曲线与表面形貌分析方法研究了酸性Zn-Ni合金基础镀液中,聚乙二醇-600的浓度对Zn-Ni合金镀层表面微观形貌及耐蚀性的影响.结果 表明,PEG-60... 相似文献
992.
993.
采用脉冲激光沉积技术在基片温度为800℃条件下制备了不同Co含量的ZnSe:Cox(x=0.1,0.3,0.5)微晶薄膜。通过X射线衍射、原子力显微镜、X射线光电子能谱、红外透射光谱及光致发光光谱分析了薄膜的微结构及光学特性。结果表明:所制备的纳米晶薄膜结晶质量优秀,具有(111)择优取向,薄膜结晶质量、光谱透射率和光学带隙均随Co含量的增加而减小;薄膜在波长约700~850 nm处存在一吸收带,这源于Co2+在周围Se2-构成的四面体晶场中4A2(4F)→4T1(4P)能级之间的跃迁;当Co掺入量x=0.5时,薄膜达到过掺杂状态,α-Co杂质相出现,薄膜红外光致发光谱大幅降低。 相似文献
994.
通常情况下,水平井的实际井眼轨迹并非绝对水平,而是呈波浪状。 当井筒弯曲程度较大时,重力势能导致其流入动态与理想水平井有较大差异,因此有必要对其进行深入分析。 将井眼轨迹弯曲的水平井近似认为是由一系列斜直井段组成的连续结构,采用油藏-井筒流动耦合半解析模型研究了井眼轨迹弯曲对水平井流入动态的影响规律,并与多分支水平井的计算结果进行了对比。 研究表明,井眼轨迹弯曲会影响水平井的产能和井筒压力分布,导致水平井和多分支水平井的径向流曲线与理想情况有较大差异,其形态随井眼轨迹的变化而波动。 相似文献
995.
996.
In the past decade, nanopores have been developed extensively for various potential applications, and their performance greatly depends on the surface properties of the nanopores. Atomic layer deposition (ALD) is a new technology for depositing thin films, which has been rapidly developed from a niche technology to an established method. ALD films can cover the surface in confined regions even in nanoscale conformally, thus it is proved to be a powerful tool to modify the surface of the synthetic nanopores and also to fabricate complex nanopores. This review gives a brief introduction on nanopore synthesis and ALD fundamental knowledge, and then focuses on the various aspects of synthetic nanopores processing by ALD and their applications, including single-molecule sensing, nanofiuidic devices, nanostructure fabrication and other applications. 相似文献
997.
为了制备超疏水棉织物,利用烷基氯硅烷对棉织物进行气相沉积,在棉织物表面生成具有微观粗糙结构的低表面能物质聚硅氧烷,再结合织物本身的屈曲结构,使棉织物具有超疏水自清洁性能,制备方法简易,成本低且不需要昂贵的设备。采用扫描电镜、接触角测定仪、集灰试验等手段观察棉织物的表面形貌,并研究了其超疏水和自清洁性能。结果表明:当甲基三氯硅烷(MTS)与二甲基二氯硅烷(DDS)体积比为5:1,MTS与DDS的总体积为8-10 mL,气相沉积时间为120 min 时,制得棉织物表面的接触角达152.3°,滚动角为2.7°;集灰试验表明沉积后的棉织物具有良好的自清洁功能。 相似文献
998.
采用脉冲激光沉积法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜, 研究了不同沉积氧压下薄膜的光电性能。当沉积压强为0.1 Pa时, AZO薄膜光电性能最优。将该薄膜用于GaN基LED透明电极作为电流扩展层, 在20 mA正向电流下观察到了520 nm处很强的芯片发光峰, 但芯片工作电压较高, 约为10 V, 芯片亮度随正向电流的增大而增强。二次离子质谱测试表明, AZO薄膜与GaN层界面处两种材料导电性能的变化以及钝化层的形成是导致芯片工作电压偏高的原因。 相似文献
999.
在单晶Si和多晶Cu基底表面上使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了SiC薄膜. 通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)及扫描电子显微镜(SEM)研究基底温度对SiC薄膜成分、结构及生长速度的影响规律。结果表明: 在60~500℃基底温度下制备的SiC薄膜均为非晶态薄膜, 薄膜的生长速度随基底温度的升高而线性降低, 并且在相同沉积条件下, 薄膜在Si基底上的生长速度要高于Cu基底。此外, 薄膜中的硅碳原子比随基底温度的升高而降低, 当基底温度控制在350℃左右时, 可以获得硅碳比为1:1较理想的SiC薄膜。 相似文献
1000.
从过渡金属硫化物催化剂活性相理论出发,认为在加氢催化剂制备过程中保证活性组分的适度分散和金属-载体之间适度的相互作用能提高加氢催化剂的性能。本文针对加氢处理催化剂的制备技术,综述了添加有机助剂、平衡吸附法、浆液浸渍法等浸渍改进技术以及水热沉积法、原位晶化法、化学气相沉积法等新型的制备技术,并介绍了相关的国内外研究进展。分析指出有机助剂能与载体、金属作用,进而改变金属在载体表面的存在形态,有利于高活性CoMoS相的生成;水热沉积法和原位晶化法能够使活性组分在载体上均匀吸附沉积,从而实现活性组分在载体上的分散,并形成堆积程度更高的高活性Ⅱ型活性中心。 相似文献